Справочные данные - Транзисторы малой мощности. Низкочастотные (1266882), страница 7
Текст из файла (страница 7)
Выпускаю ся н метачлическом герметичном корпусе и имеют гибкие выводы. Масса нс бол~е 0,5 г. КГУК/ Кпллгнщор Иыпульсиьсй ток каллектооа при длительности папвльса нс более 1 мс Мс.щносгь па коллекторе с при температуре окружающей среды ог — 40 до 30= С Температура перехода Диапазон рабочей темперегуры окружающей среды 200 мбт 150с С От — 40 до -ь-8о' С диитщрр 1 мкл 10 в~ил 1 мкл 1О мкА 20 — 200 20 — 80 50 — 200 0,5 В 1,25 В 70 пФ 100 пФ 0,6 В 1,1 В 15 пФ 30 пФ 15 В 20 В 4 В 15 В 20 В 205 297 Электрические параметры Обрзтпьбч зок коллектора при Ггкв = 1О В не более Обратный юк эииттсрз при У,г = 4 В пе более Сити !вский коэффициснт усиления тока базы при йк=-1В, /,=-5ОО,Л.......,......
Модул!, коэффиписнта усиления тока базы иа частоте 20 МГц прн Пк = 5 В, /а = 1О мА не менее Непряжепие коллектор — зьайтер н режиые насыщения яри /к = 500 мА, /с = 50 мл не более Напра ко~ ие база — эмиттер в реживае насыщения прн /к = 500 мА, /з = 50 мА пе более . Евгкост коллектора па частоте 5 — 1О МГц при У,о = 5 В не более.... Емкость эмиттера на частоте 5 — 1О МГц при У,с = = 1 В пе более Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор — эмитгер при //с пе более 1О кОьг Напряжение коллектор — база Напряжение эмиттер — база ., Электрические параметры Обратный ток коллектора при Гг,б = 1О В не более Обратный ток змиттсра прн Уаг =- 4 В пе более Статический коэффициент усиления тока базы прп и,=1В и/,=-3ОО Л для КТ351А для КТ351Б Модуль коэффициента усиления тока базы на частоте 100 МГц при Ук = 5 В, /, = 10 мЛ не менее Напряжение коллектор — эмиттер в режиме ннсыщения при /и = 400 мА, /н = оо мЛ не более Напряжение база эмиттер в режиме насыщения при /к = 400 мА, /з = 1О мА не более .
Емкость коллектора на частоте 5 — 1О МГц при У,г =- 5 В ие более Емкость амиттера на частоте 5 10 МГц при 1/,а =— = 1 В не более Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор — змиттср прп /7н нс более 1О кОм Напряжение коллектор — база 0,9 В 1,1 В 8 гпй 400 200 мБг 150' С От — 40 до и-85 С ЗО В 25 В 1О В 60 В при /(тдуд В дик»ото~ с температуры ньюс ЗЗ' О довусти клв лгощиоггь сиилщстс» соглгсио форду то гзо — т к.
л око Транзисторы ге!ттгапиеггыс сплавпо-диффузионные у-п-у. Выпь скаютсгг в т.етжгличсском герметичном корпусе со стеклянными ьгзолггторзьги и ньюют гнб:п|е еьщоды. Масса транзистора пе более 2 г. Электрические параметры 0,05 чкд 30 мкд ЗОО МГц 100 †2 200 †6 500 †10 50 — 125 =~~г елпгср! атп отер 0,1 В 0,2 В 298 Напряжсявс эмнгтер — база Илгпутьсный ок коллектора при длительности нм. пульса пе более 4 мкс. Моцнюсть на коллек|оре т при температуре окружщощей среды от — 40 до 30" С Температура перехода Диапазон рабочей температуры акр!знающей среды При температуре ог,ру кагощса среды болсс ЗО' О заочсоис лгощиости рассчитыиксгся по фор гуле !зс — т к. мклс О,Ь КтЗ~ЗЛ, КтЗ7ЗЬ, КТЗ738, КТЗ7З! Транзисторы креьгг~иепыс эпнтакснальпо-планарныс л у и.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Масса транзистора пс более 0,2 г. Обратный ток коллектора гри Ггкб = 25 В пе более Обратнь.й ток этщттера при 1I,б .— 5 В нс более Граничная частота тснлення тока базы нс менее Статичсскгтй коэффициент ьснлепня гока базы прп 1/к=5 В, 1,=1 вд: для КГЗ7ЗЛ длй КТ373Б для КТ37ЗВ д.щ КТ37ЗГ Модуль коэффициента усиления тока базы при 1, = 5 мА, 1' =- 100 МГц пе менее Нзпряжение коллектор — эьппгер в репгиьге насыщения при 1к = 10 мЛ, 1б =- 1 мд не более для КТ373Г не более Напри>пенис база — эмнтгер в режиме насыщения пе более . дл я КТ 3 7 3Г не боя се Емкость коллектора прн Гкб = — 5 В не более...
Предельные эксплуатационные данные Напряженке коллектор — база. для КТ3733 нля КТЗ7ЗБ длп КТ37ЗВ ,тля КТ373Г Нз~ тятсенис ггсрсзаро~а фаты тока базы 1,= 5мА: для КТ37ЗЛ для КТ373Б дг я КТ373В для КТ373Г Напряткеппс эьщттер — бас. Ток коллектора постоянный Так коллектоРа импьащсиып Мо|пгюсть ' па коллен~а!тс Теьгпературз перехода Дпапааоп температуры оггруткающей среды Ы В 1О В 25 В 5 т! с! 2оЗ мд 1о'.т, мВт 150 С Ог — !О до -1-86" С Электрические параметры П401 ) П402 П403 П403 ! Парван ры Коэффицие,ат усиления тока базы при Пи=5 В, уа=5 т!А, С' =-50 —:!000 Гц не менее гсри 20'С . при 60'С при — 50' С, Грани сная частота усиления тока базы при уз = 5 мА, !Уса=5 В пе ° енсе, МГц Емкость коллектора при У~б = 5 В, 1' 5 МГц не более, пф Постоянная времени цепи обратной связи при Гс = 5 В, 7, = =5 мА, 7=5 МГц не более, пс 16 — 300! 16 — 250 30 — 1ОО 30 — 300 20 16 — 209 16 12 16 12 !6 12 30 50 100 180 )Тп 15 1О 10 1О 3500 1000 500 100 скЛ 3 ык 150 мкА 5 мкА 120 мкА 100 мкА 12 35 50 60" С 20 — 200 60 — 360 90 — 650 5 мкСм 2 3 4 20 кА 1О В гоа/О 1О В В О,З мкА 100 мВт 40 мВг 85' С 0,64' СсмВт От — 50 до +60" С 2 В 0,7 В 12,5 В 8 пф 40 пс!У 300 ЗО! Обратный ток коллектора при Гсаз = 5 В не более: при 20' С при 60' С .
Обратнь!й ток эмиттера ' не более Выходная прооодимость н сасне ОБ при Га = 5 мА, оса = 5 В, 7 = 50 —: 1000 Гц не более..., .. Предельные эксплуатационные данные Ток коллектора гри мощсюсти рассеяния нс болсс !ОО мВт . Напряжение между коллектором и эмиттером прн Ез =1 ко ..' Напряя,ение между коллектором и эмпттером при отключенной оазс и температуре яе более 40' С Напра!кение мои.ду змиттером и базой . Мощность на коллексорс -' при температуре от — 50 до 20' С р ООа С Максимальная тснператупа перехода .
Общее тепловое сопротизлс !ис Диапазон рябо!ей температуры окруисающ й среды ПРи иаиражеиии Ьс .= 0 75 В Лая П40! и 1 В Ллв П402. При температуре свыше 20' С допустимая мощность рассчитывается ПО фаРМУЛВ = Юо — ! 5 ст С вЂ” 201 мВт Транзистор.! ге,!иенс,евые спланно-дщ!яру!ионные р л р. ' ыга с ьногся в у!сгс!.!.!ьчсгссо ! сермет!! !нои корпусе со стекл г!- ньп..
1,:»яторамя и исыЮГ щ!бкве выводы. Масса тсззиэнстора не С- Электрические параметры Обратный ток коллектор~ нс более: прн 67„0==5 В и 20" С.....,....... ри Гсаа = 1О В и 6О' С прн (сьз = !О В и — 55" С Обрятиый ток эмп!!ерз при (Саз = 2 В це более Коэффициент угнленпя пскс! базы при ьси =- б В, уа = 5 мА, ! —.— 50 —: 1000 Гц при температуре: 20" С для П416 ....., .........
20 — 80 для П416А .....,, ...,, ... 60 †1 для П416Б .... .. .... , 90 †2 Модуль коь;!фнпвентз усиления тока бачы на высокоп !ас ото при !/а = 5 В, 1, = 5 мА, = 20 МГц пе менее для П116 д П416А для П416Б Нестабильность коэффициента усиления тока базы при Гс» =- 5 В, 7~ = — о мА, ! = 50 —. 1000 Гц не более . Нсстабилыюстс, обратного тока коллектора при !/аг, =- 5 В не более Напряжение меясду коллектороч и эню сером в резкимс насыщения пря си =- 50 мЛ, 75 = 3 мА нс более .
Напряжение между базой и эмнттсром в режиме насыщения при си = !О мА, 10 = 1 мА не более Напряжение коллск!ора, при котором наступает переворот фазы базового тока, прн 1, =- 1О мА не менее . Емкость коллектора при Гс„з =- 5 В, ! =- 5 1О' Гц че более . Емкость эмиттера прн Е,з = 1 В, ~ = 6 104 Гц не более . Электрические параметры 1 мкс 5 мкЛ 70 мкА 500 по 5 мкСм 24 — ! 00 250 120 мА 25 цА 5 мкЛ !5 В 60 МГц 120 МГц 20 В 12 В 3 В 100 мВт 360 мВт От — 55 до !-60' С ! 000 пс 500 пс 1О пф для П423 1О дБ 5 мкСм б 5В' П422, П423 Время рассасывания при 1„= 5 мА не более ., .
Постоянная времени цепи обратной связи нв высокой частоте при 1'я = 5 В, 1, = 5 ыЛ, = 5 1Оз Гц пе более . Выхо„ная проводимость в схеме ОБ при 1, = б мА, 1/„= б В, ! = 50 —: 1000 Гц пе более. Предельные эксплуатационные данные Импульсный ток коллектора ири длигсльностц импульса пе более 5 мкс, средне!! таке коллектора йе более 25 мд и рассеиваемой мощности не более 100 мВт Средний ток коллектора при рассеиваемой мощносги ие более 100 мВт Напряжение между коллектором и эмиттером при короткозамкнутых электродах эмиттсра и базы Напряжение между коллектором и эмиттером запертого транзистора Напряжение между коллектором и эииттером при сопротивлении в цепи базы 175 щ- 100 Ом .
Напряжение между эмиттсром и базой при = 2 мА не менее Мощность на коллекторе, Импульсная лгощность Диапазон рабочей температуры окружалощсй среды П р и ы я ч з н я я: 1. В интервале температуры ат 45 да ЗО' С прздагльяа дапуатиыые значения параметров Пав изменении температуры яз каждые 5' С снижаются: напряжение и — нз 1 В, и ы Сиб —— 1 кимз — йя кз. макс яз. ляс О4В и — » Оа Вг ч — 4 Л,, — !О ыВ. зб.
макс ' ' я. ямя. чяс я. яяя. зллс 2. При температура окружающей среды выше 45' С Рзссеяззеллзя мащ ность апазделя галл са фагчуяа Р. я =2,5155 — т'сц ывт. я. чкс 3. При паяя,леваем дзззеяяя заздухз зллзчал(яа Р к. мша сняяляетая яя !Вл', Обрчтный ток ноллекго;ла, пе более: при 20" С ири 55' С Коэфлициснт усиления тока базы при 1,=! мЛ, = 50 —: 1000 Гц: при 20" С при 50' С не более при — 25 С ие пенсе, Нестабильность обратного тока коллектора при 55 С в интервале времени 10 — 15 с пе более .
Максимальная частота генерации при 1, = 5 мЛ не менее: для П422, для П423 . Посюянная времеви цапц обрат!юй связи на высокой частоте при 1, = 5 мЛ, 1 = 5 МГц: для П422. Емкость коллектора ври 1 = 5 МГц пс более Коэффициент шумз при 1, = — 5 мА, ! = 1,6 1О' Гц не более Выходная проподимость в схеме ОБ при 1 = 5 мЛ, 1 = = зΠ†: 1000 Гц нс более ................. П р я и е л з н я е. Все зязчачяя пярзызтраз приведены при Грзпзисторы гсрмзниезыс сплавно-диффузионные у-и у. Выпуска!отса в металлическом герметичном корпусе со стекляч- ными лшолягорами и имеют гибкие шяводы, Масса транзистора ис более 2,2 г, 17423, 114гг ВЯ за ч.! — ==Я-, чв а Я ! .Ь~алг пад ~ 302 20 мА и интервале температур ат 20 да 55' с допустимое зйачсаие мощности аьяжзется ия 15 ыВт из каждые !О' С. ЗОЗ Предельные эксплуатационные данные Ток коллектора Нз,тряжсние между коллектором и эипттером при сопротивлении в цепи базы 175 =- 1 кОм Мощность на коллекторе ' при температуре до 20" С ...
Температура коллекгорпого перехода Диапазон рабочей тсмйературы окружающей среды... 10 В 100 мВт 0" С От — 40 до 55' С Раздел иегтяпдцатьгй 50 мА 12 В 1О В 2 В 15 В 20 В 150 мВт 70' С ГГЛУ йаддаллгаут 2 лгЯ 70 мцлглгау 1О мкА 15 мкА 15 80 50 — 200 100 †3 ~ 0,Г ' 70=005ггй ! — ! 2,5 3,0 4,5 Выходные хзрзитсристньи 8 В 0,6 В 0,3 В 50 нс га йгрр 0,0 75 пс 100 пс 25 пф 5 пф -00-00 -00 0 00 00 0 0 0 Гй Гй 00 мй Ззвисимость обрзтиаго токе кол- лектора от температуры.
Ззвнсимость стзтичесиаго иазффпии еитз усиления тока база от така. 304 306 трАнзисторы мАлой модности сверхвысокочлстотные ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И Транзисторы планарные гсрманиевыг п-р-п. Выпускаются в металлическом корпусе сз стеклянныии изолятор амя и гибкими выводами. Масса транзнстооа нс более 1,2 г. Электрические параметры Обратный ток коллектора при предельном напряжении пе более Обратный ток вин!пера пря предельном напряжении пе более Статический коэффициент усиления тока базы при уз = = 15 ыкА, Гги = 3 В! для ГТ311Е для ГТ311Ж .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
