Справочные данные - Транзисторы малой мощности. Низкочастотные (1266882), страница 21
Текст из файла (страница 21)
пэч '11Э 'ЫЯ Рг,ге »11»е дл э йл е Дггэ й гцг — нходное сопротивление в рс»киме большого сит. нала — коэффициент обратной связи по напра»кению в рс»киме мала1о сигнала — каэффпцнснг 1си.гения»переда гн) тока в рсгкиме мало1а сигнала — коэффипиенг ускленив »передачи) тока в рсгкнме большого сигнала — стати 1сскнй коэффициент усилении тока бззы — гыходпзн граводимость в режиме »»алого сигнала — модтль коэффициснгз усилении »нсрсдгггн) тока базы на высокои *гастоте и, и„— ик, и, и;б илов иКЭОтр икэл СВО и и„ КЭ пэс к.п СГ глг и.
и и, и,э „, иб ив,,„,— иввуг йо и„в и„и »эп: 1 о, Ов »глм С й.птраметры йн» йгы — входное сопротивление в рсаащс малага снггш.п Убй 1»БО Роб кб пРоб С~О»~Л1 и ЭБО проб эб. проб ВВО»ВЛ1 и и. КЭК проб кэлроб СВЭ»1»ЛР и, пробивное напрнжепие каллектор— база при разомкнутой цепи эмиттера пробивное напряжение эми пер — база прн разомкнутой цепи коллектора пробивное напряжение коллекюр— эмиттер при короткозамкнутой цепи эмигтер — база гшпрвжепие между коллектором и базой напряжение между коллектором и эмиттером напряжение между эмиттером н базой напряжение между коллектором и эмиттером при отключенной базе и задан»гам токе эмиттсра напряг»ение коллектора, при катарам наступает переворот фазы базового тока напра»кение насьпценип между коллектором и эгщтгером напряжение насыщения между базой и »миттеран плавающин потенциал эмиттер — база входное паприжснис напрнжепие затвор — исток напра»копие исток — сток папряжег ис сток — затвор па1юговое нггпряжснпе папрплгснис отсечки напряжение исто пгика ппгзп гя каллск»орной цепи то тр »рес »пггг тпгг, »гэ »ю,гкп тк кп»ои Сопротивлении Р.
Р,. — сонратпплсппс в щпп бсгы б гб 11,1, — со~ ративчсннс бпгы 1„,, Г,„г — Са11РО»гнг,»СПИС ППСЬ»ЦСННН й1 о щ и о с т и Р— моптпосгь, р:1сс» ингам,ш н приборе Р Р. — Нощпость на к лггекгорс Рк . Р Рсп — импУльснзн мощность на коллектоРс Р, Р— вы.однгн мощное»ь пь» оп 1»', 1» бг — казффпцгшпт 1сплснкп по мощности р у-параметры по.1нзп сьсдпзп пповодимасть палпгп ш»авадимасть обратной псрсдз*»и полппп щ»»~ одинос. » п1»вмаи пере,гачн .»о.гтл ьагн1сл правадшгостн прямой переда пг сгггггнгссглг»1 ьрбтпзна характеристики с1я1п 1сскан к; утизпа характс»пстики полсвьщ транзисторов шпншп выход1шп проподнмосгь в схеме с общим эмнттсром 11 1 12 ~Р11— Гс— гп »12»с »мэке ~пггх Ск С С„ » гг С„ тк гбС 1,С, прсдстьпвн частота усиления тока граничная частота усиления така базы максима»1ьнап часютз генерации с»»кость коллектора емкость эмитгера входная емкость выходпан емкость проходпап емкость пасгонппап времени цепи обращай св»1»п гш ш »со.
кой частоте длнтстьпостг* импульса время рассасывания паснтстей время вклююнин врсмн вьп»гпочснип Про|ье параметры Мощности Ооер !а Т Тсхс~ь Экоа Гс Те Тсеее 8пер Гт То Ту ~пер-ока ~т. и-с ~юга Временные параметры э ео г11 пер.кор !хт и-е Р! Тс !хт. к-с Рсьса Д М— ~.ех (е х Токи (,',, эмх (з, Н а п р я лх е н и я и„", ('ех сея и,„, и аор' ~ ор и., „ „ (у,„ч !' а !есм и..,к. (у и„ 740 Ке, Р— коэффициент ццхса КНИ Ку — коэффг!цегнг нелиней. ых искажений Тепловые параметры полупроводниковых гриборов темперзтура окружающей среды температура корпуса температура перехода общее тепловое сопротивление диода или транзистора тепловое сопротив,!еппе переход — корпуС транзистора тепловое сопротивление корпус — окружающая среда Обозначения параметров логических интегральных микросхем входной ток в состоянии логи ~еского О входной ток в состоянии логической 1 выходной ток в состоянии логического О выходной ток в состоянии логической ток учсчки запертой схемы ток, потребляемый от источника гитаиия в динами ескохх режиме ток, готребляемый от источника питания в состояниях логи.
!сских О и 1 в статическом режиме входное напряжение в состоянии логического О входное вапряжсние в состоянии логической 1 выходное напряжение в состоянии логического О выходное напряжение в состоянии логи сеской 1 пороговые входные напряжения в состоянии логических 1 и О напряжения помех в состояниях логических О и 1 иапряххенис источника питания напряжение смещения иаксимально допустимое входное пли выходное напряжение в состоянии логического О минимально допустихюе входное или выходное напрььх-. ние в состояпни логи щекой 1 Ре Р' — лхощвостьм рассеиваемая микросхемой в состояниях логичесющ О и 1 в статическом режиме Р,, — средняя мощность, потребляемая микросхемой ог исгочпнка пи ганна в статическом рек!илес Тл, „— мощпосгь, потребляемая микросхемой в динаиичесамсс режиме время задоре!хкс! включения в!пмя зэдерекки выкс!ючси~ я сре:ппю врет!я задержки распростоапеппц прется включения время вь1ключсппя лсакспххальиая частота деления григ!сра Коэффициенты объединения и разаствгеинч козбх!Риписпг развсгвлснпя по выходу (нагрузо шая способность) коэффициент обьеднпенпя по входу И коэффициент объединения ю входу ИЛИ ьомфйициснт объедиьепия по выходу (хха~ сихсальпо допустимое коли сесгво объединяемых выходов, по которым реализуется функция ИЛИ) .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
