Справочные данные - Транзисторы малой мощности. Низкочастотные (1266882), страница 17
Текст из файла (страница 17)
17осгь сн77ж,7стсв п вы яс77 стся 7!о форчу.7с 15 мА 5 мА 15 — 45 30 — 100 о оо гп оооо оо оа уо па поуоо о Внто1нжс харт;лгрпст' "н а уо до е уоо 1 В ~ гт-' гпп' ост 7ПП йг оо уа о,о от 5 и аг а,47 П,а а,г а О 7 г Ю Ф О Дг 3 УП М 771 Ззв спчост тзодут коз нфп. от частоты, Дана зона раз'броса. Входные харвктсрисмг кв. Зависиностьстатнчсского козффнциегпа усиленая тока базы от тока.
Дана вона разброса для 95Ув приборов. Бмходпью характсрн- сти и. 382 383 рьо рооп ооп апа уоа аоо даа ооа чоо гпп Уаа Зависимость статнясского козффяппс7оа усиленна тока О, з от тока. Дана зона разброс~. К4807А, К4807Б ч а з "паннисторы крсмниеьн1е меза-планарные и-р-и То,п7уск17нттся па металлчческои фланце с заливкой кристзлла пдастмассой. Масса транзистора не более 2,5 г.
Электрические параметры Обратный ток эииттера при О,а —— 4 В не более „,... На1альный ток коллектора при Сг„, = 100 В, 175 = — 1О Он не более Статический коэффициент усиления тока базы при Ок,= =5В, 7„=0бА: для КТ807А нля КТ807Б .. Нзпряясение между коллектором и э ачттером н ре;киме пасьпценип при 7, = 0,5 А, 75 = 0,1 А ас более . а О уа 70" О . а аг О,ге а,а11 коо 50 мА 18 о О78 1гО о,е 2,5 В 500 пф 0,0 Оэг 120 В 250 В 10 Л 4 Л о -5О -35 О 35 50 аО -5Π— 25 О 35 50 аО Зэяпспт ость с.ятяясскота 7.а 7фпонснтэ уснленпя така б,7эы ат !тсиьсээтуры Дэнн та 7э Оаэбрось длэ оэ „' пппб эрс э Зээнст 7ссть нпоэяжсн я нэсы7оснпп каэлскто77я ат тснпсг77ттгь7 дэнн эап,7 Оээаао я для Эо",, прк- бсраэ 50 Гт 5 Вг 150' С 0,5 А 1,5 Л 0,2 Л 4 В 2" С,'Вт От — 60 до +100' С 100 В 1О Вт 120' С ~ЛЯОЯНА 1Зо — Г, 7'7 Б, к.
пэкс Л'7 5758 Я Я,у з эб 5 12 5~ 50 О 7 УУэ 7 7елл7н77 3 тгд 10 — 50 Ял ллтлте77 385 13 зэ . эгз Предельные эксплуатационные данные Ток коллектора Ток коллектора импульсный Ток базы Ннпряукепкс эмиттер — бгыа На 7ряжегие коллектор — щ7яттгр цри об с", 10 Ом и оапцрпщщем напряжении эт7и77ср — бяяо 0,5 В .7'ощнос77, на 7:олле7,7орс при Тк = 70' С Тскпсра7урв пс!7схода Транзисторы кремниевые тсеза-плаиаргые ш7соконотьтныс л -лл. ВЬП СКСщ,ес П тКГПЛ ПШГС7.ОК7 Гсаметн ШС 77 7777ог С7 Н 7777)С7СГ уксг;кпе ньноды Масса )бст нак7щ77ого фланца) цс более 22 г. Влектриоеские параметры Нз7зльный ток колле7щора при !/к, = 120 В пс более Стнтиоеский коэффициент усиле7:пя тока осзы при !Iк=ЗВ,1 =6А........
к)пауль коэффициента усплезия тока базы на оастоге 3,5 Мрц при !/к = 1О В, 1, = 0,5 Л нс менее ОбРатнь й ток эниттеРл пРи )унб =- 4 В Не более Напряжение эниттер — бяза в ренсцме насыщения при 7 =6 А, )б=-0,6 Л нс более Емкость коллск ора нз озс7о7е 1 51!х71 при У„б =- = 100 В нс более Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор — эт;иттср при )с'б = !О 077 .. нмпульепос ' Напряжение этситгер — бзз77 Ток коллектора Ток базы Рассеиваемая мош шсть нз коллекгорс ' прп тсь7- пературе корпуса 77с более 50 С с теплоотводом без теплуошода Температура перехода Тепловое сопротиш;енкс мс»,ду псрсходотг и корпусом Лиапазон раба 7ей температуры окруукзющсй среды Пон длнтсль 7ас7н ныпуяьсэ пе солса 000 ыкс н 7таэффнц77епте тяпал.
пения не салос 7,Л !7рн тс 7осзэтурс псрсьодэ до 100' С Прн тсноспэтурс ат 100 до !00' С 77эпряжс7777о калт сктао — э юттсп спп7кэется ляне 7но пь 1О',, нэ кэл дь с !О' С. Пэн теыперэтуре корпуса сныше 00' С 77ащ,7ссть рассянтын,7стс ° по Фаэ уле Тнзнзнсторы 7;рстщп;еоые то зн-плщ:зрпые 77.р.л 11эед77гынаосны для !7зб тгы в ньг одпых тсвск:7:гзх с7ро'7пой рзввсртг,н, в мощных импульс77ых усиля голяк н доугнх скг;шх промыш. ле7п7он электроники зппзратуры широкого при,»епькнгь ЛХОь 7 Электрические параметры П ВОБЛ, ПВОБЬ 5,5 Мгц 1о — 100 ГГО?75 явтв. м « 6 чЛ 1,5 В 2,3 В 3 Л Электрические параметры 2 мА 1,эт Л 35 — 100 400 11 0,5 В 4 В 0,7 В 5 мА 153 С Тс«1псра~у!та персте и .
43 Вг ' г1 -«125 С 0,3 мкс 0,2 мкс 4,0 мкс Про т т~поротуро вотстооч о )рог«о»о!) 200 пф 300 по 150 — т 387 Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с жесткими выводамн. Масса транзистора не более 22 г. Граничная частота коэффициента усиления тока базы Стет»|еский коэффициент усиления тока базы грн 67„= =5В, ?« — 2А Мозтль коэффициента усиленна гока ба1ы на высокой ~астотс при ) = 3,5 МГц, ?„= 0,5 Л нс т:снос . Обратный ток эчиттера при 6?оа= 4 В пе более Па ~альпый ток коллектора при 67« = 400 В .
Пзпряжсяис коллектор — эмнт 1ер в режиме насыщения прн !« — — 2 Л, ?ь= 0,4 А Напри>кение база — з«1нттср в рсжнмс насыщения при ?« = 2 А ?а = 0 4 Л Предельные эксплуатацио:шые данные Ток коллектора прн Г« = — 60 —: +125' С Ток колла»тора пппульспый прп -.,: 400 мк:, ?'« =- = — 60 —: —; 125' С Ток базы прп Т« = — 60 —: +!2о С 1!ш !тяжепнс ' коллектор — эт~нг со три те«пыря тре окгутьрнзшсй срсш! — 60 —.
+ !00 6:, Гсо 100 Ом Напри»сине штяттср — 61зт ~ рп пмирщт ро отру кпюшсй срс !ы — 60 —. +125' С й!о !ность ' яз »слав«торс с тсппос1». ст~ ьрн 7« = = — 60' —: — 50 С Работая тсчпср; щрп окружаю»,~с!! тус,а» !Ос — !ЗО' С шорт»,о яо оо»;«оотоя з шоаоо»о ««1рптсо щ.тьшо ьп" 6 чод ость оооо«тото» в ооот- Раздев двадцать первый ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬ%ОН МОЩНОСТИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ И СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ Транзисторы гсрманиевые диффузионно-сплавные р-п-р. Выпускаются в металлопластмассовоч корпусе (масса не более 7 г) и в метзллостеклянном корпусе ?масса транзистора без крепежного фланца не более 4,5 г). Масса крепе киото фланца не более 1,5 г. Обратный ток коллектора пе более .......
Статический коэффициент усиления тока базы при и,=!ОВи?«=ЗА .* Напряжение меж!у коллсКтороч и этшттероат в рсткиме пзсьпцсп1тт) прн ?, = 3 А, ?г = 0,5 Л пе более ..... 1! пря» ение между базой п эмнттером в режиме нзсьцпения прн ?« -= 3 А, ?ь = 0,5 А не более Об!тат~ Ын ток эчнттсра прп ??,ь = 0,4 В нс оолсс Врсмепныс пврамс|ры при напря»репин источчика питания котшсктор юй пепи 30 В, ?в = 0,5 А, запирающем токе базы 0,5,1, сопротивлении нагрузки коллектора 1О Ом: время вттключсння . вРемя включения время рассасьшапия (длп ГТ005Л) 51очуль коэффицпеп,а тсплепия тока базы нз высокой частоте (тля ГТ9055) при ?7 = 1О В, ?о = О 5 Т ) = 2 ° 10' ]'и не меосе Емкость коллектора при !7«в = 30 В, ) = 1О' Гц не более Постоянная времени цепи обратной связи пРи 67«от = == ЗО В, У, = 0,03 А, ) = 1О' Гц не бочсе ПРедедьиые эксп.б атацгс ииьге денги.
с Тс,. ь .. гг г пщ;,гьгмй Тггк г.д, г г зг~ ."' с,гп , го~ гг 1 Т9 05 Л длн Г19035 Напрянгснг~е между коллекторе", и этзпттсром гга яггсрго з транэисгоре 1д гя ГТ905йгз прн дтительностн изгпульса менее 20;скс Могдность на коллекторе с теплоотводом при температуре корпуса от — 55 до +30" С . Р1ощносгь па коллекторе без тспзккзгпсгзггг г.рз геззпературс от — 5о до .+ 25' С Температура перехода Общее тепловое сопротивление Тес~ловов сопротивление переход †корп Диапааоп рабочей температуры корпуса 170 110 110 25 В 60 В 130 В 6 Вт 1,2 Вг 6,з С 50' С Вт 9 С,'Вт От — 55 до -1-60' С В ао а 0,0 г г Вг а Ва бза Ва и зсолсни, гоко бзгм от токе Вг г,а г- Вг «0 па В 30 гг "0 15 за В 0,5 0 аг а,гУ 0,0 аа 1,агу уа га Ваггаа саа а аг ьп,сс 0,0 0.8 1,0 77 и 0,5 1,0 55 г,а г,5 В,ад Г.
гтсргщзи,гп Дана зова розбосс, 0 аг ат' ба СВВ 1 0 га юа Ва Ваа Зависимость о ратного тока коллектора от напр жсн гя Дзн,г гола разброса д.гя Звоаг„' приборов. а1 03 00 01 0ВВ Зависвмость допустимой н гпзльсггон мощности от напряягег ия длител .. ность тгпульса не более г мс, залп. Реющий ток базы не менее О,! А 50 а га 00 Ваа 3 игн гость смг,ости кол ~скто. рз от напряжения. Лз ~ зона разброса дли Эз '„; пр П зроо. зисгср и а п г,гульснот\ ре к Мс прп л пгслг,п стн иипзлгсов КТ902А п,в уг уо а,в Л Пвагя елт о>э 0,7 а,ч а,г а га чп 50 вп .аа в Вызодзые хзрактсристики, 0,25 0,75 125 175 в Входные харзктеристнзя.
л~™ емиттея уча Злектрнчсские пзрзоытры учп уга з|п ть»; 'о, . рз пр. 'йк Гбрятныб ~ок э>Фпср.з при 1э'„- = 5 В нл' бо юс Ст:ззичгскпп коэффиписпт >соления ~овгз б,ыы при Уя = = 1О В, /, †. — 2 Л нс мспес з" 1(длоп, коэфб> и 1 ', ' 51 гз>псп1л л сп.>сипя т >зз гильз из иысоко 1 мсяс* Вязните ьзпрнжсппе блаз — эип ьср прп 1эьэ =!О В, 11япрпл,еппе изсыпгснз я коллектор — эмптгср при !я = = 2 мп !и= О,ч Л не болье угп !О мД уоа 100 60 чА 1ОО ыб во !3 ча ча го гп о г ч 5 в уа и ч в уг ув гов о Зависимость статического ьоэзчфияиеита >сслсвия гокя бззм ° т 1ыпряжеяия Ззвззсяоссть стати ~еского котф.
финиситз усиления тояы базы от тоьз. э он б:.з' ~ ь! г>льспос зпшрзя спис ноллскточ — э>1нг~ез по —,>,1 Олз, длп;сльш сти иыг>льгз менее 'б мкс з 1~ и!'ость, ряссеиязсмоя оз коллекторе и дпзпгзоос ~сяпсратлр карп>сз от — 60 до +ббт С Тсмпсрлтуря пере>ода 2 о В Об В ПФ 1700 11О Л увап И>о ЗР Вт 1ббэ С 1100 оаа а у г 5 чв !З>эя темосрзг Гс псрелодз зьпнс !ЭО' изгяии син ~ льются лз>псы о и >меиыэзются Прз длвтсльноств синусоидальногс кается и С вЂ”вЂ” Е В. эб. ямн С З аксимзльныс ~зчсэззя нзпря.
в З рз з оря тсмпсрэтурс пер*. и го чо во и Зависимость емкости коллектора от вапрязкоиия. Зависимость емкости эмзтзерз оэ взсриження импульса мсисс ЧО мке допус- 391 390 Транзисторы кремниевые ысза-плзпарные и-р-и Вьзпускзются в ыствлличсском герметичноы корпусе с выводами. Иясса транзистора пе более 25 г. ко пусс с жссткиии Тепловое сопротивление гсрсход †корп транзистора Внапазон рабочей температуры окрунсгуюшей среды З,Зь С,'Вт От — 60 до +120' С бат а оа и 1 г 3 г/ о /а гага пп 5аа 1сы одопа х, Ра гор 'стекгг. Входу,ыс характ ри,тики даны зоны разброса дл !ОС % приборов и оа /аа .с а 5а /аа с Зависимость допугтямоп мощности Рассеяния от гемпер тур» ор- пуса Зависггь~ость допустимого импульс.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
