Справочные данные - Транзисторы малой мощности. Низкочастотные (1266882), страница 14
Текст из файла (страница 14)
пастск иа формуле 1 Тоа!шистооы кремпис>ые эпитоксиально-плапарныз и-р л. Гч>! ска>о>сз 0 металлическом гсометичпам гюРпУсе и имеют гнбш>е выводы, Масса пс более 0,6 г. Электрические паоаметры Обрзтньш ток коллектора при икг = 1О В не более . Обратный ток амит сра при и,з = 4 В пс болсе Стати юсьпй коэ>рфш!иснт усиления тока базы прн и„.=! В, 1,— боомд. !!ля КТ61Г>Л не 'кепее для КТГ>1Г>Б пс менее Л!».>ум!ь коэффициента усиления тока бззы на час!оте 100 МГц при иа = 1О Б, !к — 30 мЛ не мопсе Пап >яженнс коллектор — эмпттср в рсжпмс насыщения при !к 500 м'., !5 = 50 и'т не более 1!спрн>кение база — эаиг!ер в рс>кяме насыщения при lк — 500 з!А, га =- 50 мд пе более.....
Б', е !Я Рзсса ышшпа пРи Ук = 50 мЛ, Уа! = Уза = = 1: пА .>, 'я;(ТО ! 6 'т нс более для КТГ>!ОБ не более ., 15 пФ 50 пФ 15 пФ 50 пгР 30 В 20 В 4 В 20 В 20 В 4 В 400 мЛ 600 мА 400 и Л 600 мЛ 500 мВт 300 мВт 150' С 6,3 Вт 0,25 Вт 150 С 0,215' С мВ От — 40 до +85" С 0,26" С'мВт От — 40 до +85' С бматтер база Ктеу7 Г=ф' ахтар 40 МГц 30 5 мкй 15 мкЛ 2 50 мкд 100 ыкЛ 50 пф 0,7 В 120 пс 7 пгР 359 358 Емкость холлектора па частоте 2 МГц при Огиз = = — 10 В не более.................. Емкость эмиттера па гастоте 2 МГц при бриз = 0 В не более Предельные эксплуатационные данные Нзпрях<епне коллектор — база Напряхгспие коллектор — эмиттср прз Яз - 10 кОл Напряжение эмиттер — база Ток коллектора; постоянный импульснь и (при ГО = 1О, топщ = 80 нс) Рассеиваемая мощность на коллекторе.
при температуре от — 40 до ж25 С .. при 85' С . Температура перехода Тепловое сопротивление переход — окружающая среда Диапазон рабочей температуры окружающей среды Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарныс п-р-п. Выпускаются в металлическом герьетичном корпусе и имеют гибкие выводы. Масса транзистора не более 0,84 г.
Электрические параметры Обрзтший ток коллектора при Пьй = — 30 В нс более . Обратный ток эмяттера при бриз = 4 В нс более С та ~ ический коэффициент усиления гог.а базы при бгк = 2 Рч 7„=- 400 мЛ нс менее .. Модулг, коэффициента усиления тока оазьг пз чзс оге 100 Мрц прн 6 и = 1О В, 7, =- 30 мЛ ис менее Напряжение коллектор — эмиттер в ршкиме насыщения при Уп = 150 мА, Уз = 15 мЛ ье более Постоянная времени испи обратной связи на чистоте 5 Мг ц при бги = 5 В, !и = 5 мЛ пе более Емкость коллекторпого перехода на частоте 2 МГц при бг,о = 1О В не более . Емкость эмиттерпого перехода на частоте 2 МГц при брио = О В нс более ..
Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор — баэз Напряжение коллектор — эмнттер Напряжение эмиттсо — база Ток коллектора постоянный нхгпу т!снын' Отри г7 = 10 г 80 Рассеиваемая мощность па коллекторе' при техгпературе от — 40 до +25' С . при 85' С Температура перехода Тепловое сопротивление переход †окружаюпг среда Диагщзои рабочей теьшературы окружающей среды В Хиипитоио температуры от аэ Ло ЗЗ' С тгощиоогь спижиетоп линейно. Транзисторы кремниевые плапарные п-р-п, предназначены для работы п схемах электронных вы пгслптель гых машин и других схемах аппаратуры широкого применения, Вгипусквгогся в иге~алли гесьом ггрметнчпом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора нс более 0,84 г. Злехт ри чесюге п ар а меч ры Прсдслг ная частота уснтспгпг тока пс хгеч сс Статический хоэгйфицпспг усиления ~оха базы при Ог, = 40 В, 7, = 1 мЛ пс хгенос Модуль коэффициента усилгщия тока базы ра высокой частоте прн Ух = 40 Б, 1, = 20 мд, = 20 МГц пе менее Начз.о~~гид тох коллектора прп бг„., = 250 В Обратный ток эхпгттооз при бгой = — 5 Б Емкость эмн~ ~ейного псреходз при 7 =- 2 МГц, бг,о= 0 В пе более Емкость кочлекториого перехода при 1 = 2 МГц, бгхо = 40 Б пс более 300 мкА 3 мА 300 В 250 В 5 В 100 мЛ Напряжение коллектор — база Нэпрязкепие коплектор — эмиттер Напряжение змиттер — база Ток коллектора .
Мошность аа коллекторе. при телюературс окружающей — '23' С прн 83' С . Температура перехода Обшсе тепловое сопротивлспгс Температура окружаюшей среды . 20 мкА 500 нкЛ среды †40 — : 0,3 Вт 0,323 Вт 150" С 0,2 кС'л1Вт От — 40 до, 53кС ЗО мкЛ 500 лига -1 — 1О'! э 2 В 0,6 В 50 пгр 500 пгр 500 пс 3 мко 300 мА 600 лгА 150 мЛ ЗО В Электрические параметры 25 В 1,5 В пьсэ4 П507А п~ оял 1жсч 1150В 1мрэчэтры П бог 1,5 Вт 85' С От — 55 до +60' С Сзэгичссккн коэффинк ент уснленэя гока бэзы прн 7 к = 250 А, и = з в. кэ па к 20 'С пав — 55'С ке менее прк бо'С не белее . Модуль коэффициента усиления тока базы нэ чэстэзе 20 МГК прк 7,=50 лзл, и,= 1О В ве менее ...,,, ...
лг ю 7Х ю — ыоо 1. 40 — ШО 1д зво Ц вЂ” 4О 52 770 20 — 50 5 240 ВΠ— эсс 21 500 4,5 5,0 О,О 3,0 36 | 360 Предельные эксплуатационные данные Л607, П6О7А, Л6ОЗ, Л6ОЗА, Л609, ЮИА Транзисторы германиевые конверсионные р-л-р, Выпускаются в металлическом герметичном корпусе со стскляпнымн изоляторами и имеют жесткис выводы.
Масса транзистора нс более 12 г. Обратный ток коллектора прп Укб = 30 В пе более: при 20 С при 60' С не более Несггзбил~ ность обратного зо а ко,1.1ечгорэ за 1Π— 20 с пРн Укз — 30 В не бозсе . Обратный ток эмиттера при 1/эб = 1,3 В ~с более Нестабильность обратно~ о тока эмпт~ 'ра зз 1О— 20 с при У,б =1,3 В не бел с Начальный зок ко.шекзора прп 17ээ= 23 В нс более Нестабильность статического коэффициента усиления гока базы прн гк = 250 ы г, ӄ— 3 В пе более Напряжение коллектора, при которозз наступает переворот фазы базового тока, при 1, = 100 мЛ не менее Напряжение между коллектором и змигтсром в ре.
жиме насышения при 1„= 200 мЛ не более Напряжение между базой и эмигтерон в режиме насыщения при !, = 200 мА не более...., . Емкость коллектора при Укб = 1О В, 7' = 5 МГц не более . Емкость эмиттсрз при Уэб= 0,5 В, 7 = 5 МГц не более Постоянная времени цепи обратной связи при У, = 100 мА, У,б — †В, ~ =- 5 МГц не более Время рассасывания при У, = 200 мЛ пе более Предельные эксплуатационные данные Ток коллектора . Импульсный гок коллектора Импульсный ток базы Напряжение между коллектором и базой.....
Напряжение между коллектором и эмитгером при 7г5 = 1ОО Ом 1 Напряжение между эмиттером и базой....... Мощность на коллекторе э при 17кб = 20 В и температуре от — 55 до -1-40' С Температура перехода Диапазозз рабочей температуры окружаюшей среды 20 В прк теыперзтуре 50' С, Яб = 10 Ои. ' Прн высоких гэчперэтурэк корпуса в больших напрвженаяк предель злую ызщвость определяют по графикам.
ГТ612А Раздел девятнадцатый ГТЕ!2 Эмцт ГТ7О1А 77рл Бага емдады 10 мкА 10 мкА 5 — 6,3 7 пс 3,5 пф 6 ад ЗО мУ 0,2 Вт 50 ",У 12 В 0,2 В 120 мА 10 50 к1'ц 100 В 90 В 570 мВт 100' С 70' С 360 мВт От — 55 до -1-70' С 12 А 150 нА 55 В 100 В ,осга ачпульса 362 363 Транзисторы германиевыс планарпые лср и. Выпускаюгся на керамической подлогккс. Масса не более 0,2 г. Электрические параметры Обратный ток коллектора при гу„з = 12 В Обратиьш ток эьгигтера при гу,з = 0,2 В Модуль коэффициента усиления тока базы на частоте 300 МГц, при 1!к = 5 В, 7, = =50мА Постоянная времени цепи обратной связи на часто~с 300 МГц, при 77, = 5 В, 7а = = 50 мА ие более Гмкость коллектора на частоте 1О мГд при гук = 5 В не более... Выходная мощность в режиме автогснсрагора на частоте 2000 МГц при 77, = 3 В, 7, = = 90 мА Предельные эксплуатационные данные Напряжение коллектор — база при температуре от — 55 до +70* С Напряжение эмиттер — база Ток коллектора при температуре 20 о' С....
Рассеиваемая мощносщ па коллекторе' при работе в качестве усилителя мощности (при 71 = 65ао, гр " 1) и в качссгвс авгогеператора (при ц 27оМ гр = 2, Т = 2о' С) Температура перехода Температура корпуса Мощность в статическом рсжитге (при Т = 25' С) Диапазон рабочей температуры окружающеи среды В диапазона температуры от ЗЬ до 70' О асаксясгатьа ы зсощаост~ рассчитывается по формула ссв — 1 ,«с = гзз ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ НИ ЗКО Ч АСТОТН Ы Б Т жнзпстор гермапиевьпг сплаппой р л р. Предназначен для раб~ты в системах зажигания двигателей внутре;пего сгорания.
Особенностью транзистора является возможногп, нриасес ения его в условиях импу тьсных перегрузок по напряжению з ьгощпости, Выпускается в металлическом корпусе. Масса транзистора не более 25 г. Электрические параметры Обратпыи ток коллегтооа гри 1/кт =- 60 В пе более при температуре 70 и — 55' С Ток коллектора запертого тряпзисгора при гуаз = = 100 В, гув. = 1,5 В и 70' С пе более .
Стати:щскпй котф рн; испг усиления тока базы при Бк = 2 В, 7а = 5 А пс т;спас..... Предельная час~пуз усиления гока гри 7, = 100 а~уз, гуа =- 20 В пе з|сгсе Напряженно вез му ~ оллск щютс и эчятте1юм, при котором происходит псрсворос фазы базового тока, при ! —.— 2,5 А пе а~с;юе при 70 С Предельные эксплуатационные данные Ток коллектора Ток базы в рсжпзс рэссзсопсзппя Напряжение зс к» ко,щщнором и втсп~герон Импульсное изч яа,спас ае;кту коллск оро с и эмиттсроч ' Прас зопарак "со а сос ' са а ас чса, с О,Э В, длатазы 15 В 50 Вт 25 Вт 3,3 Вт 35' С От — 55 до +70' С 1,2' С/Вт го бг 0 б В 10л О О,г Оа абв ИхоЛиые хар,гктеристи- ки 0 0 В гг гб В В ° к гдггы х р ктсрис- тики сии г . ба»ы ог , и.
20 ТВ 100 1га !г 100 ба вмиаттеа га а г г 1 б б 1 В бш агг иной р,ысмпыс»готг ггииг с и. 500 мкА 50 мкА 30 — 70 50 — 100 20 — 45 77 12 10 Т70 гл 10 кГц !2 0,7 — 1,4 Л ИВ,ВВ 0,6 В 1ак. макс 1,0 В Цгз.макс !О 20 ВО 00 ба ВО 70 ВО ВОВ -Ва — аи 0 -Игб Ебб "а 3 .»се с,Го~у а. и пг 365 334 0 1 В б 7 в и Тв 1б 17 10 Оггрелеагеьис гсоооогги ~сггта иест бил„иосси схемы. Обласги »стоб ииост р гботсг.
1, 2 — при температур. 2б и 70 С: 3, а — при тскпературс 23 и 70' Г и и».пу гиспоы жи»го. Н пряжение межчу эмиттером и базой Мошность на коллекторе. при 25' С прк 55' С . при 70' С Температура перехода диапазон рабочен темпсрагуры корпуса Тепловое сопротивление переход †корп ГТ703А, ГТ703Гз, ГТ703гр, ГТ703Г, ГТ703Д Транзисторы германиепые сплавные р-п-р. Предназначены для работы в выходных каскадзх УНИ1. Выпускагогся в металлическом герметичном корпусе. Масса транзистора пс болео 15 г. угаллектага Т7 70.7 Электрические параметры Обратный ток коллектора ' нс более ........
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
