14-04-2020-ЭЛЕКТРОННАЯ-ТЕХНИКА-МОСКАТОВ (1171925), страница 11
Текст из файла (страница 11)
Ic2 = f (Ua); Ia = f (Ua).IaIc2IaIc2Ua'Ua''Рис. 137UaРис. 138При напряжении на аноде, равном нулю, все электроны, вылетающие из катода, перехватываются экранной сеткой. Ток экранной сетки будет максимален, а ток анода – равен нулю.Е. А. Москатов. Стр.
64При увеличении напряжения на аноде электроны начинают достигать анода, за счёт чего токанода увеличивается, а ток экранной сетки уменьшается.При определённом напряжении Ua` скорость электронов, а, значит, и их кинетическая энергия достигают величины, достаточной для вторичной эмиссии с анода. Но т. к. напряжение нааноде при этом меньше, чем на экранной сетке, вторичные электроны, вылетающие из катода,будут притягиваться к экранной сетке, за счёт чего ток экранной сетки увеличивается, а токанода уменьшается.При напряжении Ua``, которое больше, чем напряжение на экранной сетке, вторичные электроны возвращаются в анод, ток анода увеличивается, а ток анодной сетки Ic2 уменьшается. Врезультате этого, на анодной характеристике образуется провал.Провал анодной характеристики в результате вторичной эмиссии с анода называется динатронным эффектом.Вследствие динатронного эффекта происходит сильное искажение усиливаемого сигнала.
Засчёт введения экранной сетки в тетроде коэффициент усиления увеличивается до несколькихсотен. Экранная сетка уменьшила проходную ёмкость, что значительно улучшило частотныесвойства тетрода, но за счёт искажения формы сигнала тетроды применяются очень редко.От динатронного эффекта можно избавиться двумя путями.1 путь. Создать между экранной сеткой и анодом большую плотность электронного потока,чтобы получившийся объёмный отрицательный заряд препятствовал вторичным электронампопадать на экранную сетку.2 путь.
Ввести между экранной сеткой и анодом третью, дополнительную сетку с нулевым потенциалом.Первый путь применяется в лучевых тетродах, второй – в пентодах.3) Лучевой тетрод. Принцип действия лучевого тетрода основан на том, что электроны откатода к аноду пролетают в виде узких лучей с высокой плотностью электронного потока.На рисунке 139 изображён разрез тетрода, а на рисунке 140 – разрез лучевого тетрода.АЛучеобразующаяпластинаЭ.С.У.С.КРис. 140Рис. 139На рисунке 140 лучеобразующая пластина является экраном и находится под напряжением катода.
За счёт этих пластин электроны к аноду летят в виде лучей, плотность потока увеличивается, и динатронный эффект практически устраняется. На рисунке 142 изображено УГО лучевого тетрода.АUc5IaЭ.С.Uc4У.С.Uc3Uc2Uc1UаРис. 141Н.Н.Рис. 142КЕ. А. Москатов. Стр. 65ПентодПентодом называется электровакуумный прибор с тремя сетками: управляющей, экранной иантидинатронной. Антидинатронная (защитная) сетка располагается между экранной сеткой ианодом и соединяется с катодом, т.
е. находится под нулевым потенциалом.Принцип действия.Защитная сетка перехватывает линии напряжённости поля экранной сетки, которые направлены к аноду, за счёт чего между анодом и защитной сеткой создаётся тормозящее поле для вторичных электронов, вылетающих из анода. Они возвращаются, и динатронный эффект полностью устраняется.АUc5Ia+Uc4Uc3+ссс+++Рис. 143Uc2+Uc1UаРис. 144Защитная сетка ещё сильнее ослабила влияние поля анода на катод, что позволило увеличитькоэффициент усиления до нескольких тысяч. В пентодах защитная сетка уменьшила проходную ёмкость, что ещё более улучшило частотные свойства.Маркировка.61Ж21 П3 4Система маркировки пентодов аналогична системе маркировки электровакуумных диодов.Определённая буква во 2 группе показывает, что данный прибор из себя представляет.
БукваЖ – высокочастотный пентод, П – мощные выходные пентоды и лучевые тетроды, К – пентоды с удлинённой анодно-сеточной характеристикой.Кроме рассмотренных выше приборов, существуют многосеточные лампы с 4, 5 и 6 сетками.Буква A, например, во второй группе показывает, что перед нами гексод. Эти лампы являютсячастотопреобразовательными.Кроме многосеточных, существуют комбинированные лампы, например, диод-триод (букваГ), диод-пентод (второй элемент – буква Б), триод-пентод (второй элемент – буква Ф).Цифровая микросхемотехникаОсновы микроэлектроники1) Классификация и УГО интегральных микросхем (ИМС).2) Элементы и компоненты гибридных ИМС (ГИС).3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС.Е.
А. Москатов. Стр. 661) Классификация и УГО интегральных микросхем.ИМС – микроэлектронное устройство, выполняющее функции целой электрической схемы ивыполненное как единое целое.Классифицируют ИМС по следующим признакам:1. По технологии изготовления: Плёночные – это ИМС, у которых все элементы выполнены в виде тонких плёнок,нанесённых на диэлектрическое основание, т. е. подложку. Гибридные (ГИС) – это ИМС, у которых пассивные элементы выполнены по тонкоплёночной технологии, а активные элементы выполнены как отдельные, навесные,бескорпусные. Полупроводниковые ИМС – это микросхемы, у которых все элементы «выращены»в кристалле полупроводника.2.
По способу преобразования и обработки информации имеется два вида ИМС: Аналоговые ИМС – с непрерывной обработкой информации (смотрите процесс, запечатлённый, на рисунке 145); Цифровые ИМС – с дискретной обработкой информации (смотрите рисунок 146).UUРис. 145tРис. 146t3. По степени интеграции:К = lg NN – количество элементов в одном корпусе микросхемы.Система обозначений ИМС.К 155 Л А 7К 226 У Н 412 3 41 – серия ИМС. В одну серию объединяются ИМС, разработанные на основе единых схемотехнических решений и выполненные по одной технологии.
Первая цифра серии - технологический признак ИМС:1, 5, 7, 8 – полупроводниковые ИМС;2, 4, 6, 8 – гибридные ИМС;3 – все прочие.2 – группа ИМС по функциональному назначению:У – усилителиГ – генераторыА – формирователи сигналовЕ – вторичные источники питания (ВИП)Х – многофункциональные схемыЛ – логические схемыТ – триггерыИ – схемы цифровых устройствВ – схемы вычислительных устройств и микро ЭВМР – элементы памятиЕ. А.
Москатов. Стр. 673 – подгруппа, уточняющая функциональный признак. В ней обозначения могут записыватьсятак: УН, УВ, УН, УТ, УД. УН, например, обозначает «усилитель низкочастотный».4 – вид ИМС по своим электрическим параметрам (для аналоговых ИМС) или же дальнейшееуточнение функций (для цифровых ИМС).К155ЛА3 – 4 элемента 2И-НЕ. КР, КМ – разновидность корпуса, из чего сделан.2) Элементы и компоненты ГИС. Одним из основных элементов ГИС являетсяподложка из стеклокерамического материала.
Форма всегда прямоугольная. К подложкепредъявляются высокие требования по чистоте обработки поверхности, по химической стойкости и электрической прочности.Контактные площадки и соединительные проводники.Контактные площадки предназначены для обеспечения электрического контакта междуплёночными элементами и соединительными проводниками, а также между плёночными и навесными элементами.КонтактнаяплощадкаПров одникRМеталлР ис. 147Контактные площадки чаще всего изготавливаются из алюминия, потом медь, реже серебро,золото.
Для улучшения адгезии (прилипания) между проводником (контактной площадкой) иподложкой их напыляют на подслой из никеля.Плёночные резисторы имеют прямоугольную форму (смотрите рисунки 148, 149).RRР ис. 148Р ис. 14 9При необходимости получить большую величину сопротивления допускается их изготовлятьв виде меандра. Материалами для изготовления резисторов служит никель, нихром, металлокерамика.Плёночные конденсаторы представляют собой плёночную трёхслойную структуру, между которыми наносится диэлектрическая плёнка.
Для обкладок применяют алюминий, медь, режесеребро, золото. В виде диэлектрика наносится окись кремния (SiO2; SiO), моноокись германия (GeO), окись тантала (Ta2O5). Не рекомендуется, но допускается для получения большихёмкостей напылять многослойные конденсаторы.Очень редко применяются плёночные катушки индуктивности (смотрите рисунок 150).Р ис . 1 5 0Е. А.
Москатов. Стр. 68Навесные элементы – диоды и транзисторы могут быть с гибкими или жёсткими выводами.Применение навесных элементов с жёсткими выводами затрудняет процесс проектированияинтегральных микросхем. Но жёсткие выводы позволяют автоматизировать процесс сборки.3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС. Основой полупроводниковой ИМС является подложка из кремния обычно p-типа проводимости. В основе изготовления полупроводниковых ИМС лежит диффузионно-планарная или эпитаксильно-планарнаятехнология. Оба эти метода предусматривают создание внутри полупроводника (т.
е. вподложке) островков с чередующимися слоями p- и n-типа проводимости (смотрите рис. 151,152).RК БЭАКnnppnpnpnppnПодложка S i (p)Рис. 152Р ис. 151Булева алгебраПростейшие логические функциии логические элементы1) Логические функции и их реализация.2) Схемотехника простейших логических элементов.3) Характеристики и параметры цифровых ИМС.1) Логические функции и их реализация.1. Логическое отрицание (или инверсия).
Записывается эта функция так: y x . Данная функция реализуется логическим элементом, который называется инвертором или же элементом НЕ (смотрите рис. 153).1xРис. 153yxy0110Рис. 154Каждый логический элемент характеризуется таблицей состояний на входе и выходе, которуюназывают таблицей истинности. Таблица истинности для элемента НЕ изображена на рисунке154.2. Вторая наша логическая функция называется дизъюнкцией, или логическим сложением.y x1 x2 ...
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
