14-04-2020-ЭЛЕКТРОННАЯ-ТЕХНИКА-МОСКАТОВ (1171925), страница 7

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 7)

Так как этоуравнение линейное, выходная динамическая характеристика представляет собой прямую линию и строится на выходных статических характеристиках (смотрите Рис. 77).Iб4IКI КНIб3РТIКоIб2Iб1EкUКЭоURКUкэРис. 77Две точки для построения прямой находятся из начальных условий.Iк при Uкэ=0 называется током коллектора насыщения. Выходная динамическая характеристика получила название нагрузочной прямой. По нагрузочной прямой можно построить входную динамическую характеристику. Но поскольку она очень близка к входной статической характеристике при Uкэ>0, то на практике пользуются входной статической характеристикой.Точка пересечения нагрузочной прямой с одной из ветвей выходной статической характеристикой для заданного тока базы называется рабочей точкой транзистора.

Рабочая точка позволяет определять токи и напряжения, реально существующие в схеме.3) Ключевой режим работы транзистора (транзистор в режиме ключа). В зависимости от состояния p-n переходов транзисторов различают 3 вида его работы:Режим отсечки. Это режим, при котором оба его перехода закрыты (и эмиттерный иколлекторный). Ток базы в этом случае равен нулю. Ток коллектора будет равен обратному току. Уравнение динамического режима будет иметь вид:Е. А. Москатов.

Стр. 39Uкэ = Eк - Iкбо ∙ RкПроизведение Iкбо ∙ Rк будет равно нулю. Значит, Uкэ → Eк.Iб4maxIКIКНРТ.насIб3IIIIIIб2IкбоIб1РТ.отсUКЭ.отсUКЭ.насEк UкэРис. 78IРежим насыщения – это режим, когда оба перехода – и эмиттерный, и коллекторныйоткрыты, в транзисторе происходит свободный переход носителей зарядов, ток базы будетмаксимальный, ток коллектора будет равен току коллектора насыщения.Iб = max; Iк ≈ Iк.н.; Uкэ = Eк – Iк.н ∙ RнПроизведение Iк.н ∙ Rн будет стремиться к Eк.

Значит, Uкэ → 0.Линейный режим – это режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторныйзакрыт.Iб.max > Iб > 0;Iк.н > Iк > IкбоEк > Uкэ > Uкэ.насКлючевым режимом работы транзистора называется такой режим, при котором рабочая точкатранзистора скачкообразно переходит из режима отсечки в режим насыщения и наоборот, минуя линейный режим.+EкRкUв х0t1EвыхRбVT1t2tUв ы хЕкUвхIбttРис. 79Р ис.

80Резистор Rб ограничивает ток базы транзистора, чтобы он не превышал максимально допустимого значения. В промежуток времени от 0 до t1 входное напряжение и ток базы близки кнулю, и транзистор находится в режиме отсечки. Напряжение Uкэ, является выходным и будетблизко к Eк. В промежуток времени от t1 до t2 входное напряжение и ток базы транзистораЕ. А. Москатов. Стр. 40становятся максимальными, и транзистор перейдёт в режим насыщения. После момента времени t2 транзистор переходит в режим отсечки.Вывод: транзисторный ключ является инвертором, т. е.

изменяет фазу сигнала на 180º.Эквивалентная схема транзистора1) Эквивалентная схема транзистора с ОБ2) Эквивалентная схема транзистора с ОЭ3) Эквивалентная схема транзистора с ОК4) Транзистор как активный четырёхполюсник1) Эквивалентная схема транзистора с ОБ. Эквивалентная схема транзистора можетбыть построена на основании того, что сопротивление открытого эмиттерного перехода составляет десятки Ом.rэ = n ∙ 10 Омrб = n ∙ 100 Омrк = n ∙ (10 ÷ 100) кОмIэIвх=IэIвых=IкVT1UвхUвхЕэrкrбRнIбrэIэIбЕкRнIкРис. 81U вx Urэ  Urэ Iэ  rэ  Iб  rбIэ  Iк rэ  rб  rэ  (1   )  rбI вxIэIэIэ(1   ) → 0Rвх = rэ = n ∙ 10 ОмRвх 2) Эквивалентная схема транзистора с ОЭ.IэIбUвхVT1 IкЕбIэrкrэRнUвхrбIбЕкIэIкРис.

82Е. А. Москатов. Стр. 41RнU вx Urб  Urэ Iб  rб  Iэ  rэIб  Iк rб  rэ  rб  (1   )  rэI вxIбIбIбRвх Rвх ≈ n ∙ (100 ÷ 1000) Ом3) Эквивалентная схема транзистора с ОК (эмиттерный повторитель). IбrбIбVT1 IкUвхRнUвхЕбIэ ЕкIбrкrэIкRнIэРис. 83Rвх U вx Urб  Urэ Iб  rб  Iэ  ( rэ  Rн )Iэ  ( rэ  Rн)( Iк  Iб )  ( rэ  Rн) rб  rб  rб  (1   )  (rэ  Rн)I вxIбIбIбIб4) Транзистор как активный четырёхполюсник.Любой транзистор независимо от схемы включения обладает рядом параметров, которые возможно разбить на две группы: Предельные параметры – все максимальные значения Параметры транзистора в режиме малого сигнала.Данные параметры объединяются в несколько систем параметров, которые можно определить, представив транзистор в виде активного четырёхполюсника.Четырёхполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее 2 входных и 2выходных зажима.Активным четырёхполюсником называется четырёхполюсник, способный усиливать мощность.Представим транзистор в виде активного четырёхполюсника.I1I2U1U2Рис.

84Присвоим входным току и напряжению индекс «1», а выходным индекс «2». Для транзисторовдостаточно знать две любые переменные из четырёх – U1, U2, I1, I2. Две остальные определяются из статических характеристик транзистора. Переменные, которые известны или же которыми задаются, называются независимыми переменными. Две другие переменные, которыеЕ. А. Москатов. Стр.

42можно определить, называются зависимыми переменными. В зависимости от того, какие изпеременных будут выбираться в виде независимых, можно получить различные системы параметров в режиме малого сигнала.Таблица 1Независимая переменнаяЗависимая переменнаяСистемаI1 I2U1 U2zU1 U2I1 I2yI1 U2I2 U1hСистема h-параметров транзистораY-параметры1) h-параметры и их физический смысл2) Определение h-параметров по статическим характеристикам3) Y-параметры транзисторов1) h-параметры и их физический смысл. В системе h-параметров в виде независимыхпеременных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f (I1, U2); I2 = f (I1, U2).

Полный дифференциал функций U1 и I1 равен{дU1дU1⋅dI1⋅dU2дI1дU2дI2дI2dI2= ⋅dI1⋅dU2дI1дU2dU1=дU1=h11дI1дU1=hдU2 12дI2=h 21дI1дI2=h 22дU2{dU1=h11⋅dI1h12⋅dU2dI2=h21 ⋅dI1h 22 ⋅dU2Перейдём от бесконечно малых приращений dU1, dI1, dU2, dI2 к конечным приращениям. Получим:U 1  h11  I1  h12  U 2I 2  h 21  I 1  h22  U 2Е. А.

Москатов. Стр. 43В режиме малого сигнала приращение постоянных составляющих ΔU1, ΔI1, ΔU2 и ΔI2 можнозаменить амплитудными значениями переменных составляющих этих же токов и напряжений.Получим:Um1  h11  Im 1  h12  Um2Im 2  h21  Im 1  h22  Um 2(1)В первом уравнении системы (1) приравняем Um2 к 0. Получим:Um1 = h11 ∙ Im1  h11 = Um1 / Im1h11 – это входное сопротивление транзистора при Um2 = 0 то есть при коротком замыкании ввыходной цепи по переменному току (конденсатором).В первом уравнении системы (1) приравняем Im1 к 0. Получим:Im1 = 0Um1  h12  Um2  h12 Um1Um2h12 – представляет собой коэффициент обратной связи на холостом ходу во входной цепи попеременному току.

Коэффициент обратной связи показывает степень влияния выходногонапряжения на входное (катушкой индуктивности).Во втором уравнении системы (1) приравняем Um2 к 0. Получим:Um2 = 0Im2 = h21 ∙ Im1h21 = Im2 / Im1h21 – коэффициент усиления по току транзистора или коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи по переменному току.Приравняем во втором уравнении системы (1) Im1 к 0. Получим:Im2 = h22 ∙ Um2h22 = Im2 / Um2h22 – выходная проводимость на холостом ходу во входной цепи.2) Определение h-параметров по статическим характеристикам. Так как статические характеристики транзисторов измеряются только на постоянном токе, то при определении амплитудных параметров токов и напряжений представим в виде приращения постоянныхсоставляющих.h11 U 1при U 2  ConstI 1h12 U 1при I1  ConstU 2h 21 I 2при U 2  ConstI1Е.

А. Москатов. Стр. 44h 22 I 2при I1  ConstU 2Величины h11 и h12 определяются по входным характеристикам транзистора. Рассмотрим графоаналитическое определение h параметров на примере схемы с общим эмиттером. Ввидутого, что транзистор всегда работает с входным током, требуется пользоваться входными ивыходными характеристиками (смотрите Рис. 85 – 87). Будем считать, что нагрузочное сопротивление каскада будет одинаковым и для постоянного, и для переменного тока. Требуемый hпараметр рассчитывается из приведённых ниже формул. Из рисунков видно, что подставляемые в формулы данные находятся путём проекции точек на оси координат.IбUкэ1=0Uкэ2>0IбIб=constIб2Uкэ1=01Uкэ2>02Iб1Uбэ1Uбэ2UбэUбэ1Рис.

85Iк2Iк21Iк1Uбэ2UбэРис. 86Iб4IкIб3Iк2Iк1Iб3Iб2=const21Iб2Iб1Uкэ=consta)h11э Uбпри Uкэ  ConstIбh11э U бэ2  Uбэ1Iб 2  Iб1h12 Iб1UкэUкэ1Рис. 87Uбэпри Iб  ConstUкэЕ. А. Москатов. Стр. 45Uкэ2б)Uкэh12 э Uбэ 2  Uбэ1 Uбэ 2  Uбэ1т . к . Uкэ1  0Uкэ2  Uкэ1Uкэ2Параметры h21 и h22 определяются по выходным характеристикам (смотрите Рис.

87).h21 э Iк 2  Iк1Iб3  Iб 2h21 э Iк 2  Iк1Iбh22э Iкпри Iб  ConstUкэh22э Iк 2 - Iк1Uкэ2 - Uкэ13) Y-параметры транзисторов.Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. С помощьюпараметров можно оценивать качество транзисторов, решать задачи, связанные с применениемтранзисторов в различных схемах, и рассчитывать эти схемы.Для транзисторов предложено несколько различных систем параметров, у каждой свои достоинства и недостатки.Все параметры делятся на собственные (или первичные) и вторичные.

Собственные характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы его включения, а вторичные параметры для различных схем включения различны. Основные первичные параметры: коэффициент усиления по току α, сопротивления rб, rэ, rк.Y-параметры относятся ко вторичным параметрам.

Характеристики

Список файлов учебной работы