Щука А.А. Электроника (2005) (1152091), страница 80
Текст из файла (страница 80)
Интегральные схемы зарубежного производства не имеют единой системы. Так обозначения интегральных микросхем РВО ЕЬЕКТКОХ получили распространение в большинстве фирм-производителей интегральных микросхем европейских стран (Англии, Италии, Испании, Швеции, Франции, ФРГ и т. д.). Код состоит нз трех букв, за ними следует серийный номер (например, ЕУН121). Для одиночных микросхем маркировка будет следующей. Первый элемент — буква, отражающая принцип преобразования сигнала: Е) К вЂ” цифровой; Е) Т вЂ” аналоговый; Е) Ы вЂ” аналогово-цифровой.
Второй элемент — буква, выбираемая фирмой-изготовителем и не имеющая специального назначения. Исключение составляет буква Н, которой обозначаются гибридные микросхемы. Для семейств (серий) цифровых микросхем первый и второй элемент — это буквы, отражающие схемотехнологические особенности: Ы ГР— МОП-схемы; ЕЬ вЂ” стандартные '1ТЛ-схемы; '-З ЕΠ— ДТЛ-схемы; С) ГУ вЂ” ЭСЛ-серия; ОА — маломощные ТТЛ-схемы; ья ОР— МОП-схемы; ья Оà — стандартные ТТЛ-схемы; ьз О) — быстродействующие ТТЛ-схемы; ОМ вЂ” мщюмощные ТТЛ-схемы с диодами Шотгки; НВ -- комплементарные МОП-схемы серии 4000 А; НС вЂ” комплементарные МОП-схемы серии 4500 В. Третий элемент — — буква, обозначающая диапазон рабочих температур или другую важную характеристику: А — температурный диапазон не нормирован;  — от 0 до +70 'С,' С - — от -55 до ь125 *С; Е) Р— от — 25 до е70 'С; ЬЗ Е вЂ” от — 25 до е85 'С; Часть И.
Микроалвктроника Р— - от -40 до +85 'С; 'з Π— от -55 до ч85 'С. Четвертый элемент — четыре цифры, обозначающие серийный номер. тромс того, за цифрами может следовать буква для обозначения разновидности основно.о типа Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами. ,")ри двухбуквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая 5уква обозначает конструкцию; Э С вЂ” цилиндрический корпус; з р — — с двухрядным параллельным располозкением выводов (Р!Р); Š— мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); 3 Р— плоский с двусторонним расположением выводов; Π— плоский с четырехсторонним расположением выводов; К вЂ” — корпус типа ТО-3; М вЂ” многорядный (больше четырех рядов); 3 Π— с четырехрядным параллельным расположением выводов; Л К вЂ” мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); 8 — с однорядным расположением выводов; Т вЂ” — с трехрядным расположением выводов, Вторая буква показывает материал корпуса: 3 6- — стеклокерамика; Д М вЂ” металл; 3 Р— пластмасса„.
Х вЂ” прочие. Обозначения корпусов с одной буквой следующие: 3 С -- цилиндрический; 3 Π— керамический; Р†-плоский; И вЂ” ленточный кристаллолержателги Л Р вЂ” пластмассовый О!Р; Π— с четырехрядным расположением выводов; Т вЂ” миниатюрный пластмассовый; Π— бескорпусная ИС. Б.З. Основные параметры интегральных схем цля сравнения различных типов микросхем используют такой параметр, как произвел чие задержки переключения на мощность.
Чем меньше эта величина, тем выше качеств во интегральной схемы. Чем меньше этот параметр, тем более чувствительна интегршзьна" .хема к выходной нагрузке. б Интегральные схемы и их классификация 375 К основным параметраль интеграль,ных схем относятся следуьощпе: гз Макспиаэьиое вхаоиае ььапрььжеьььье бь„, „„„, — - наибольшее зна'ьсние входного напряжения интегральной схемы, при котором выходное напряжение соответствует заданному значению.
ГЬ МпппщаявтЬг ВХадпае ЬЬазгряжВНиг Ь;,„ии, — Наныси~щсс ЗНаЧЕНИЕ Вкадиатс Налряжсния интегральной схемы, при котором выходное напряжение соответствует заданному значению. 3 Ч~вспьвиьпвэььнаспьь 5 — - наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям. Д Диапазон вхадпых напряжений дьбь„, — интервал значений напряжений от минимального входного напряжения до максимального, Вхсдиав иаиряэкгииг ~l„,„п — значение напряжения на входе интегральной схемы в заданном режиме, сэ Напряаееииг сльеьтвиия С',и — — значение напряжения постоянного гока на входе интегральной схемы, при котором выходное напряжение равно нулю. ь3 Максимальисг вьыодисв иапря,игеиие (~'„ы „„,, — наибольшее значение выходного напряжения, прн котором изменения параметров интегральной схемы соответствуют заданным значениям Г3 Мииииахлиое выходиав ььапряяевььььв Ь'„„,„„„— наименьшее значение выходного напряжения, при котором изменения параметров интегральной схемы соответствуют заданным значениям.
Вььхадььав иаира;жвьпье баланса У„„„в, - — значение цапряькения постоянного гока на каждом выходе ни~стрельной схемы оз.носительно общего вывода, когда напряжение между выходами равно нулю. ЬЭ Напряжвшьг срабатываиия К,„; — наимсныцее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход интегральной схемы из одного устойчивого состояния в другое. Папряаегьше опшускаиия Ц„„„ — наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход интегральной схемы из одного устойчивоь о состояния в другое.
Мииииьмыьое прллюе иапрлжеиие иа переходах ьбь, „„„— наименьшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров интегральной микросхемы. Максигпаьлиав абраииюе иапрпэкжьшг иа переходах 6',„;,, „„„— наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока. кь Напрязгвььиг логической едшищы Н вЂ” значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "озрицательной" логики. Напряэкеииг логического иэпп сР— значение низкого уровня напряжешья для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики.
~1 Нирагсвие иаприакешье логический едшишы Н„ч, — наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики или наибольшее значение низкого уровня напряжения лля "отрицательной" логики на входе интегральной схемы, при ЗТВ Часть //. Микроэлектроника котором происхолит переход интегральной схемы из одного устойчивого состояни~ в другое. Р г/ Пороговое иалряжвиие логического пуля Ь„„, — наибольшее зна'шине низкого уровня напряжения для "положительной" логики или наименьшее значение высокого уровня напряжения лля "отрицательной" логики на входе интегральной схемы, при котором происхолит переход интегральной схемы из одного устойчивого состояния в другое. г/ Вхадяай ли>к /,, — значение тока, протекающего во входной цепи интегральной мик росхемы в заданном режиме.
Д Выходной так /„„в — значение тока, протекающего в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме. /З /г/аксииальный' вьтадиай ток 1„„,„„„„,— наибольшее значение выходного тока, прр1 котором обеспечиваются заданные параметры интегральной схемы. уииииаяьиый выходной ток 1,„,„„„— наименьшее значение выходного тока, при котором обеспечиваются заданные параметры интегральной схемы.
О Входяои ток логической вдщшиы ! — входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы. СЗ Входной ток логического нуля / — входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля. Ы Выходной ток яогичвскаи едииииы /,, выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы.
б/ Выходкой так логичвскога яуяя Т,„,„--. выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля. Ы Так утечки иа входе 1„„„, — значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах. С3 Так утечки иа выходе /„„,,„-- значение тока в выходной цепи интегршзьной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.
Ы Так погиребяеиия /„„„,— значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме. й Так короткого замыкания 1„,— значение тока, потребляемого интегральной схемой при закорочениом выходе. Ы Так холостого хода Т„значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке. О 11отрвблявиая мои/нос~ли Р„„„,— значение мощности, потребляемой интегральной схемой, работающей в заданном режиме, от источников питания.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
