Щука А.А. Электроника (2005) (1152091), страница 79
Текст из файла (страница 79)
6.3. Продопжбниб Зг)(Гар с еск (ГС) 3212Прицоумп и (ГГ) 328 1Ч С (ПС) 3282 Ф (ПФ) 3283Д вп осу (ПД) 3284Н р и (ПН) 32 85М щ с и(ПМ) 3 2.8 БУРШ *(ПУ) 3 2 В 9 ЦАП (ПА) 3 2 8 10 АЦП (ПВ) з г в (1 код-код (пр) ЗгВ)2пр в(ПП) Часть П. Микроэлектрони 368 Зуба« аые а ри З3 ВЫ ИСЛ Вл«ИЫ УС РОГФ Е л та усзра ва ри ало™ Э 4 1 Прообраз*за еп (ЕМ) 3 б Фо о«уа зел«„зм пзс-у родства Зб(Ма р ц 3 3 1 У зр йс бр бот 3 4 2 В«ФР и л (ЕВ) З 3 1 (Ми«РО.ЭВМ (ВЕ) Зб(М р„, е(цм) 3 4 3 стабилиза ар прл е л(ЕН) 3 3 1 2М «ро ро,«ссср ГВМ) 362Л ей ыв(ЦЛ) 3446 аб пматоры о«а (Е Т) 33(ЗМ «ро«апыулп ср (вк) 3 б 3 Про ые (ЦП) 3 4 5 Ус ройс ва у реале и иа рл в е (Е У) 3 3 1 4 Ко РОППЕРЫ (ВГ) 3 3 1 5 Ко б «рова«« ус«ройс ва(ВК) 3 3 1 б с ец ал е ус р йствв(ВЖ) Ззулр ежл) ЗЗ(Т ПРО Е(ВП) 3 32М «рс р ц ри е ом в ы 352 Ком у«а ор 3 3 2 1 Ми ро роме«сор«ив ц (ВС) 3521 Та а(КТ) Зэггус ро с о ми ропрыраы у равле и (Ву) 3522 Напр е и(КН) 3 5 2 ЭГ«ро и (КП) расы р (ВР) 3 53Н б ры ц упраюе ГФ прер вали м (ВН) 3 б 3 1 Д сдав (НД) 3532Тра з старое(НТ) 3 3 2 6 Ус ройс«во д (вывода(ВВ) 3 3 2 Т Ус ройс«во у ра е ЗУ(ВТ) 3 5 3 3 Резне оров (НР) 3 3 2 В ФУ «зны реобразоеа 353«К д* з р (НЕ) 3 5 3 5 Ксмбии роев иыа (НЮ 3 5 3 6 Фу «ц о ал е (НФ) Збэз Про (НП) Рис.
6.3. т)родолженце По отечественному стандарту ГОСТ 18б82-73 им присвоены слелующие инлексы: 11 1, 5, 7 — монолитные; С1 2, 4, б, 8 — гибридные; Р 3 -- прочие. Поузулроеодниноеой (л(онолинзз)оа) интлегральцой с«ел(ой называют ИС, элементы котоР ой выполнены в обьеме и 1нли) на поверхности полупроводниковой полложкк. Олене"т том интегральной схемы считается неотделимая составная часть ИС, выполняющая функн И1О какого-либо электроралиоэлемепта.
б Интегральные схемы и их классификация 4 ПР МЕНЯЕ ОСТ в вилара уре 4.1 Об ЦЕГО Прнцсивию 42 спец алюсш пр мв е ия б Техюлою» производсувз б 1 Кре свая В2Г брид ая б 3 Крсмнии- ерм и евин 6 4 ярсенид-капли свая В 1 1Изолац Я и-Н-лвреходом 641ПТШ- ра зисуорк 62 ! Г бр,диьаИС 62 2 Мн«росбсрки 6 4 2 ПТШ на иоышй имппа уац 61 ! 1П анар озпиюксиальная 6 4 3 Бипспярн е е ерсзра зис ор 6 1 1 2 Ппаюрню с трай ои д«ффузиеи 6446врюкаль ые полезь е граюисшры в \ 1 3 планар а с юллекуивнсй д ффузиен 64 3 Ба ис ювск е ранзис орь 6 1 2 Полн» д з ек р несюя 612ЗКИД.крЕМ Ни в сапфире 6121КВД-зпи-пр Чесс 8 1 7 2 КНД-Изол ц я воздушным зазором 6134омбиииров н а» 6 1 3 3 полиюэнар б 1 3 1 изоп з«ар 6132М ЕХ О С Я 6 ! 4 МДП-увюало ия б 1 4 1 п- впаяю вя 6 1 4 3 ДМДП увхнслоюя 6 1 4 4 Попюремниевы за оры 6142КМОП.
е мшогю 6 1 6 Б полярно-!слезая 6611бнпол р эя с МДП-уранзису 1 и 6 б 1 7 бюапяр ан супса юемьы п и еюдо Рис. В.З. Окснцяние По типу используемых активных злемеитов монолитные ИС подразделяются на: 1.1.1 -. - униполярные (полевые, МДП или МОП); 1,1.2 — биполярные; 1.1.3 — комбинированные (биполярно-полевые). (ГДП ИС в зависимости от типа интегральньух структур подразделяются на: Ьз цп-канальные (1.1.1.1); (Э р-канальные (1ип!.2); Р ком плементарные или КМО11 (1.! .1.3). 11~ Часть )!.
Микроэлектроника ! свою очередь, в зависимости от используемого тина логических структур и конструк. нано-технологических решений бииоллрные ИС делят на: 3 резисторно-транзисторную логику (РТЛ) — 1,1.2.1; диодно-транзисторную логику (ДТЛ) - — 1.1.2.2; транзисторно-транзисгорную логику, в том числе с диодами Шозтки (ТТЛ и ТТЛШ) 1 1.2.3 и 1.1.2.4, соответственно, интегрально-инжекционную логику (И Л) — !.1.2,5; 2 эмиттерно-связанную логику (ЭСЛ) и ее разновидности — 1.1.2,6. ! кох~бклированных ИС одновременно используются бцполярные и полевые транзисторы ~ эта технология получила название БпЧОП (1.! .3.1). поридкой лктегратькоб схемой (!.2) нмывают ИС, в которой элементы и компоненты .ыполнены на диэлектрической подложке.
Под компонентами понимаются миниатюрные ~авесные дискретные электроралиоэлементы. 1ассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены на основе толстопленочной 1.2.1) (с толщиной пленки больше 1 мкм) нли тонкопленочной (1.2.2) технологий, а акивные компоненты выполняются по полупроводниковой технологии и монтируются на юверхность диэлектрической подложки. 1 прочих ИС (1.3) могут быть использованы; 3 вакуумные микродиодные и триодные структуры (ВИС вЂ” 1.3.1); 3 керамические элементы (1.3.2); 3 пленочные активные и пассивные элементы (1.3.3). 1С этой группы промышленных образцов не имеют.
:ледующим независимым признаком классификации является степень интеграции К. !'начеиие К определяется как показатель степени числа элементов Х в ИС: К = )оь|~. кзяые интегральные схеьчы (МИС вЂ” 2.1) содержат до 100 элементов и компонентов иа ристалле (Дг < 2).
.'ргдлве ИС (СИС вЂ” 2.2) содержат до 1000 элементов на кристалле (гу < 3). 'ольшиг интегральные схемы (БИС вЂ” 2.3) содержат до 10 000 элементов на кристалле А'< 4). .вгрхбольигле р)С (СБИС вЂ” 2.4) представляют собой законченное микроэлектронно~ стройство, способное выполнять функции аппаратуры и содержат до 1 000 000 элеменов на кристалле (П < 6). "улыарабохыацм ИС (уБИС вЂ” - 2.5) относят интегральные схемы со степенью интегра !ии У> 6. 1о функциональному назначению интегральные схемы делятся на шесть основных класс~~.
(лфроеыг ИС (3.1) предназначены для обработки сигншюв, заданных в виле дискретнь'х зункций. В свою очередь цифровые ИС делятся на: 3 логические ИС (3.1.1); 3 запоминающие устройства ЗУ (3.1.2); 3 триггеры (3.1.3); устройства для обработки цифровой информации (3.1.4). б, Интегральные схемы и их классификация Иа рис. 6.3 приведеиа классификация ИС, в которой две буквы обозначают фуикциоиальиую подгруппу и вид микросхемы в системе условших обозначений отечественных интегральных схем.
г(кигсгсвыг интегральные схемы (3.2) предиазиа <еиы для обработки сигиалов, заданных в виде иепрерывиой функции. Этот класс ИС подразделяется иа; С) генераторы (3.2.1); 63 усилители (3.2,2); О детекторы (3.2.3): О устройства задержки сигналов (3.2.4); устройства селекции (3.2.5); (3 фильтры частот(3.2.6); О формирователи (3.2.7); О преобразователи (3.2.8); С( модуляторы (3.29). С увеличением степени интеграции ИС увеличилась функциональная сложность микросхем и одиовремеиио уменьшилась универсальность ИС. Появились БИС, функции которой позволяли программировать и хранить цифровью массивы. Класс ИС двя вычислительных устройств получил иазваиие микропроцессоров (3.3.1), серии ИС программно и технологически совместимые получили название мвкрспрсвессорных ксипяек~пов (3,3.2).
Отдельиый класс ИС составляют источники питания (3.4), миогофупкциоиальиые устройства (3.5), фоточувствительные приборы с зарядовой связью (3.6). Сокрашеиие номенклатуры БИС возможио путем создания базового кристалла, представляющего собой матрицу из соедииеииых между собой элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с фуикциоиальиым назначением ИС. Такой класс ИС получил назвав ие базового ва~причнсгс крлслпыда (БК1К вЂ” 3.7).
По примеияемости в аппаратуре иитсгральиые схемы делятся иа схемы общего примеиеиия (4.1) и схемы специальиого назначения (4.2). По конструктивному оформлению ИС подразделяются иа корпусные (5.1) и бескорпусиые (5.2). Существует пять типов корпусов, отличающиеся как формой (прямоугольная, круглая, овальная), так и материалом (пластл1ассовые, керамические, металлостекляипые, ыеталлокерамические, метшзлополимериые). По примеияемосги в аппаратуре интегральные схемы подразделяются иа схемы общего примеиеиия и схемы специального применения По технологии производства монолитных интегральных схем различают несколько типов: 6.1 — кремниевая технология; С) 6.2 --.
арсеиид-галлиевая; 6.3 - — кремиий-гермаииевая. 6.2. Условные обозначения Система условных обозиачсиий типов отсчсствсицых ицтегральиых схем и их маркировка установлены стандартом 1'ОСТ 1107 395-80. В основе системы условных обозначений лежит буквеиио-цифровой кол (рис, 6.4). Часть !I. Минраалентро нина Рис. Бзй Условные обозначения отечественных интегральных схем 1ервый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструкивно-технологическому исполнению: 1, 5, б, 7 — полупроводниковые ИМС; 2, 4, 8— ибридные; 3 — прочие(пленочные, вакуумные, керамические).
)торой элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на юрядковый номер разработки данной серии ИМС. Первый и второй элемент образуют :арию микросхем. третий элемент . две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микро:хсмы, !етвертый элемент- — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы 1 серии.
)ример условного обозначения интегрш1ьной полупроводниковой логической микросхезы "И вЂ” НЕ ) ИЛИ вЂ” НЕ" с порядковым номером разработки серии — 21, порядковым юмером разработки данной схемы в серии по функциональному признаку — — 1. ) обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), опреде~яющие допуски на разброс параметров микросхем и т. и.
1еред первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы: 3 К вЂ” для агшаратуры широкого применения; 3 Э вЂ” на экспорз (шаг выколов 2,54 н 1,27 мм); 3 Р -- пластмассовый корпус второго типа; 3 М вЂ” керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа; 3 Š— металлополимерный корпус второго типа; 3 А — — пластмассовый корпус четвертого типа; 3 И -- стеклокерамический корпус четвертого типа; 3 Н вЂ” кристаллоноситель. 1ля оескорнусных интегральных микросхем перед номером серии может добавлят~ ся 1уква б, а после нее или после дополнительного буквенного обозначения через дсф"с казывается инфра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения: б, Интегральные схемы и их классификация 1 — с гибкими выводами; Е) 2 — с ленточными выводами; С) 3 — с жесткими выводами; р 4 — на общей пластине (неразделенные); 5 — разделенные без потери ориентиров«и (например, наклеенные на пленку); 6 — с контактными площадками без выводов (кристалл).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
