Щука А.А. Электроника (2005) (1152091), страница 78
Текст из файла (страница 78)
Решение Для выполнения этой задачи — нахождения энергий и доз имплантации ионов б Р о ан ой об фосфора — в первую очередь рассчитывают дозы легирования базовой и эмиттерной .онцен ластеи исходя из заданных глуоин залегания коллектора и эмиттера, и средних кон' траций бора и фосфора в этих областях, Расчет производят с учетом величин коэф. ффицн ентов использования при последующем отжнге по формулам; и Далее аналогично тому, как это делалось при рассмотрении разгонки эмиттерной приме~и (фосфора), из величины фактора 0„я <,к определяются режимы разгонки базовой примеси (бора) Злт и <,и. 363 5 Технология производства интегральных схем — 2 длительность процессов имплантации бора (г,) и фосфора (ге) определяют по формулам: 5Мзя 5 г— уаг.
Йф ./м е эе /я где / — плотность тока соответствующих ионов. Примем /а„=ге„,эь5„=1 мкА/см =6,2х10 55он!см с или 6,2х10 см с . Тогда, напри- П 2 мер, при дозе 1,24х10 см длительность процесса будет составлять 55 -2 1,24 1оп ' — „=200 .. 6,2 1О" Таким образом, дозы и ллительности процессов определены. Определение энергий ионов бора и фосфора производят с использованием данных табл. 5.8.
Таблица 5.Я. Зиаче55ия пробегов (1(л] и лисперсии пробегов (Л)(е) в микронах лля ионов бора и фосфора в креъшии Оначача по этим данным выбирают такую энергию ионов бора, которая соответствует значению Ал - 5Л)(л н оь а затем энергия уточняется подбором таким образом, чтобы при "одстановке заданно~о значения с(2 вместо х получалось значение Л(х) = Лм,„ с точностью - 20эж После того как подобрана энергия, строится профиль распрелеления атомов бора.
Подбор энергии ионов фосфора производят аналогично, только за величину Фм„ счита5от концентрацию атомов бора на уже построенном профиле а точке, координата которой Я ИМЕЧ МИР, 1 ь. Как и в случае диффузионного транзистора, построение обоих профилей оора и фосфора производят на одном рисунке с обозначением коорлинат эмиттерного и коллек- торного р — п-переходов. 2. и В работе следует представить данные по расчезу профилей концентрации после диффузии и имплантации в виде таблиц.
Количество расчетных точек па каждом участке профиля должно быть не менее 20 с равномерной разбивкой по координате. Часть !1. Микроэлектроника Если при эмиттерной имплантации с энергией выше 80 —: ! 00 кэВ у поверхности обр разуется область с концентрацией на 2+ 3 порядка величины ниже, чем в максимум следует подобрать режим еще одной имплантации с энергией 20+ 40 юВ и такой д зой, чтобы концентрация фосфора на поверхности была 1О' + 10' см"'. расчет необходимо произвести в программе Ма!!гоаб 2001 Контрольные вопросы 1 Перечислите основные технологические процессы первичной обработки полупроводников, материалов. 2 Что такие процессы литографии? 3 Что такое фотолитография? Какие у нее преимущества и недостатки? 4 Что такое элсктронолгзтография? Какие у нее преимущества и недостатки? 5.
Что гаков иоцолитография? Какие у цее преимушества и недостатки? б. Что такое фошшаблон? Что такое рентгеношаблон'? 7 Что такое рецтгенолитография? Какие у исе преимущества и недостатки? 8. Что шкое эпитаксия? Какие виды эпнтаксии вы знаете? 9.
Расскажите о методе молекулярно-лучевой эпитаксии. 10. Что такое процесс легнровщщя полупроводников? 11. Какие законы, отражающие процесс высокотемпературной лиффузии, вы знаете? 12. Что такое процесс нонной имплантации? 13. Какие функции выполняет пленка диоксида кремния на кремнии? 14. Что такое процесс травления, и какие функции он выполняет? 15. Как классифицируют процесс плазменного травления' ? 16.
Какие процессы метщпизации вы знаете? Охарактеризуйте каждый. 17 Перечислите основные технологические процессы сборки ИС. Охарактеризуйте каждый из ннт. 18. Охарактеризуйте основные этапы изопланарпого технологического процесса МЛП-трэн знсторов. 19. Охарактеризуйте основныс этапы производства ПТВВзранзистаров на основе ионной имплан тации. Рекомендуемая литература 1. Ефимов И. Е., Козырь И. я., Горбунов ГО я Мнкроэлекцюиика, цзизическис и технологические основы, надежность: Учебное пособие. — 2-е изд. — М: Высшая школа, 198б. 2.
Ксиедов Л. А. Технология н конструкции микросхем, микропроцессоров и лгикросборок. У'е пик для вузов. — Мл Радио и связь, 1989. 3. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: учебное пособие лля ву зов под ред. Л. А. Коледова. — Мс Высшая школа, 1984. 4 Евразии А. С., Мочвлкииа О. Р Технология и конструирование интегральных мнкросхсьс ' ' учеб нос пособие для вузов под род.
И. 11. Степаненко. — Мс Ралио и связь, !983. 5. Линч П., Николайлес А. Залачи по г!эизической электронике цол ред. проф. ! В, Скропког" Мс Мир, 1975. б. Интегральные схемы и их классификация 6.1. Классификация интегральных схем )угтлгегравьная схема представляет собой конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и других электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные схемы (ИС) являются основным продуктом микроэлектронного производства.
ИС является элементной базой срсдств элсктронной техники, предназначенной для преобразования, обработки и хранения информации. Условное графическое изображение интегральной схемы зависит от стандарта отдельных выпускающих ИС стран (рис. б. ) ). ЕЕ б) г) в) Рис. 6.1. Условное обозначение интегрального логического элемента типа ИЛИ вЂ” НЕ (МАМО): в — СССР— Россия; б — Германия )старое) О)М 4070о)б; в — США, ОЯ-АЗА, г — Германия (ловов) О)Х 40700пви ) )ЕЕЕ Я)В91 Иа рис. б.2 показан общий вид отечественных интегральных микросхем. Рис. 6.2, Общий вид отечественных интегральных схем Часть Д.Микроэлектроника Збб и еуралм пес м~ Компру у е о.
и ес ое с ал е ие 2 Сте» «Грач Зеуси а ое а еи 3т ц фром е 21 МИС 11М опт е 22 СИС 1" 1У плере 3 1 1 Лс 2 3 БИС 24СБИС 2 6 УБИС 3 1 1 4 И ИЛИ (ЛС) 3 1 1 1 И (ЛИ) 1 1 1 1 И.м«ап «,» 31 1 6 И-ИЕ (ЛА) 3 1 1 2 ИЛИ (ЛЛ) 1.112Р- анап ое 3 1 16 ИЛИ.НЕ (ЛЕ) 3 1 1 3 ЛИ (НЕ) 1113КМОП 3 1 2 ЗУ 1 1 2 БИПОЛЛРиме 3126ПЗУУФ р ра (РФ) 3 1 2 1 ОЗУ (РУ) 1 1 2 1 РТЛ э) г г пэу атр ми б в) з 1 2 у Асссмиес зу(РА) 3123ПЗУИЕСС И М(РЕ) 31263умацмд(РЦ) 1 1 22дтп 1 1 2 3 Ттл 3124 ПЗУ роро (рт) 3 126 ПЗУал рс раем (РР) З126лро И ЭУ(РП) 1 1 2 4 ТТЛЗД 1 1 2 6 ИЛ 1 1 2 б ЭСЛ 3 1 3 Тр ер 1 1 2 У ИПЛ ЗТЗ(жми а(тЛ) 31 3 С О- рисуер (тм) 1Л 2Б МОП ЭП32Д а есме(ТД) 3136)Кури р 3 1 3 ) кс б рава и и 3 " 3 6 Про м (тп) 3 1 3 3 Т- ример(ТТ) 31 за лз-.ри ер (т)') 1 2 Г бр ЛИ Е 1 2 ) То с ла О е 3 1 )ц фро «устройс еа 122Тоимп о « 3 1 4 6 Ко би Ропе У (ИК) Тзлр « 31411 «Тр (ИТ) З(42оумм арм(ИМ) З)4уф фра оР 1 3 1 Ва уум 314ЗП .у умма ар (ИЛ) 3 1 4 В А1У (ИА) 1,3 2 Кара у ес 3 14 2 ПРО е(ИП) 3144С ет и(ИЕ) 1.33ппеио и е 3146Д шифРа сР (ИЛ) Рис.
Б.з. классификация интегральных схем 1см пдодолжеиле) гдиб Ин)егральные схемы можно классифицировать по ряду независимых параметров Об"'" подход к классификации интегральных схем представлен на рис. 6.3. По конструктивно-технологическому исполнению различают три группы ИС: О 1,1 . — монолитные Гполупровоутниковые); О 1.2 — гибридные; О 1.3 — прочие )пленочные, вакуумные, керамические и т. Д.), д Интегральные схемы и ик классификации 3.2) апс ом 32(Геи Р орм з2)зпииеа о сипим си(ГП) 3215спецф р и (ГФ) 3 2 1 8 Про„, (ГП) 3 2 1 4ШУ е (ГМ) 3 2 2 Ус пи Фм 3 2 2 9 И д кац»и (Ум) 3 22 1 Поп сп пою»ока(У7) 3225ПРо в аско и(УР) 3 22 10 О ЕРВЦИО Еа (УД) 3222 иипупес ев(уи) 322БН а 7 ие(УН) 3 2 2 3 Псе»со уеп (УЕ) 3 2 2 11 Д ффео* ц епв е (Ус) 3227 Ширс а псе и*(УК) 32248 ис о аиоупы (УВ) 322аоциу е ваопР (ИЛ) 32212ПРо иа ЗЗЗД» орв згззч Шс) 32запр иа(дП) Э231АЦ П УД бгп) 3232иипу ели) 3234Ф (ДГИ 3243 дер зго(пв и е(бее 3242А е е(бр) 3243ЛРоц (БЛ) 3243 д о* и 3243ПР 4(БП) 3242А ив (БР) 324!Пасс аи е(БМ) З г.б Сесе ци 325вцау н (СС) 3255ПРо а(СП) 3251 А п Уд (СА) 3254ФФ п(СВ) 3252ВР Е(СВ) 3 2 6 ФИРС»О Згб(В р к» с (ФВ) 326ЗП * (ФЕ) 3265про (ФП) 3262Н к «п (ФН) 3 2 6 4 Р Р Е (ФР) 327Ф*р р а в и 327 5 Про е(АП) 3271 пр ук вфорке (АГ) 3273ддресис о а(АА) 32 7 2 с ец ап одф о (АФ) 3274раар д (АР) 3 2 8 Пресбр е 328 7 С и»ау Р око (ПП) 3288Д 7 П С (ПЕ) ЗгоМоп ° р 32.9)А уд *(МА) 3233ФМ (МФ) ЗгогИ у (МИ) 3294ПР» (МП) Рис.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
