Диссертация (1137280), страница 20
Текст из файла (страница 20)
Приборное и схемотехническое моделированиехарактеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения [Текст]// Материалы X НТК молодых специалистов «Твердотельная электроника.Сложные функциональные блоки РЭА». Тезисы докладов.– Моск. обл., г. Дубна.– 2011 г. – С. 170-172;Кожухов М.В., Торговников Р.А. Компактная SPICE-модель Si БТ и SiGe ГБТ,учитывающая воздействие нейтронного облучения [Текст] // НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов. Тезисы докладов. – М., МИЭМ.–2012г.– С.282-283;Петросянц К. О., Кожухов М. В.
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов [Текст]// Сб.науч. тр. международной НПК “Innovative Information Technologies" – М.: МИЭМ НИУ ВШЭ. – 2013 г.– С. 320-326;Petrosyants K., Kozhukhov M.. SPICE Model Parameters Extraction Taking into Account the Ionizing Radiation Effects [Текст]// Proc. of 12th IEEE East-West Design& Test Intl. Symp. (EWDTS`2014). – Sept. 2014. – C. 304-307;Кожухов М.В.. Схемотехническая SPICE модель, учитывающая воздействиегамма-излучения на характеристики кремниевых БТ и кремний-германиевыхГБТ [Текст]// НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов. Тезисы докладов.
– М.: МИЭМ. – 2014 г. – С. 239-240;Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M. ExpandingCommercial Spice Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence[Текст]// Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference. Part 3. /Ed. Uvaysov S. U.–M.: HSE, Prague. – 2014. – C.244-253;Петросянц К.
О., Кожухов М. В. Схемотехническая SPICE-модель биполярноготранзистора, учитывающая влияние различных видов радиации [Текст]// Фундаментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental scienceand technology - promising developments – Т. 3 – Вып. III. CreateSpace. –2014 г. –С. 23-26;ГОСТ 18604.26-85.
Транзисторы биполярные. Методы измерения электрическихпараметров [Текст]. – Введ. 1986–01–07. – М.:Изд-во стандартов, 1986. 10 с.: ил;142[81].[82].[83].[84].[85].[86].[87].[88].[89].[90].[91].[92].Афонский А. А., Дьяконов В. П. Электронные измерения в нанотехнологиях и вмикроэлектронике [Текст]//М.: ДМК-Пресс. – 2011;Петросянц К. О., Харитонов И. А.
Модели МДП и биполярных транзисторов длясхемотехнических расчётов БИС с учётом радиационного воздействия [Текст]//Микроэлектроника РАН. – 1994. – Т. 23. – №. 1. – С. 21-34;Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. Simulation of Total DoseInfluence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel[Текст] // Proc. of 10th IEEE East-West Design & Test Intl. Symposium(EWDTS'12), Sept. 2012. – С. 60–65;Реализация базовых методов радиационных испытаний ЭКБ на основеаппаратно-программного комплекса аппаратуры National Instruments/Бобровский Д.В.
и др. [Текст] // Известия вузов. Электроника. – 2012. – № 5 (97).– C. 91-104;Петросянц К. О., Гоманилова Н.Б., Харитонов И. А. и др. Проектированиерадиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОПтехнологии [Текст] // Сб. науч. тр.в «Электроника, микро и наноэлектроника» /под ред. В.Я. Стенина. – М., МИФИ, – 2013. – С 196-302;Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M. Hardware-Software Subsystemfor MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account forRadiation Effects [Текст]//Adv. Materials Research. – 2013. – Т.
718. – С. 750-755;Li M., Fleetwood D. M., Schrimpf R. D. et al. Including radiation effects and dependencies on process-related variability in advanced foundry spice models using a newphysical model and parameter extraction approach [Текст] // IEEE Transactions onNuclear Science. – 2011. – Т. 58. – №. 6. – С. 2876-2882;Petrosyants K.
O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. V. IVCharacteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated BipolarJunction Transistors [Текст]// Adv. Materials Research.–2015.– T. 1083 – C. 185-189;Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л.М., Макеев А.С. Определениепараметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационныхвоздействий на основании результатов измерения их характеристик [Текст] //Научно-технический сборник.
«Стойкость 2015». – Мос. Обл., г. Лыткарино. –2015. – С. 109-110.Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л.М. и др. Исследование характеристик элементной базы аналоговых КНИ КМОП схем, изготовленных по технологии XFAB, с учетом суммарной поглощенной дозы [Текст] //Электроника,микро-и наноэлектроника: cб. науч.
тр.–М.: МИФИ. – 2009. – С. 57-66;Agilent 85190A, IC-CAP 2006 User’s Guide [Электронный ресурс].Yang D., Gamal A. , Fowler B., Tian H.. A 640x512 CMOS Image Sensor with UltraWide Dynamic Range Floating-Point Pixel Level ADC [Текст] // IEEE Journal of Solid-State Circuits. – 1999. – Т. 34. – №. 12.
– С. 1821-1834143К главе 4.[93].[94].Виноградов Р.Н., Корнеев С.В., Ксенофонтов Д.Л., Савченко Е.М. Архитектурасовременных быстродействующих операционных усилителей [Текст] // Материалы международной научно-технической конференции «Электроника и информатика – 2005». – Москва. – 2005. – С.
123-124;Cressler J. D. Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology [Текст] // CRC Press. –2007. 260 с.144145146147148149.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
