Диссертация (1137280), страница 18
Текст из файла (страница 18)
Посравнению с используемым в существующих симуляторах набором отдельных SPICEмоделей для каждого вида воздействия, унифицированная модель, общая для всех видоввоздействий, описывается значительно меньшим количеством параметров, имеет болеепростую методику их определения, что позволяет сократить трудоемкость и время подготовки и обработки данных до и после расчета.133Для пользователей разработаны полуавтоматические процедуры определения параметров биполярных транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационногоизлучения на основе результатов измерений тестовых приборов по стандартным методикам или результатов приборного-технологического моделирования в системе TCAD.Внедрение результатов работы.Результаты диссертации были использованы на предприятиях ОАО «НПП «Пульсар», АО «Корпорация «ВНИИЭМ», ФГБНУ «НИИ ПМТ» в следующих НИОКР:НИР «Стойкость-ТЗЧ» и ОКР «Высотка-26».НИР «Исследование и разработка радиационных моделей элементов кремний-германиевых аналого-цифровых БиКМОП СБИС для проектирования космической радио- и телекоммуникационной аппаратуры».НИОКР «Создание системы управления поворотами БС КА»,а также при выполнении 5-ти госбюджетных НИР по программам ФЦП и грантамРФФИ и научного фонда НИУ ВШЭ.Ряд результатов по использованию TCAD и SPICE моделей, имеющих мето-дический характер, и примеры расчета Si БТ и SiGe ГБТ структур и схемных фрагментов на их основе, внедрены в учебный процесс МИЭМ НИУ ВШЭ при изучении дисциплин “Микросхемотехника”, “Основы проектирования и технологии электронной компонентной базы” и “Проектирование электронной компонентной базы”.Методические результаты.
Ряд результатов, включающих использование TCADи SPICE моделей и примеры расчета Si БТ и SiGe ГБТ структур и схемных фрагментовна их основе, внедрены в учебный процесс МИЭМ НИУ ВШЭ при чтении дисциплин“Микросхемотехника”,“Основы проектирования и технологии электронной компо-нентной базы” и “Проектирование и технологии электронной компонентной базы”.134СПИСОК СОКРАЩЕНИЙSPICE – система схемотехнического моделирования;TCAD – система приборно-технологического моделирования;БИС – большая интегральная схема;БТ – биполярный транзистор;ВАХ – вольт-амперная характеристика;ГБТ – гетеропереходный биполярный транзистор;ИС – интегральная схема;КИП – контрольно-измерительные приборы;МОП – металл-оксид-полупроводник;ОУ – операционный усилитель;ОЯЧ – отдельная ядерная частица;ПО – программное обеспечение;РЭА – Радиоэлектронная аппаратураСАПР – система автоматизированного проектирования;СБИС – сверхбольшая интегральная схема;СВЧ – сверхвысокочастотные;ЭВМ – электронно-вычислительная машина;ЭКБ – электронная компонентная база;135Список использованной литературы[1].[2].[3].[4].[5].К введению.Colinge J.
P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI: Materials to VLSI.– Springer Science & Business Media. – 2004;Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гаммаи нейтронного излучения на полупроводниковые приборы [Текст]/Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В. // Известия Южногофедерального университета.
Технические науки. – 2012. – № 6 (131). – С. 77-82;Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановлениякоэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора,подвергнутого воздействию радиации [Текст]/ Петросянц К.О., Кожухов М.В.,Смирнов Д.С. // Известия вузов. Электроника. – 2013. – № 6 (104). – С.
86-88;Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева вструктуре гетеропереходного биполярного транзистора [Текст]/ Петросянц К.О.,Кожухов М.В. // Известия вузов. Электроника. – 2015. – № 6 (110). – С. 648-651;Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП транзисторов дляавтоматизации проектирования радиационно-стойких БИС [Текст]/ ПетросянцК.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В. // Информационныетехнологии. – 2015. – №12 (21). – С. 916-922;К главе 1.[6].[7].[8].[9].[10].[11].Mehandia B.
Study of Electrical Characteristics of SOI MOSFET Using SilvacoTCAD Simulator [Текст]// Current Trends in Technology and Sciences.– 2012. – Т.1.– №. 1;Marlia Morsin, Mohd Khairul Amriey, Abdul Majeed Zulkipli and Rahmat Sanudin.Design, Simulation and Characterization of 50nm p-well MOSFET Using SentaurusTCAD Software [Текст] // Proceedings of MUCEET2009. –2009 г. – C. 1-3;SILVACO TCAD [Электронный ресурс], Simulation Standard. Volume 24. № 4,2014, [http://www.silvaco.com/tech_lib_TCAD/simulationstandard/2014/index.html];Simon at el. TCAD Simulation for Semiconductor Processes, Devices and Optoelectronics [Текст] // – Springer Science & Business Media.
– 2012 г. – C. 292;Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Проектирование технологических процессовизготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов [Текст] //Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014.Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л. Стемпковского.
–М.:ИППМРАН. – 2014 г. – Часть II. – С. 141-144;Виноградов Р. И. и др. Выбор оптимального маршрута моделированиядиффузионных процессов с использованием САПР TCAD [Текст]//Электроннаятехника. Сер. – 2009 г. – Т. 2. – С. 65-72;136[12].[13].[14].[15].[16].[17].[18].[19].[20].[21].Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Проблемы использованияприборно-технологического моделирования как инструмента проектирования ипути их решения [Текст]// Проблемы разработки перспективных микро- инаноэлектронных систем - 2005. Сборник трудов / под общ.
ред. академикаА.Л. Стемпковского. –М.:ИППМ РАН. – 2005 г. – С. 143-150;Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Цимбалов А.С. Критерии выбора моделей прирасчете приборных характеристик субмикронных транзисторных структур[Текст]// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронныхсистем - 2005. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л. Стемпковского. –М.:ИППМ РАН. – 2005 г.
– С. 185-190;Калинин А.В., Крупкина Т.Ю. Повышение эффективности применения системприборно-технологического моделирования [Текст] // Труды десятоймеждународной научной конференции и школы-семинара «Актуальныепроблемы твердотельной электроники и микроэлектроники».–Дивноморское. –Россия. –2006.– С.130-131;Крупкина Т.Ю. Разработка научных основ создания и совершенствованиябазовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методамиприборно- технологического моделирования: диссертация.
... докторатехнических наук 05.27.01― Москва, 2005. — 233 c;Лавлинский В.В. Научные основы синтеза виртуальной реальности для объектовпроектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базыспециального назначения: диссертация. ...
доктора технических наук 05.13.12―Воронеж, 2015. — 260 c;Johnston A.H., Plaag R.E.. Models for total dose degradation of linear integrated circuits [Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science. –1987.– Т. 34. – C.1474-1480;Смолин А.А., Уланова А.В., Согоян А.В., Демидов А.А. Моделированиерадиационно-индуцированных токов утечки в МОП-структурах при воздействиигамма- и рентгеновского излучений [Текст] // Проблемы разработкиперспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / подобщ.
ред. академика А.Л. Стемпковского.–М.:ИППМ РАН.– 2014 г.– Часть III.–С. 197-200;Зольников В.К., Потапов И.П., Таперо К.И. Моделирование сбора заряда привоздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем[Текст] // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронныхсистем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред.
академика А.Л. Стемпковского.М.:ИППМ РАН. – 2010 г. – С. – 275-278;Sutton A. K., Cressler J. D. at el. The Effects of Proton and X-Ray Irradiation on theDC and AC Performance of Complementary (npn + pnp) SiGe HBTs on Thick-FilmSOI [Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science.
– 2007.– T. 54.– №. 6.– C.2245 – 2250;Graves R. J. et al. Modeling low-dose-rate effects in irradiated bipolar-base oxides[Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1998. – Т. 45. – №. 6. – C. 23522360;137[22].[23].[24].[25].[26].[27].[28].[29].[30].[31].Put S. et al. In-situ recovery of the base current of SiGe NPN HBTs at high gammadose levels [Текст]//Proceeding of “Safe 2007”. Netherlands. – Nov. 2007.– C. 451456;Панкратов А.Е., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С.,Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии напроцессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторовпосле импульсного гамма-нейтронного воздействия [Текст] // Научнотехнический сборник «Стойкость-2015». – г. Лыткарино.
– 2015 г. – С. 63-64;Bellini M. et al. X-ray irradiation and bias effects in fully-depleted and partiallydepleted SiGe HBTs fabricated on CMOS-compatible SOI [Текст] // IEEETransactions on Nuclear Science. – 2006. – Т. 53. – №. 6. – С. 3182-3186;Аверяскин А.С, Хананова А.В. Математическое моделированиеполупроводниковых элементов и функционирования схем на их основе посленейтронного облучения [Текст] // Вопросы атомной науки и техники. Серия«Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». – 2012.– №. 1.– С. 46–50;Аверяскин А.С, Хананова А.В. Моделирование работы электронных схем прирадиационном воздействии [Текст] // Вестник Нижегородского университетаим.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
