Диссертация (1137280), страница 19
Текст из файла (страница 19)
Н.И. Лобачевского. – 2013. – №. 2-1. – С. 52-55;Крутчинский С.Г., Титов А.Е. Особенности схемотехнического проектированиярадиационно-стойких ИС на АБМК [Текст] // Проблемы разработкиперспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / подобщ. ред. академика А.Л. Стемпковского. М.:ИППМ РАН. – 2012 г. – С. 274-279;Петросянц К. О., Харитонов И. А. Модели МДП и биполярных транзисторов длясхемотехнических расчётов БИС с учётом радиационного воздействия [Текст] //Микроэлектроника РАН.
– 1994. – Т. 23. – №. 1. – С. 21-34;Вологдин Э.Н., Дюканов П.А., Синкевич В.Ф., Смирнов Д.С., Сурков Г.П. Учётвоздействия нейтронного облучения на биполярные ИМС ОУ при ихсхемотехническом моделировании. Основные свойства, параметры и базовыесхемы включения мультидифференциальных операционных усилителей свысокоимпедансным узлом [Текст] / Э.Н. Вологдин, П.А. Дюканов, В.Ф.Синкевич, Д.С. Смирнов, Г.П.
Сурков // Электронная техника. Серия 2.Полупроводниковые приборы. – 2014. – Т. 2. – № 233. – С. 42 – 45;Учет воздействия нейтронного облучения на биполярные ИМС ОУ при ихсхемотехническом моделировании [Текст] / Э.Н. Вологдин, П.А. Дюканов, Д.С.Смирнов, Г.П. Сурков// Твердотельная электроника.
Сложные функциональныеблоки РЭА. Материалы научно-технической конференции. – М.: МНТОРЭС им.А.С.Попова, ФГУП «НПП «Пульсар». ¬– 24-25 октября, 2013. – С. 243 – 246.Дворников О.В., Гришков В.Н. Комплексный подход к проектированиюрадиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 1.Учет влиянияпроникающей радиации в "Spice-подобных" программах [Текст] // Проблемыразработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборниктрудов / под общ. ред. академика А.Л. Стемпковского. М.:ИППМ РАН.
– 2010 г.– С. 301-306;138[32].[33].[34].[35].[36].[37].[38].[39].[40].[41].[42].[43].Дворников О.В. Комплексный подход к проектированию радиационно-стойкиханалоговых микросхем. Часть 2. Базовые схемотехнические решения АБМК 1-3[Текст] // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронныхсистем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л. Стемпковского.М.:ИППМ РАН. – 2012 г. – С. 283-288;Крутчинский, С.Г., Титов, А.Е., Серебряков, А.И. Компьютерное моделированиеосновных динамических параметров и статических характеристик транзисторованалогового базового матричного кристалла АБМК_1_4 в условияхтемпературных и радиационных воздействий [Текст] // X Международныйнаучно-практический семинар «Проблемы современной аналоговоймикросхемотехники». – 1-2 окт.
2013 г.: материалы : в 2 ч.Ч.1.: Изд. ИСОиП(филиал) ДГТУ. – Шахты. 2013. – С.114;Van Uffelen M., Geboers S., Leroux P., Berghmans F.. SPICE modelling of a discreteCOTS SiGe HBT for digital applications up to MGy dose levels [Текст] // IEEETransactions on Nuclear Science. – 2006. – Т. 53. – №. 4. – С. 1945-1949;Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Савченко Е.М. Операционные усилители собобщенной токовой обратной связью [Текст] // Проблемы разработкиперспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник трудов / подобщ.
ред. академика А.Л. Стемпковского. М.:ИППМ РАН. – 2008 г. – С. 330-333;Leroux P., De Cock W., Van Uffelen M., Steyaert M.. Modeling, Design, Assessmentof 0.4 μm SiGe Bipolar VCSEL Driver IC Under γ-Radiation [Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – T. 56. – №. 4. – C. 1920 – 1925;Deng Yanqing T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, M.S. Shur. Spice modeling of neutron displacement damage and annealing effects in bipolar junction transistors [Текст]// IEEETransactions on Nuclear Science.
– 2003. – Т. 50. – №. 6. – С. 1873-1877;Mavis D. G., Eaton P. H. SEU and SET modeling and mitigation in deep submicrontechnologies [Текст]// Proc. 45th IEEE Int. Reliability Physics Symp. – 2007. – С.293-305;Hajghassem H. S., Yeargan J. R., Brown W. D., and Williams J. G.. Modelling the effects of neutron radiation on the gummel-poon parameters for bipolar npn transistors[Текст] //Microelectronics Reliability. – 1991. – Т.
31. – №. 5. – С. 969-984;Rinaudo O., Zimmer T., Limtouch S., Bourgoin G., Lalande P. . SPICE data base forneutron (1 MeV) radiation hardening design: permanent damage effects simulation ofbipolar transistors [Текст]// Third European Conference on Radiation and its Effectson Components and Systems, 1995. RADECS 95. –1995. – С. 161-164;Praveen K.C., Pushpa N., Prabakara Rao Y.P., Govindaraj G., Cressler J.D. and Prakash A.P.G.. Application of advanced 200GHz Si–Ge HBTs for high dose radiationenvironments [Текст]// Solid-state electronics. – 2010. – Т.
54. – №. 12. – С. 15541560;Montagner X., Briand R., Fouillat P., Schrimpf R. D., Touboul A., Galloway K. F.,Calvet M. C., and Calvel P. Dose-rate and irradiation temperature dependence of BJTSPICE model rad-parameters [Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science. –1998. – Т. 45. – №. 3. – С. 1431-1437;Van Huylenbroeck S., Choi L.
J., Sibaja-Hernandez A., Pointek A., Linten D., DehanM., Dupuis O., Carchon G., Vleugels F., Kunnen E., Leray P., Devriendt K., Shi X. P.,139Loo R., Hizen E., and Decoutere S. A 205/275 GHz f /f airgap isolated 0.13 um BiCMOS technology featuring on-chip high quality passives [Текст] // Proc. in BCTM3.3.
– 2006;К главе 2.[44].[45].[46].[47].[48].[49].[50].[51].[52].[53].[54].[55].[56].TCAD Sentaurus User Manual J-2014.09 [Электронный ресурс], Synopsys;Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание [Текст] / Под. ред. д-ратехн. наук, проф. А.И. Чумакова. – М.: НИЯУ МИФИ. – 2015. – 512 с.Zhang S., Niu G., Cressler J. D., at el. A comparison of the effects of gamma irradiation on SiGe HBT and GaAs HBT technologies [Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2000. – Т.
47. – №. 6. – С. 2521-2527;Niu G., Mathew S. J., at el. Total dose effects on the shallow-trench isolation leakagecurrent characteristics in a 0.35mm SiGe BiCMOS technology [Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1999. – Т. 46. – №. 6. – С. 1841-184;Cressler J. D., Krithivasan R., Zhang G.
at el. An investigation of the origins of thevariable proton tolerance in multiple SiGe HBT BiCMOS technology generations[Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science.–2002.–Т.49.–№.6.–С. 3203-3207;Put S., Simoen E., Van Huylenbroeck S., at el. Effect of Airgap Deep Trench Isolationon the Gamma Radiation Behavior of a 0.13 mm SiGe:C NPN HBT Technology[Текст]//IEEE Transactions on Nuclear Science. –2009.–Т. 4. –№.56. – С. 2198-2204;Kosier S.
L., Shrimpf R. D., Nowlin R. N., Fleetwood D. M., DeLaus M., Pease R. L.,Combs W. E., Wei A., Chai F. Charge separation for bipolar transistors [Текст] //IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1993. – Т. 40. – №. 6. – С. 1276-1285;Moen K. A., Cressler J. D. Measurement and modeling of carrier transport parametersapplicable to SiGe BiCMOS technology operating in extreme environments [Текст] //IEEE Transactions on Electron Devices.
– 2010. – Т. 57. – №. 3. – С. 551-561;Dentan M. Radiation effects on electronic components and circuits [Текст]// Radiationeffects on electronic components and circuits //CERN Training. – 2000. – Т. 11;Вологдин Э. Н., Лысенко А. П. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов [Текст] //МИЭМ, М.
– 1999;Gregory B.L., Gwyn C.W. Application of neutron damage models to semiconductordevice studies [Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1970. – Т. 17. – №.6. – С. 325-334;Действие проникающей радиации на изделия электронной техники [Текст]/ В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцев [и др.].
– М.: Сов. Радио. – 1980.–224 с.Эмпирические соотношения для зависимости коэффициента радиационногоизменения времени жизни носителей заряда в кремнии при нейтронномоблучении от уровня инжекции и степени легирования / Вологдин Э.Н.,Смирнов Д.С. [Текст] // Вопросы атомной науки и техники.
Серия: Физикарадиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2010. – Т. 2. –С. 17-22;140[57].[58].[59].[60].[61].[62].[63].[64].[65].[66].[67].[68].[69].[70].Diez S., Wilder M., Ullan M.et al. Radiation hardness studies of a 130 nm SiliconGermanium BiCMOS technology with a dedicated ASIC [Текст] //Proc. TWEPP.
–2009. – C. 439-442;Sutton A. K. et al. Proton tolerance of fourth-generation 350 GHz UHV/CVD SiGeHBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2004. – Т. 51. – №. 6. – С. 37363742Barnaby H. J., Smith S. K., Scrhimpf R. D., Fleetwood D. M., and Pease R. L. Analytical model for proton radiation effects in bipolar devices [Текст] //Nuclear Science,IEEE Transactions on. – 2002. – Т. 49.
– №. 6. – С. 2643-2649;Díez S., Lozano M., Pellegrini G., Campabadal F., Mandic I., Knoll D., B. Heinemann, and M. Ullán. Proton radiation damage on SiGe: C HBTs and additivity of ionization and displacement effects [Текст] //IEEE Transactions on Nuclear Science. –2009. – Т. 4. – №. 56. – С. 1931-1936;Zhang S.et al. The effects of proton irradiation on SiGe: C HBTs [Текст] //NuclearScience, IEEE Transactions on. – 2001. – Т. 48. – №. 6.
– С. 2233-2237;Sutton A. K. et al. A comparison of gamma and proton radiation effects in 200 GHzSiGe HBTs [Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2005. – Т. 52. – №. 6.– С. 2358-2365;Haugerud B. M. et al. Proton and gamma radiation effects in a new first-generationSiGe HBT technology [Текст]//Solid-state electronics.
– 2006. – Т. 50. – №. 2. – С.181-190;Petrosyants K., Vologdin E., Torgovnikov R., Smirnov D., Kozhukhov M. Si BJT andSiGe HBT Performance Modelling after Neutron Radiation Exposure [Текст] // Proc.of 9th IEEE East-West Design & Test Intl. Symp. (EWDTS'11). Sevastopol. – Sept.2011. – C. 267-270;Petrosyants K. O., Kozhukhov M.V. SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiation // Proc. of 15th European Conference on Radiationand Its Effects on Components and Systems (RADECS).– 2015 – C.
1 – 4;Poivey C. and Hopkinson G.. Displacement damage mechanism and effects [Текст]//ESA-EPFL Space Center Workshop. – 2009. – Т. 9;Радиационные эффекты в космосе. Часть 1. Радиация в околоземномкосмическом пространстве [Текст]/ Безродных И.П., Тютнев А.П., Семенов В.Т.// – М.: ОАО «Корпорация «ВНИИЭМ». – 2014. – 106 с.;Van Uffelen M. and Leroux P., Comeau J.P., Sutton A.K., Haugerud B.M., Cressler J.D., at el. Proton tolerance of advanced SiGe HBTs fabricated on different substrate materials [Текст]// IEEE Transactions on Nuclear Science.
– 2004. – Т. 51. –№. 6. – С. 3743-3747;Zhang S., Cressler J. D., at el. An investigation of proton energy effects in SiGe HBTtechnology [Текст] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2002. – Т. 49. – №. 6.– С. 3208-3212;Fox R., Ramsey N. F. Low-Energy Proton Production by 160-Mev Protons [Текст]//Physical Review. – 1962. – Т. 125. – №. 5. – С. 1609;141К главе 3.[71].[72].[73].[74].[75].[76].[77].[78].[79].[80].Торговников Р.А., Кожухов М.В. Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения[Текст] // Материалы X НТК молодых специалистов «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА».
Тезисы докладов.– Моск. обл.,г. Дубна. – 2011 г. – С. 170-172;Петросянц К. О., Кожухов М. В. SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов [Текст] // Сб.науч. тр. международной НПК “Innovative Information Technologies" – М.: МИЭМ НИУ ВШЭ. – 2013 г.– С. 320-326;Торговников Р.А., Кожухов М.В.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
