Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) (1105304), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Grain sizeand oxidation effect on the impedance of nanocrystalline PbTe(In) films // Ab21stracts of International Conference on the Nanotechnology “NanoIsrael 2009”, Jerusalem, Israel, 2009, March 30-31.6. Добровольский А.А., Комисарова Т.А., Дашевский З.М., Касиян В.А., Аки-мов Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe(In) в переменном электрическом поле //ФТП, 2009, т.42, вып.2, с.265-268.7. Dobrovolsky A., Dashevsky Z., Kasiyan V., Ryabova L., Khokhlov D.
Lowtemperature charge transport in photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films // J.Phys.: Conf. Ser., 2009, v.150, pp.022009-1 – 022009-4.8. Dobrovolsky A.A., Dashevsky Z.M., Kasiyan V.A., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.PhotoconductivityofoxidizednanostructuredPbTe(In)films //Semi-cond. Sci. Technol., 2009, v.24, pp.075010-1 – 075010-5.9. Dobrovolsky A., Komissarova T., Akimov B., Dashevsky Z., Kasiyan V., Khokhlov D., Ryabova L. Charge transport in photosensitive nanocrystalline PbTe(In)films in an alternating electric field // Int. J. Mat. Res., 2009, v.100, N9, pp.12521254.10.Dobrovolsky A., Belogorokhov I., Dashevsky Z., Kasiyan V., Ryabova L., Khokhlov D.
Optical and transport properties of nanostructured PbTe(In) films // Proceedings of SPIE, 2009, v.7404, pp.74040S-1 - 74040S-6.11.Добровольский А.А., Черничкин В.И., Дашевский З.М., Касиян В.А., РябоваЛ.И., Хохлов Д.Р. Транспортные свойства и фотопроводимость нанокристаллических пленок PbTe(In) // Труды IX Российской конференции по физике полупроводников “Полупроводники’09”, 28 сентября - 3 октября 2009г., Новосибирск-Томск, с.51.12.Dobrovolsky A., Chernichkin V., Belogorokhov I., Dashevsky Z.M., KasiyanV.A., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
Transport properties and photoconductivity ofnanocrystallinePbTe(In)films //10.1002/pssc.200982714.22Phys. Stat. Sol. (c),2010,DOIСписок цитируемой литературы:[1] Lead Chalcogenides: Physics and Application // Edited by D. Khokhlov. NewYork: Taylor&Francis, 2003.[2] Волков Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца // УФН, 2002, т.172,в.8, с.875-905.[3] Dashevsky Z., Shuzterman S., Dariel M.P., Drabkin I. Thermoelectric efficiencyin graded indium-doped PbTe crystals // Journal of Applied Physics, 2002, v.92,N3, pp.1425-1430.[4] Felder F., Arnold M., Rahim M., Ebneter C., Zogg H.
Tunable leadchalcogenide on Si resonant cavity enhanced midinfrared detector //Appl. Phys. Lett., 2007, v.91, pp.101102-1 – 101102-3.[5] Rahim M, Arnold M, Felder F, Behfar K and Zogg H. Midinfrared leadchalcogenide vertical external cavity surface emitting laser with 5 µm wavelength // Appl. Phys. Lett., 2007, v.91, pp.151102-1 – 151102-3.[6] Khokhlov D., Ryabova L., Nicorici A., Shklover V., Ganichev S., Danilov S.,Bel’kov V. Terahertz photoconductivity of Pb1−xSnxTe(In) // Appl.
Phys. Lett.,2008, v.93, pp.264103-1 – 264103-3.[7] Dashevsky Z., Kreizman R., Dariel M.P. Physical properties and inversion ofconductivity type in nanocrystalline PbTe films // J. Appl. Phys., 2005, v.98,pp.094309-1 – 094309-5.[8] Неустроев Л.Н., Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS // ФТП, 1986, т.20, в.1,с.59-72.23.