Диссертация (1104762), страница 23
Текст из файла (страница 23)
Необходимо использовать пространственную сетку с переменным шагом ∆z(систему встроенных сеток с различным шагом ∆z), максимальный шаг должен быть много меньше линейного размера Z области пространства, в которомстроится решение.3. Численное моделирование сверхпроводниковых микро- и наноструктур на основе тонких сверхпроводящих пленок, когда толщина пленки d меньше илипорядка глубины λL проникновения поля в сверхпроводник, необходимо выполнять с использованием в качестве модели сверхпроводника нормальногопроводника со сверхвысокой проводимостью, при которой толщина скин-слояδ равна глубине проникновения λL .4. При использовании в качестве модели сверхпроводника нормального проводника со сверхвысокой проводимостью минимальный шаг пространственнойсетки ∆z должен быть много меньше, чем глубина проникновения поля λL .5.
Численное моделирование сверхпроводниковых микро- и наноструктур на ос-127нове относительно толстых сверхпроводящих пленок, толщина d которыхбольше, чем глубина λL проникновения поля в сверхпроводник, необходимовыполнять с использованием в качестве модели сверхпроводника идеальногопроводника.6. При использовании в качестве модели сверхпроводника идеального проводника минимальный шаг пространственной сетки должен быть много меньше, чемтолщина сверхпроводящих пленок..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
