Автореферат (1104249), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Показано, что рекомбинация в структурах SnO2-QD в основном осуществляетсяна рекомбинационных центрах, в качестве которых выступают внедренныенанокристаллы.Рекомбинацияисследованныхструктур.фотопроводимостипочти неимеетзадержанныйМгновенныезависят отвременаразмерахарактержизнидлявсехзадержаннойнанокристалловCdSe,существенно возрастают при создании оболочки CdS и увеличении ее толщины.4. Установлено, что при варьировании размера нанокристаллов CdSe максимальнаяфотопроводимость в структурах SnO2-QD достигается при внедрении в матрицуквантовых точек минимального размера.205. Показано, что наличие оболочки CdS вокруг ядра исходной квантовой точки CdSeприводит к смещению положений максимумов в спектральных зависимостяхпоглощения и фотолюминесценции вследствие изменения размеров объекта.6.
Обнаружено, что величина квантового выхода люминесценции нанокристалловCdSe/CdS и амплитуда фотоотклика фотопроводимости для структур SnO2-QD сданными нанокристаллами характеризуются немонотонной зависимостью оттолщины оболочки CdS. Наблюдается ярко выраженная корреляция междуданными зависимостями.7.
Установлено, что максимальная фотопроводимость в структурах SnO2-QD привнедрениивматрицугетероэпитаксиальныхнанокристалловCdSe/CdSдостигается при толщине оболочки CdS в 2 монослоя. Указаны основныефакторы, влияющие на амплитуду сигнала: уменьшение вклада безызлучательнойрекомбинации в нанокристаллах и дефектообразование как механизм снятиямеханических напряжений.Публикации1. A.
Dobrovolsky, R. Vasiliev, K. Drozdov, O. Maslova, M. Rumyantseva, A. Gaskov,L. Ryabova, and D. Khokhlov. Optical and photoelectric properties of nanocrystalline SnO2CdSe quantum dot structures. // Phys. Status Solidi C. - 2010. - 7. - No. 3–4. - 972–975.2. R. Vasiliev, A. Babynina, O. Maslova, M. Rumyantseva, L. Ryabova, A. Dobrovolsky,K. Drozdov, D. Khokhlov, A.
Abakumov, A. Gaskov. Photoconductivity of nanocrystalline21SnO2 sensitized with colloidal CdSe quantum dots // J. of Mat. Chem. С . - 2013. – 1. - p.1005-1010.3. К. Дроздов, В. Кочнев, А. Добровольский, Р. Васильев, А. Бабынина, М. Румянцева,А. Гаськов, Л. Рябова, Д. Хохлов.
Фотопроводимость композитных структур на основепористого SnO2, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe. // Физика и техникаполупроводников. - 2013. - том 47. - № 3. - с . 360-363.4.4. K. Drozdov, V. Kochnev, A. Dobrovolsky, A. Popelo, M. Rumyantseva, A. Gaskov,L. Ryabova, D. Khokhlov and R. Vasiliev. Photoconductivity of structures based on the SnO2porous matrix coupled with core-shell CdSe/CdS quantum dots // Appl. Phys. Lett. - 20013.
–103. – 133115.5. A. Dobrovolsky, K. Drozdov, R. Vasiliev, L. Ryabova, D. Khokhlov, O. Maslova, A.Popelo, M. Rumyantseva, A. Gaskov. Photosensitization of nanocrystalline SnO2 films withCdSe quantum dots. Proceedings of European Conference on Individual Monitoring of IonizingRadiation, 8 – 12 March, 2010.6.К.А. Дроздов, А.А.Добровольский,Р.Б.Васильев, А.В.Попело,М.Н.Румянцева,А.М.Гаськов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Оптические и фотоэлектрические свойстваструктур с квантовыми точками CdSe/CdS (ядро-оболочка).
Труды XV Международногосимпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14 - 18 марта, 2011г.7.A. Dobrovolsky, K. Drozdov, R. Vasiliev, A. Babynina, A. Popelo, M. Rumyantseva, A.Gaskov, L. Ryabova, D. Khokhlov. Photoelectric properties of mesoporous SnO2 filmssensitized with CdSe/CdS quantum dots. Proceedings of 13th International Conference on theFormation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13),3-8 July, 2011.228.K.
Drozdov, A. Dobrovolsky, R. Vasiliev, A. Babynina, A. Popelo, M. Rumyantseva, A.Gaskov, L. Ryabova, D. Khokhlov. OPTICAL PROPERTIES OF CdSe/CdS CORE/SHELLQUANTUM DOTS - SnO2 NANOCOMPOSITE. Proceedings of 12th InternationalConference "Optics of Excitons in Confined Systems" (OECS12)12 - 16 September 2011.9.К. Дроздов. А. Добровольский, Р. Васильев, А. Попело, М. Румянцева, А. Гаськов, Л.Рябова, Д. Хохлов. Оптические свойства нанокомпозитных структур с квантовымиточками CdSe/CdS. Труды Международной Зимней Школы по физике полупроводников2012,24 - 27 февраля 2012 г.10.K. Drozdov, A.
Dobrovolsky, R. Vasiliev, A. Babynina, M. Rumyantseva, A. Gaskov, L.Ryabova, D. Khokhlov. Photoconductivity induced by incorporation of CdSe/CdS core/shellquantum dots into SnO2 matrix. Proceedings of 31st International Conference on the Physics ofSemiconductors July 29th – August 3rd 2012.11.В. Кочнев, К. Дроздов, Д. Хохлов. ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК НАПРОЦЕССЫПЕРЕНОСАФОТОВОЗБУЖДЕННЫХНОСИТЕЛЕЙЗАРЯДАВКОМПОЗИТНЫХ СТРУКТУРАХ SnO2-CdSe (МАТРИЦА-НАНОКРИСТАЛЛ).
ТрудыXIII Всероссийской молодёжнойконференции по физике полупроводников иполупроводниковой опто- и наноэлектронике. 21–25 ноября 2011 г.12.K. Drozdov, A. Dobrovolsky, R. Vasiliev, A. Babynina, M. Rumyantseva, A. Gaskov, L.Ryabova, D. Khokhlov. Photoconductivity induced by incorporation of CdSe/CdS core/shellquantum dots into SnO2 matrix. Труды 4ой Всероссийской молодежной конференции"Фундаментальные и инновационные вопросы современной физики", ноябрь 2012 г.2313.V. Kochnev, K.
Drozdov, A. Dobrovolsky, R. Vasiliev, A. Popelo, M. Rumyantseva, A.Gaskov, L. Ryabova, D. Khokhlov. Efficiency of the photoexcited charge carriers transport inSnO2-CdSe structures depending on the size of CdSe nanocrystals. Труды XIX Уральскоймеждународной зимней школы по физике полупроводников. 20-25 февраля 2012 г.Список цитируемой литературы1. D. Talapin, Jong-Soo Lee, M. Kovalenko, and E. Shevchenko. Prospects of ColloidalNanocrystals for Electronic and Optoelectronic Applications.
// Chem. Rev. 2010, 110, 389–458.2. J. Jasieniak, L. Smith, J. van Embden, P. Mulvaney, M. Califano // Re-examination of theSize-Dependent Absorption Properties of CdSe Quantum Dots // J. Phys. Chem. C, 113,19468–19474 (2009)3. R. Vasiliev, S. Dorofeev, M. Rumyantseva, L. Ryabova, and A. Gaskov. Impedancespectroscopy of ultrafine-grain SnO2 ceramics with a variable grain size // Semiconductors40(1), 104-107 (2006)4. М. Шейнкман, А. Шик.
Долговременные релаксации и остаточная проводимость вполупроводниках // ФТП, т. 10, с. 209 (1976)5. M. Green. The nature of quantum dot capping ligands. // J. Mater. Chem., 2010, 20, 57975809.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
