Диссертация (1102573), страница 24
Текст из файла (страница 24)
– p. 0033713-1-6.93. Liu, X.D., Jiang, E.Y. Low temperature magnetoresistance of Al-doped ZnO films // SolidState Commun. – 2007. – v.141. – p.394-397.94. Reuss, F., Frank, S., Kirchner, C. et al. Magnetoresistance in epitaxially grown degenerateZnO thin films // Appl. Phys. Lett. – 2005.
– v.87. – No.11.- p.112104-1-3.95. Sondheimer, E.H., Wilson, A.H. The theory of magnetoresistance effects in metals // Proc.R. Soc. A. -1947. – v.190. – p. 435-455.12896. Toyozawa, Y. Theory of localized spins and NMR in the metallic impurity conduction // J.Phys.
Soc. Jpn. – 1962. – v.17. – p.986-1004.97. Li, Z. Q., Lin, J.J. Electrical resistivities and thermopowers of transparent Sn-doped indiumoxide films // J. Appl. Phys. – 2004. – v.96. – No. 10. – p.5918-5920.98. Lin, J.J., Li, Z.Q. Electronic conduction properties of indium tin oxide: single-particle andmany-body transport // J. Phys.: Condens. Matter. – 2014.
– v.26. – p.343201-1-21.99. Ohyama, T., Okamoto, M., Otsuka, E. Weak Localization and Correlation Effects inIndium-Tin-Oxide Films. II. Two-to-Three Dimensional Transition and Competition betweenLocalization and Superconductivity // J. Phys. Soc. Jpn. – 1985. – v.54.
– No.3 - p.1041-1053.100. Ohyama, T., Okamoto, M., Otsuka, E.. Weak localization and correlation effects of twodimensional electrons in indium-tin-oxide films // J. Phys. Soc. Jpn. – 1983. – v.52. – No.10. – p.35713578.101. Gershenson, M. E. Low-temperature dephasing in disordered conductors: experimentalaspects // Ann. Phys. (Leipzig). – 1999. – v.8 – p. 559 – 568.102. Altshuler, B.L., Aronov, A.G., Khmelnitsky, D.E. Effects of electron-electron collisionswith small energy transfers on quantum localization // J. Phys.
C: Solid State Phys. – 1982. – v.15 –p.7367-7386.103. Schmid, A. On the dynamics of electrons in an impure metal // Z. Physik – 1974. – v.271.– p. 251-256.104. Альтшулер, Б.Л., Aронов, А.Г. Затухание одноэлектронных возбуждений в металлах// Письма в ЖЭТФ. – 1979. – т.30. – в.8.
– с. 514-516.105. Altshuler, B.L., Aronov, A.G. Electron density of states and energy relaxation time inmagnetic field // Solid State Phys.Commun. - 1981. – v.38. – p.11-15.106. Belitz, D., Wysokinski, K. I. Electronic inelastic lifetime near a mobility edge // Phys.Rev. B. – 1987. – v.36.- No.17. – p.9333-9336.107. Lin, J.J., Bird, J.
P. Recent experimental studies of electron dephasing in metal andsemiconductor mesoscopic structures // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – v.14. – p.R501-R596.108. Abrahams, E., Lee, P.A. Scaling description of the dielectric function near the mobilityedge // J. Phys. Rev. B. – 1986. – v.33. – p. 683-689.109. Li, T.J., Lin, J.J. Linear temperature dependence of the electron dephasing scattering ratein disordered thick Sc films // J. Phys. Rev. B. – 1997. – v. 56. – p.8032-8034.110. Lin, J.J., Xu, W., Zhong, Y.L.
and et al. Electron-electron scattering times in lowdiffusivity thick RuO2 and IrO2 films // Phys. Rev. B. – 1999. – v.59. – No.1. - p.344- 348.111. Dai, P., Zhang, Y., Sarachik, M. P. Electrical conductivity of metallic Si: B near the metalinsulator transition // Phys. Rev. B. – 1992. – v. 45. – No.8. – p.3984-3994 .129112. Ghosh, A., Raychaudhuri, A. K. Universal conductance fluctuations in three dimensionalmetallic single crystals of Si // Phys.
Rev. Lett. – 2000. – v.84. – No.20. - p.4681-4684.113. Isawa, Y. Inelastic scattering time in disordered metals // J. Phys. Soc. Jpn. – 1984. – v.53.– p. 2865-2867.114. Rammer, J., Schmid, A. Destruction of phase coherence by electron-phonon interactionsin disordered conductors // Phys.
Rev. B. – 1986. – v.34. – No.2. – p.1352-1355.115. Zhong, Y.L., Sergeev, A., Chen, C.D., Lin, J.J. Direct observation of electron dephasingdue to inelastic scattering from defects in weakly disordered AuPd wires // Phys. Rev. Lett. – 2010. –v.104.– p. 206803-1-4.116. Wu, C.Y., Lin, B.T., Zhang, Y.J. et. al. Electron dephasing in homogeneous andinhomogeneous indium tin oxide thin films // Phys. Rev.
B. – 2012. – v.85. – No.10. –p. 104204-1-9.117. Hsu, Y.W., Chiu, S. P. et. al. Long electron dephasing length and disorder-induced spinorbit coupling in indium tin oxide nanowires // Phys. Rev. B. – 2010. – v.82. – p.195429-1-6.118. Zhang, Y. J., Li, Z. Q., Lin, J. J. Electron-electron scattering in three-dimensional highlydegenerate semiconductors // Europhys. Lett.
– 2013. – v.103. – pp. 47002-1-5.119. Agrawal, A., Dar, T. A., Sen, P. Weak localization effect in pulsed laser deposited ZnOfilm // J. Phys.: Conf. Ser. – 2014. – v.534. – p.012042-1-3.120. Бурова, Л.И. Химическое осаждение из газовой фазы, структура и свойства тонкихпленок ZnO, ZnO(Ga2О3) и ZnO(СoО): дис. канд. хим. наук: 02.00.21/ Бурова Лидия Игоревна.М., 2011. -120 с.121. Morkoç, H., Özgür, Ü. Zinc oxide: fundamentals, materials and device technology. Weinheim: WILEY-VCH Verlag, 2009. - pp. 488.122.
Кытин, В. Г., Кульбачинский, В.А., Глебов, Д.С., Бурова, Л.И., Кауль, А.Р., Реукова,О.В. Электропроводность ферромагнитных пленок Zn1-xCoxO // ЖЭТФ. – 2010. – т.111. – в.2. –с. 225-260.123. Braun, M., Handbook of Manufacturing Engineering and Technology: MagnetronSputtering Technique. – London: Springer-Verlag, 2013.
– pp. 25.124. Kytin, V.G., Kulbachinskii, V.A., Reukova, O.V., Galperin, Y.M., Johansen, T.H., Diplas,S., Ulyashin, A.G. Conducting properties of In2O3:Sn thin films at low temperatures // Appl. Phys. A.– 2014. - v.114. – Issue. 3. - p. 957-964.125. May, C., Strumpfel, J. ITO coating by reactive magnetron sputtering-comparison ofproperties from DC and MF processing// Thin Solid Films. – 1999. –v.
351. – p. 48-52.126. Diplas, S., Ulyashin, A., Maknys, K. On the processing–structure–property relationship ofITO layers deposited on crystalline and amorphous Si // Thin Solid Films. – 2007. – v.515. – p.85398543.130127. Кульбачинский, В.А., Кытин, В.Г., Реукова, О.В., Бурова, Л.И., Кауль, А.Р.Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитныесвойства пленок оксидов цинка и индия// ФНТ. – 2015. – т. 41. – №2. – с.153-164.128.
Reukova, O.V., Kytin, V.G., Kulbachinskii, V.A., Burova, L.I., Kaul, A.R, Ulyashin,A.G.Weak localization in ZnO:Ga and ZnO:Al thin films // JPCS. – 2014. – v.568. – p. 052025-1-5.129. Реукова, О.В., Кытин, В.Г., Кульбачинский, В.А., Бурова, Л.И., Кауль, А.Р.Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой локализацией, в условияхизменения размерности системы под действием магнитного поля и температуры // Письма вЖЭТФ.
– 2015. – т.101. – в.3. – с.207-211.130. Kytin, V.G., Reukova, O.V., Kulbachinskii, V.A., Burova, L.I., Kaul, A.R., Ulyashin, A.G.Features of the hopping conductivity in gallium and cobalt doped ZnO thin films // JPCS. – 2014. –v.568. – p. 052015-1-5.131. Кытин, В. Г., Кульбачинский, В.А., Глебов, Д.С., Бурова, Л.И., Кауль, А.Р., Реукова,О.В. Электропроводность и магнитные свойства тонких пленок оксида цинка, легированногокобальтом // ФТП. – 2010. – т. 44.-в.
2. – с.164-169.132. Altshuler, B.L., Aronov, A.G., Larkin, A.I., Khmel’nitzkii, D.E. Anomalousmagnetoresistance in semiconductors // Sov. Phys. JETP – 1981. – v.54(2). – p.411-419.133. Bergmann, G. Weak localization in thin films: a time-of-flight experiment withconduction electrons // Physics Reports. – 1984. – v.107.
– No.1. - p.1-58.134. Ландау, Л.Д., Лифшиц, Е. М. Квантовая Механика (Нерелятивистская Теория). - 4-еизд., испр. -М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. – 768 с.135. Ovadyahu, Z., Gefen,Y., Imry, Y. Dimensionality crossover induced by a magnetic fieldin thin metallic films // Phys. Rev. B. – 1985. – v.32. – No.2. – p.781-787.136.
Rammer, J. Quantum field theory of non-equilibrium states. - Cambridge: CambridgeUniversity Press, 2007. - 536 pp.137. Волков, В.А. Квантовые поправки к поверхностной проводимостинеупорядоченного металла // Письма в ЖЭТФ. – 1982. – т.36. –в. 11. – с.394-396.138. Wittkowski, T., Jorzick, J., Seitz, H., et.al.
Elastic properties of indium tin oxide films //Thin Solid Films. – 2001. – v.398-399. – p.465-470.139. Kim, J. H., Kim, H., Kim, D. et. al. Optical and magnetic properties of laser-deposited Codoped ZnO thin films // Solid state commun. – 2004. – v.131. – p.677-680.140. Kim, K.J, Park, Y.R. Spectroscopic ellipsometry study of optical transitions in Zn1-x CoxOalloys // Appl. Phys. Lett. – 2002.
–v.81. – p.1420-1422.131Основные обозначения и сокращенияITOIn2O3:SnОМСОтрицательное магнетосопротивлениеСЭМСканирующая электронная микроскопияПЭМПросвечивающая электронная микроскопияХОГФХимическое осаждение из газовой фазыМРМагнетронное распылениеYSZZrO2 (Y2O3)132БлагодарностиЯ искреннее и глубоко благодарна своему научному руководителю Владимиру ГеннадиевичуКытину за предоставление темы диссертации, помощь в подготовке экспериментов и ценныесоветы и указания по интерпретации и представлению результатов.Я выражаю глубочайшую благодарность своему замечательному учителю и наставникупрофессору Кульбачинскому Владимиру Анатольевичу за ценные советы по методикепроведения экспериментов и интерпретации полученных результатов.Отдельную благодарность я хотела бы адресовать к.х.н.
Буровой Л.И. и профессору КаулюА.Р. за предоставленные образцы ZnO и данные об исследовании их структуры и магнитныхсвойств. Я благодарна профессору Т. Йоханссону (T.H. Johansen), Ю.М. Гальперину, А.Г.Ульяшину, С. Дипласу (S. Diplas) за предоставленные образцы In2O3:Sn и материалы обисследовании их структурных характеристик.Я хотела бы поблагодарить Форша П.А. и Ильина А. за предоставление установки длянапыления контактов на образцы и обучение работе на ней.Я признательна всему коллективу кафедры физики низких температур и сверхпроводимостифизического факультета МГУ за дружелюбную атмосферу и помощь в работеИ, конечно, огромное спасибо я хотела бы сказать своей Семье за поддержку и веру в меня..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
