Отзыв оппонента Васильевского (1102570)
Текст из файла
Официальнпгп Опппиента на диссергацикэ Максимпвпй Ольги Владимирпвны "Влияние лсгирпвания и услпвий Осаждения на .Зпкализацию и перенпс элсктрпнОВ в ТОНКИХ п.танках Оксида цинка и Оксида индия . Прсдставлснную на сОисканис учсиОЙ степени кандидата физико-математических наук по специальнпсти 01.04.00 - физика низких температур Диссертаципнная работа Максимовой Олы и Владимировны посвюцсна исследовани~О элсктрофизических и гальванпмагнитных свойств тонких пленпк оксида цинка и Оксида индия, Данные мьпериалы в ПОследние 15 лет привлека1От растугдий интерес ПО нескпльким причинам: Они прпзрачны В Видимпм диапазпнс спектра.
Облвдакп' Выспкпй электропровпднпстью и ширОКОй запреьченной зоной. Благодаря такому сочетанию своиств. пленки Оксида индия и Оксида цинка использукэт в прпмышленнпсти, например„в Оптпэлсктрпникс. Целью раб~ты являлпсь изучение влияния услпвий Осаждения и ктирпвания галлисм и кобальтом на механизмы перенпса и лпкализацию электрпнов в тпнких плснках ОксилОВ цинка и индия. ПОниманис мсханизмОВ рассеяния и лпкализации электрОИОВ. а также влияния услпвий осаждения н легирования на подвижность электронов важнп для пплучения плснпк с бплсе ВЫСОХОЙ элскгрспрОВОднпсгью и ~рп~ра~~п~~~ю. чтО актуальнО для практических применснии.
ПОмимО рсгпспия прикладных задач, изученис Оспбеннпстей трансппртных свпйсгв в данных материалах с сильнпй пплярнпй связью прсдсгаВляст интсрсс как сампстпятсльная фундаментальная. В связи с Выьпсизлпженным, тема диссертаципннпй работы являегся актуальнпй и Важной как с фупдаменталыюй. так н пракпгческой точек зрения. Опдержание диссертационной работы излсженО ВО введении, пяти главах дисссргации и ВывОдах.
ВО ВВсдснии сфпрмулирпваны цель и задачи рабпты. разпбраны научная ИОвизна и акгуальнпсть темы исследпвания. Приведены положения, вынпсимыс на заьпит. В перВОЙ главе диссертации предс ганзен обюр спвременнпгп спстпяния проблемы. в котором изложен дпстатпчнп пплробный анализ известных публикаций. Отмечу что ав1ором диссертации был прпделан дпбрптный аналити ческий Обзпр имеюгцихся исследований ПО пленкам Оксида цинка и Оксида индия. В нем прслставлсны данные и кристалличсскОЙ и ЗОИНОЙ структуре Оксида индия и Оксида цинка. механизмах расссяния электрОнОВ. рсзулгпагы эксйсриме1ггалы1ых исследОВаний элсьгрпфизнчсских и гальванпмагнитных сВОиств плснОк оксида индия и оксида цинка, а также рассмотрены основные теоретические модели, применяемые для описания и анализа экспериментальных данных.
В заключение главы обоснована актуальность цели и задач диссертационной работы. Во второй главе описаны методики синтеза пленок. исследованных в работе. Изучались два типа образцов: пленки оксида цинка. синтезированные методом химического осаждения нз газовой фазы, и пленки оксида индия. синтезированные методом магнетронного распыления. Далее представлены результаты исследований кристаллической структуры„морфологии поверхности пленок н магнитных свойств, описана установка для низкотемпературных измерений и методика исследования гальваномагнитных свойств исследуемых образцов. В третьей главе представлены результаты исследования температурной зависимости сопротивления, эффекта Холла и магнетосопротнвления при температурах ниже ЗО К в образцах и проведен их анализ в рамках теории квантовых поправок к проводимости, Одним из основных результатов раздела является предложенное автором описание квантовой поправки к магнетопроводимости тонких пленок в рамках теории слабой локализации носителей тока.
действительное в случае изменения размерности системы при изменении температуры и магнитного поля, Полученное выражение было успешно применено к описанию отрицательного магнетосопротивления в пленках, что позволило определить время неупругой релаксации фазы волновой функции и исследовать механизмы неупругого рассеяния носителей тока в пленках. Было показано„что наблюдаемое в исследовашиах пленках отрицательное магнетосопротивленне может быть объяснено в рамках теории слабой локализации с учетом изменения эффективной размерности электронной системы. Характер полученных температурных зависимостей времени релаксации фазы волновой функции указывает на электрон-электронный механизм неупругой релаксации.
В четвергой главе представлены результаты исследования температурной зависимости сопротивления, эффекта Холла и магнетсопротивления пленок оксида цинка, легированного кобальтом. Наиболее интересным результатом данной главы является предлагаемый механизм аномально большого магнетосопротивления, наблюдаемое наряду с прыжковой проводимостью в данных пленках при гелневых температурах, трактуемый автором в рамках модели, учитывающей обменное взаимодействие электронной подсистемы и ионов магнитной примеси.
Полученные оценки радиуса локализации электронов сравнимы с величиной боровского радиуса мелких доноров в оксиде цинка. Следует отметить. что результаты исследования аномально большого магнетосопротнвления в пленках оксида цинка, легированных ионами магнитной примеси, с прыжковым типом проводимости, представлены в ряде рабоз; однако, механизм появления магнат))сопро)ив))* ния не оыл обьяснен 1)анее. В питон гзаве представлены результаты исследован)ия Галы)аномаГНИ'! ных свОЙств пленок Оксида индия. лап!1)ОваннОГО Оловом. изн)товленио)о мет<гдом магиегронного распыления из металлической мипгени и О~сида цинка. Легированного галлием. синтезированного в условиях пирогидролиза. Получены оценки радиуса локализации и пл)п ности )лекгронных сос)ояний на уровне Ферми.
ПоказанО, чтО в пленках Оксида индия. легированных Оловом. Осажденных из Оксиднь)х миюеней в условиях з)е)1)й))и)а кислоро»)а наблюдается прыжковый тип ))е!)Сноса ))ектронов. в отличие от пленок. Изготовленных из металлооксидных мнюеней, в которых наблюдается мегалличсскнй тин проводимости. Показано, что в отличие от пленок 7п0:( а, синтезированных к окислительных условиях. в пленках 7п!):! )а. синтезированных в условиях пирогндролиза наблк)дается прыжковый механизм переноса носителей заряда. Показано. что радиус ))Окали)анин носи~елеЙ заряда и пленка~ Оксида цинк~.
Легированных Галлием. синтезированных в условиях пирогидролиза. не зависи! от содеражния галлия. а его величина вероятнее всего обусловлена стуктурой пленки. Помимо интересных результатов с точки зрения фундаментальных исследований. в данной главе полученны результаты.
характеризу)опцие влияние условий синтеза на свойства пленок. что важно для практического применения пленок оксида индия и оксида цинка. Далее формулируются основные резу))ьтаты и выводы работы, Отмечу наиболее СУБГЕС ГВЕННЬИЧ В плбнках оксида цинка. Легированно~о кобальтом. при низких температурах наблюдается аномальное положительное магнетосопротивление. величина которого увеличивается при увеличении содержания ~обад~~а. Анома))ьиое ~~л~~ител~ное магнетосопро! ивление в пленках оксида Гц)нка. ле! ированных кобальтом, моясет быть Обьяснено умеиьпгением плотноеги электр!»Иных состояний в маги)Г)ном по)ге вследствие ооменного взаимодействия между электронами ионов кобальта и )лектронами проводимости и случайноп) располг»женив ионов кобальга относительно локализованных электронных сос!ОяниЙ, участвуюгцих в элекгропрпводиости.
Полю)ено зиачение радиуса лоха))изации таких Состояний Слитков к радиусу ~~яких Доноров в оксиде цинка. Для магнетосопротивления. Обусловленногэ слаоОЙ локализациеЙ. получено выражение. действительное при изменении ратх)ериос)и плбик)! по Отис)пени)о к явлен~ю слаООИ локализации под действием маГнитнОГО поля, Выведенное выраж ние ЛОлиОстьк) Описывает )кспериментальньге данные по к)а!.Ие)осопротнвленнк». Обусловленному явлени~м слаоой локализации, при изм(..ненни размерности пленки. В ре(ультато анализа Отрнцателыгого маГнетОсОпротивл('ния при низких температурах пленок оксида пинка.
Легированного Галлисы и Оксида индия. легированного оловом. получены значения и темпера(»рные зависимости времени релаксации фазы ВОЛЯОВОЙ функции. 11оказано. что темперагурные зависимости могут быль описаны сзепеняой функцией НОказателем степени. соотВетстВ»10шим злектрОН-электронному кеехапнзму релаксац(еи фазы Полу«(енные значения Времени релаксации фазы Волповой Функции меныпе теОретических значений для ОснОВных известив(х механизмов 1эелаксацни (1(азы — электрОн-электрОннОГО и 'злектрон-фононнОГО. Диссертация изложена хорошим научным языком.
четко сформулированы цели работы. обоснована актуальность и научная новизна исследования. Дос(оверность полученных Экспериментальных данных подтверждается их воспроизводимостыо и использованием надея(ных и проверенных методик. Анализ Экспериментальных данных проводился на основе современных моделей и теоретических подходов. Все перечисленное подтверждает достоверность полученных результатов и выводов диссертации.
Вместе с тем. работа не свободна от недостатков, имен!тел замечания по диссертационной работе: »ле1лрофизические СВОЙства плйнок исслсдовзиы В достаточно В п(ироком температурном интервале. Теы не менее. Отсутствует анализ температурной зависимост~ ПОдвижнОстн носителеи заряда В и.'(енках. 2. Одним из Важных аспектов, Влияк(щих на Электронные транспорзнь,*е свойства оксидов цинка и индия. является стехнометрия состава.
однако. в работе отсугствузот данные О содержьп1ии кясл0110да В иссл(".дОвапнь(х пленках, 3. Б(«1«зо бы инзересно провес(н дополн«пельпое исс:(сдованнс п.н:нок оксида ц~~~~. .'(сп(рованнь(х кооальтом. Нап1зимер. с помо1ль!О ЭДМ1' 1злектрически детектирусмого мапн(тного резонанса).
что позволит подтвердить механизм магнетосо(противления„ обусловленный взанмодеиствием ионов магнитной г1римеси с злектронной подснстемои, Озмеченныс замечания не снижакп значимости н в(«!Сохой оценки ретульгагов даиьой диссертационной работы. Задачи исследования полностью соответствугот поставлен(сой цели, нх решение — достаточно под110бное. Р(.'з»л(па(1*1 и ВыВОды дяссе1ГГаш(м ОООснОВаны. а сама работа явля(тся заве1!шенным ~~~п~~~~н~~ исследованием. Основньш р«":зузьтаты и выводы диссертации достаточно полно изложены в публикациях автора, список которых приведен в диссертации. Содержание диссертации н основные выводы соответствует содержанию данных публикаций. Автореферат достаточно полно и ясно отражает содержание диссертационной работы. Считаю, что диссертационная работа Максимовой Р.В.
соответствует критериям, которым должны отвечать диссертации на соискание ученых степеней согласно п. 9 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства РФ (№ 842, от 24 сентября 2013 г). а соискатель - Максимова О.В. заслуживает присуждения ей исюмой ученой степени кандидата физию-математических наук по специальности 01.04.09 — физика низких температур, Официальный оппонент доцент кафедры № 67 Физики конденсированных сред Национального ядерного университета "МИФИ", к.ф.-м.н. Васильевский И. С.
тел.; 8 1495) 788-56-99, доб. 8170 еипа11: 1тав11е~з1о11«з)пза11хи 115409, г. Москва, Кашнрсюе ш., 31, Подпись И.С. Васильевсюго заверякк Полнись улГ ,''".3~ляг««»з: ~м".з д»кгыелз.юс~ ' ' !мну и .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
