Заключение организации (1091576)
Текст из файла
«УТВЕРЖДАЮ» П й проректор ниверситет» .Л. Панков 2017 г. ЗАКЛЮЧЕНИЕ федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет» по диссертационной работе аспиранта кафедры наноэлектроники физико-технологического института Винокурова Дмитрия Леонидовича на тему «Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Диссертационная работа выполнена на кафедре наноэлектроникн физико- технологического института федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет», Министерство образования и науки Российской Федерации.
В настоящее время Винокуров Дмитрий Леонидович является аспирантом кафедры наноэлектроники физико-технологического института Московского технологического университета. В 2013 г. Винокуров Д.Л. окончил федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики». Присуждена квалификация инженер по специальности «Нанотехнология в электронике».
Справка о сдаче кандидатских экзаменов выдана в 2017 г. Московским технологическим университетом. руководитель — Морозов Александр Игоревич, доктор физико- Научный математических наук, главный научный сотрудник Московского технологического университета. Выписка из протокола № 11 заседании кафедры наноэлектроника физико- технологического института федерального государственного бюджетного образовательного учреждении высшего образовании «Московский технологический университет» опф 15 ноибр» 201 б г. Прук~~~«кл..л А.Бур Г.Ф.,А. л, р ф.ру А.А..ллл, р ф.В ро~ К.А., к.ф.-м.н., доц.
Гладышев И.В., к.т.н., доц. Захаров А.К., к.ф.-м.н., доц. Индришенок В.И., к.т.н., доц, Каменцев К.Е., д.ф.-м.н., проф. Капустин В.И.у Колесникова Т.Г., Матвеева И.В., д.ф.-м.н., проф. Мишина Е.Д., д.ф.-м.н., проф. Морозов В.Г., к.т.н., доц. Певцов Е.Ф., д.ф.-м.н., проф. Покатилов В.С., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., к,ф.-м.н., доц. Фетисов Л.Ю., к.ф.-м.н., доц. Шерстюк Н.Э., д.ф.-м.н.у проф. Щука А.А., д.ф.-м.н., доц. Юрасов А.Н. Заседание вел заведующий кафедрой наноэлектроники академик РАН, д.ф.-м.н., проф. Сигов Александр Сергеевич.
Повестка дня: О рекомендации к защите диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук аспиранта четвертого года обучения кафедры наноэлектроники Винокурова Дмитрия Леонидовича «Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута» по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах».
Слушали: Выступление Д.Л. Винокурова по материалам диссертационной работы. В ходе обсуждения были заданы следующие вопросы: Доцент ЛЛО. Фетисов: Из каких слоев состоит магниторезистивная память и записью электрическим полем? Какую роль выполняет каждый из них? Ответ: Магниторезистивная память с записью электрическим полем (МЕВАМ) содержит, как минимум, четыре нанослоя, три из которых выполняют функцию хранения информации, а последний выступает в роли электрочувствительного слоя.
Электрочувствительным слоем называется слой, который при приложении внешнего напряжения изменяет свои характеристики и вызывает изменение направления намагниченности соседнего ферромагнитного слоя. Таким образом осуществляется запись информации. Выбор материала электрочувствительного слоя зависит от механизма взаимодействия электрочувствительного слоя с соседним ферромагнитным слоем. Последний является частью трехслойной наноструктуры с эффектом туннельного магнитосопротивления, состоящей нз двух ферромагнитных слоев разделенных тонкой диэлектрической прослойкой.
При заданном напряжении, ток, проходящий через магнитный туннель ный элемент, зависит от взаимной ориентации вектора намагниченности ферромагнитного слоя, в котором была записана информация, и фиксированным вектором намагниченности второго ферромагнитного слоя. Считывание ранее записанной информации происходит путем сравнения силы тока с эталонным значением.
Профессор В.Г. Морозов: Опишите модель, в рамках которой проводилось теоретическое исследование. Ответ: Расчеты аналитическими методами проводились в рамках теории среднего поля. Расчет искажений магнитных параметров порядка осуществлялся в линейном приближении. Была рассмотрена дискретная система квазиклассических локализованных спннов при температуре Тсс Тч и Т<< Тс, когда модули локализованных спинов можно считать неизменными. Предполагалось, что слои выращены эпнтаксиально или квазиэпитаксиально. В приближении взаимодействия ближайших соседей обменное поле ферромагнетика действует только на один атомный слой спинов мультиферроика.
В отсутствии внешнего поля в обменном приближении вектор намагниченности ферромагнетика ориентируется перпендикулярно вектору антиферромагнетизма мультиферроика, на компенсированную поверхность которого нанесен ферромагнитный слой (спин-флоп ориентация). Линейная теория соответствует случаю преобладания внутрислойных обменных интегралов над межслойным обменным интегралом. Прн выходе за рамки линейного приближения использовались численные методы в среде символьных вычислений Мар1езой Мар1е 15. Профессор В.С.
Покатилов". Какими перспективами с точки зрения дальнейшей миниатюризации и увеличения плотности записи информации устройств обладает магниторезистивная память с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута? Ответ: Ограничения на минимальный размер ячейки памяти диктуются существованием суперпарамагнитного предела. Модуль полной энергии взаимодействия слоев должен превосходить величину порядка?ОПТ-2 эВ (здесь /гв — постоянная Больцмана, а Т— абсолютная температура). В отличие от пьезоэлектрического механизма переключения намагниченности ферромагнитного слоя, в случае обменного взаимодействия слоев (например, при использовании феррнта висмута в качестве электрочувствнтельного слоя) нет необходимости в больших латеральных размерах бита.
Минимальный латеральный размер ячейки памяти, основанной на обменном взаимодействии между слоем ферромагнетика и электрочувствительным слоем феррита висмута, составляет 7 нм, Таким образом, память, в основу которой положен данный механизм, имеет большие перспективы дальнейшей миниатюризации. Доцент И.В. Гладышев: Какой ваш личный вклад в представленное исследование? Ответ: Мной лично проведена систематизация представлений о магниторезистивной памяти с записью электрическим полем, что определило направление исследований. Также мне принадлежит выполнение всех аналитических расчетов, численное моделирование параметров магнитного упорядочения и анализ полученных данных.
Код, описывающий временную эволюцию магнитных параметров порядка, написан совместно с А.А. Берзиным. Обсуждение и интерпретация полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем. Мой вклад заключается также в постановке ряда задач исследования. Председатель, академик РАН А,С.
Сигов: Мы выслушали сообщение Д.Л. Винокурова о работе над диссертацией и основных результатах. Хочется отметить огромный объем проведенной теоретической работы, ее высокий уровень, а также неоспоримо- внушительный личный вклад автора. Результаты работы опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК, прошли апробацию на ведущих международных и всероссийских конференциях. На основании вышеизложенного предлагаю одобрить результаты работы Д.Л. Винокурова над диссертацией и рекомендовать диссертацию к защите. Заслушав и обсудив доклад аспиранта Д.Л. Винокурова, а также ознакомившись с текстом диссертации и авторефератом„ кафедра наноэлектроники приняла следующее заключение: Актуальность темы и направленность исследования Диссертационная работы Винокурова Дмитрия Леонидовича посвящена актуальной проблеме: разработке новых физических принципов построения устройств памяти с целью повышения их энергоэффективности, быстродействия и появления новых возможностей миниатюризации устройств.
Переход на запись электрическим полем позволит избавиться от существующих проблем, связанных с записью информации, в устройствах магниторезистивной памяти. Личное участие соискателя ученой степени в получении результатов, изложенных в диссертации Диссертантом совместно с научным руководителем доктором физикоматематических наук, профессором Морозовым А.И. производились выбор темы, планирование работы, постановка задач и обсуждение полученных результатов.
Все результаты, приведенные в диссертационной работе, получены лично автором. Он выполнил все аналитические расчеты, провел численное моделирование параметров магнитного упорядочения и анализ полученных данных. Код, описывающий временную эволюцию магнитных параметров порядка, написан совместно с А.А, Берзиным. На все заимствованные положения даны ссылки. Степень достоверности результатов проведенных соискателем ученой степени исследований Достоверность полученных результатов и обоснованность выводов обеспечивалась использованием автором современных методов теоретической физики. Все результаты не противоречат известным экспериментальным исследованиям других авторов, более того, позволяют более строго интерпретировать существующие экспериментальные данные.
Результаты работы прошли апробацию у широкой аудитории специалистов по данной тематике. Все вышеперечисленное свидетельствует о достоверности полученных результатов и сделанных на их основании выводов. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «? ппсйопа! Ма1епа!з» (1СГМ-2013) (Крым, 2013 г,), Международном симпозиуме «Яр!и Жалея 2015» (Санкт-Петербург, 2015 г.), Международной конференции «201?з ?пгегпагюпа1 Соп?егепсе оп Мадпе6яп» (Вагсе1опа, Яра!и, 2015 г.), Международной конференции «4' 1п1егпа1юпа! Жогкзпор оп Маяпоп1сз. антош Рппйатеп!а?з 1о Аррйсайопз» и (Бееоп, Оеппапу, 2015 г.), Международной научно-технической конференции «?ХТЕКМАТ?С» (Москва, 2012 г., 2013 г., 2014 г. и 2016 г.), Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2013 г., 2014 г.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
