Отзыв второго оппонента (1091578)
Текст из файла
официального оппонента на диссертационную работу Винокурова Дмитрия Леонидовича «Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута», представленную на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01— Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах Диссертация Винокурова Дмитрия Леонидовича посвящена исследованию свойств многослойных магнитных наноструктур. В качестве объекта исследования выбраны наноструктуры, содержащие слой феррита висмута, который является хорошо изученным мультиферроиком с высокими температурами фазовых переходов, что обуславливает его возможное применение для новых устройств памяти с записью электрическим полем, функционирующих при комнатной температуре. Пространственно- модулированная магнитная структура феррита висмута разрушается в тонких слоях при толщинах менее 500 нм вследствие упругих напряжений, вызванных подложкой.
Разработка энергонезависимого устройства памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута (МЕКАМ) позволит решить проблему записи информации в современных устройствах магниторезистивной памяти: повысить энергоэффективность, вследствие отсутствия необходимости в использовании магнитных полей или спин поляризованных токов в процессе записи. Несмотря на перспективность использования нанослоев феррита висмута, развитие технологии МЕКАМ осложнено рядом нерешенных вопросов в физике многослойных магнитных наноструктур. Так, например, механизмы межслойного взаимодействия недостаточно изучены.
При этом именно они являются ключевым фактором, определяющим физические свойства многослойных наноструктур, а также функциональность устройств магниторезистивной памяти с записью электрическим полем. Задача осложнена необходимостью учета влияния границ раздела, а также поверхностных свойств отдельных материалов. В работе Д.Л. Винокурова особое внимание уделялось изучению механизмов межслойно го взаимодействия многослойных магнитных наноструктур, Вне всякого сомнения, тема диссертационной работы актуальна.
Актуальность диссертационной работы обуславливается также предложенными в ней теоретическими рекомендациями по созданию магниторезистивной памяти с записью электрическим полем. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 117 библиографических ссылок.
Общий объем диссертации составляет 129 страниц. Работа содержит 33 иллюстрации и 6 таблиц. Во введении приводится обоснование актуальности выбранной темы работы, сформулированы цель и основные задачи работы и указаны выносимые на защиту положения. В первой ~лаве приведен обзор литературных данных, посвященный предмету исследований. Рассмотрены существующие представления о магниторезистивной памяти, а также экспериментальным успехи в области создания прототипов устройств памяти с записью электрическим полем. Вторая ~лава посвящена упругому межслойному взаимодействию. Рассмотрены вопросы увеличения энергетического барьера между двумя стабильными состояниями намагниченности, а также природа бистабильности.
В третьей главе проведен расчет поверхностных искажений параметра порядка в уединенном слое слабого ферромагнетика. В четвертой главе описаны магнитные свойства границы раздела двухслойной пан о структуры ферромагнетик-мульти ферроик. Предложена теория, дающая объяснение вкспериментально наблюдаемому перемагничиванию ферромагнитного слоя при приложении электрического поля к слою мультиферроика. В пятой главе проведен расчет величин искажений магнитных параметров порядка вблизи границы раздела и энергии обменного взаимодействия слоев для двух возможных вариантов роста нанослоя Сов дРео ~ на ВЖеоз с учетом квазиэпитаксиального роста.
В шестой главе проведено численное моделирование магнитных параметров порядка в процессе переполяризации феррита висмута внешним электрическим полем в рамках феноменологической модели для энергии магнитной анизотропии мультиферроика, Найдены перспективные комбинации «срез-деформация-направление поля» для создания МБКАМ. В заключительной части диссертации сформированы основные результаты и приведены выводы работы.
Научная новизна диссертационной работы заключается в впервые представленной теории, описывающей механизм межслойн ого взаимодействия в устройствах на основе нанослоя мультиферроика феррита висмута. Показано, что переориентация вектора поляризации, вызванная электрическим полем, влечет за собой переориентацию вектора антиферромагнетизма. Доказано, что наличие слабого ферромагнетизма и линейного магнитоэлектрического эффекта не является необходимым для реализации магниторезистивной памяти на основе нанослоев мультиферроика, переключаемой электрическим полем.
На основе построенной теории предложены наиболее перспективные конфигурации «срез-деформация-направление поля» для создания магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута. В диссертационной работе впервые продемонстрировано влияние поверхности на слабый ферромагнетизм, обусловленный взаимодействием Дзялошинского-Мория. Практическая значимость диссертационной работы заключается в том, что в ней представлены физические принципы на которых можно создавать устройства магниторезистивной памяти нового поколения с записью электрическим полем.
Также описаны теоретические рекомендации по выбору среза, деформации, направления приложения электрического поля для устройств МЕКАМ. Полученные теоретические результаты могут быть практически использованы при постановке дальнейших экспериментальных задач, а также при создании технологии магниторезистивной памяти с записью электрическим полем рассчитанной на широкое применение. Достоверность полученных результатов подтверждается использованием современных методов теоретической физики. Результаты, полученные в работе, не противоречат экспериментальным данным, опубликованным в открытой печати.
Найденное аналитическое решение находится в хорошем согласовании с расчетами, проведенными численными методами. По теме диссертации опубликовано 11 работ, в том числе 7 статей в изданиях, входящих в перечень ВАК. Основные результаты диссертационной работы неоднократно представлялись на Международных конференциях. В качестве замечаний можно выделить следующие недостатки: 1. Диссертант использует приближение локализованных магнитных моментов при описании металлических слоев СоГе; 2. В пятой главе не обсуждаются экспериментальные возможности выбора одного из двух возможных вариантов согласования кристаллических решеток слоев; 3.
В шестой главе отсутствует оценка времени переключения поляризации, необходимая для обоснования применимости квазистатического приближения, Указанные недостатки не сказываются на общей положительной оценке диссертационной работы. Автореферат диссертации соответствует ее содержанию и адекватно отражает полученные результаты.
Диссертация соответствует специальности — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах. Диссертация Винокурова Д.Л. «Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута» по актуальности, новизне, масштабу проведенных в ней исследований и по совокупности полученных результатов отвечает критериям и. 9-14 и другим требованиям «Положения о порядке присуждения ученых степеней» ВАК Минобрнауки РФ, утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации от 24.09.2013 № 842, предъявляемым к кандидатским диссертациям. Автор диссертации, Винокуров Дмитрий Леонидович, несомненно, заслуживает присуждения степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01— Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. Официальный оппонент, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Института общей физики имени А.М.
Прохорова РАН Мухин Александр Алексеевич Адрес: 119991,Москва, ул. Вавилова, 38 Тел.: +7 (91б) 018-31-70 Е-та11: пш1сЫпбГ~ап.8р1.ги .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
