Заключение организации (1091319), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Детально рассматривается определение режимов одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом приборных пластин сапфира и карбида кремния, содержащих сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы на гетероструктурах Л1баХ/ба1ч, обеспечивающие, при достижении рекомендованного диапазона толщины для приборных пластин, высокое качество поверхности, В данной работе впервые осуществлено разделение на отдельные кристаллы трехмерных СВЧ МИС на гетероструктурах Л1баХЖаХ, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбида кремния, с выходом годных не уступающим существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники. Основные результаты диссертационной работы включают в себя разработанные технологические операции подготовки приборных пластин сапфира и карбида кремния к разделению на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах А10аХ/ба1ч и технологические операции резки, которые объединены в технологические процессы разделения, повышающие эффективность применения существующих методов разделения для приборных пластин сапфира и карбида кремния со сформированными на них трехмерными сверхвысокочастотными монолитными интегральными схемами на гетероструктурах А1баХ/баХ, что подтверждается анализом влияния разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния на выход годных и электрофизические параметры СВЧ МИС.
Технологический процесс разделения приборных пластин сапфира на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баМ с применением метода лазерного управляемого термораскалывания использовался при вьпюлнении ОКР «Разработка комплекта монолитных интегральных схем 5 мм диапазона длин волн», шифр «Многоцветник-22», Государственный контракт №13411.1400099.11.018 от 02 апреля 2013 г, выполненный в рамках реализации государственного оборонного заказа. Технологический процесс разделения приборных пластин карбида кремния на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баХ с применением метода резки дисками с алмазной режущей кромкой использовался при выполнении ПНИ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц» по заказу Минобрнауки России 1Соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г., уникальный идентификатор проекта ВГМЕН60714Х0011), в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 28 ноября 2013 г.
№ 1096. Перечисленные преимущества разработанных в данной диссертации решений могут расширить возможности технологических систем производства и повысить качество продукции в области СВЧ электроники на основе нитридных наногетероструктур. Личный вклад автора Автором лично установлены допустимый диапазон конечных толшин подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ~баМ, разработано решение для надежной защиты сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах АПзаМЖаМ со сложными конструктивными особенностями при операциях шлифования, полирования и резки, экспериментально определены режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния, содержащих сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы на гетероструктурах А1баХ/Стаи, выполнен анализ влияния разработанного технологического процесса разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1Ста1 1/баМ на электрофиз ические параметры СВЧ МИС.
В работах, выполненных в соавторстве, соискатель принимал активное участие в постановке задач, выборе и обосновании методов их решения и интерпретации полученных результатов. Соответствие содержания диссертацпн специальности, по которой она рекомендуется к защите Содержание диссертационной работы соответствует специальности 05,27.06 - «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» по и.
3 «Разработка и исследование технологических основ создания приборов микроэлектроники и функциональной электроники» и по п. 4 «Разработка и исследование технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники и функциональной электроники». Полнота изложения материалов в печати Основные научные и практические результаты работы опубликованы в ! 3 печатных работах, включая публикации в научных журналах, из которых 7 в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. Результаты исследований, составляющих диссертацию, докладывались на б международных и отечественных конференциях, В ходе обсуждения д.т.н., профессор 1амкрелидзе С,А., являющийся научным руководителем Трофимова А,А., отмстил, что диссертация является законченной научно-исследовательской работой, посвящена решению важной задачи и несет практическую значимость.
Результаты диссертационной работы использованы в научных разработках Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук при выполнении прикладных научных исследований и экспериментальных работ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц» (соглашение о предоставлении субсидии М>14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г.).
Структура и содержание представленного диссертационного исследования свидетельствует о научной зрелости диссертанта, позволяющей самостоятельно участвовать в решении научно-теоретических и практически значимых проблем СВЧ электроники. Во время работы над диссертацией соискатель проявил себя как специалист, владеющий глубокими теоретическими знаниями и необходимым практическим опытом. Опубликованные соискателем работы достаточно полно отражают содержание диссертации.
По мнению Гамкрелидзе С.А. работа полностью соответствует требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям, и ее следует рекомендовать к защите в Московском технологическом университете (МИРЭА). В обсуждении результатов работы приняли участие к.ф.-м.н. Хабибуллин Р.А., д.ф-м.н Галиев Г.Б., д.т,н. Мальцев Г1.П.. Поста повили: По 2-му пункту повестки днн. Председатель Ученого совета, д.т.н„профессор альцсв Ученый секретарь, к.ф-м.н. «23» ноября 2016 г. 'Р.А. Хабибуллин 10 Ученый совет ИСВЧПЭ РАН после обсуждения диссертационной работы Трофимова А,А. оценивает ее как научную квалификационную работу, которая по актуальности, объему, новизне и значимости результатов полностью соответствует требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям, Диссертация Трофимова А.А.
«Технолсгия разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1СаХ/баХ» представлена к защите на соискание ученой степени кандидата технических наук в диссертационном совете Д,212.131.02 в Московском технологическом университете ~МИРЭА) по специальности 05.27.0б «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
