Диссертация (1090806), страница 15
Текст из файла (страница 15)
Моделирование электромагнитных полей – как выбратьлучший метод / Д. Моррис // Электроника НТБ. – 2012. – № 3. – C. 124–129.68. Федоров, Ю.В. Перспективы замены арсенидных МИС на нитридные /Ю.В. Федоров, С.В. Михайлович // Нано- и микросистемная техника. – 2016.
– №4. – С. 217–226.69. Федоров, Ю.В. Физические и конструктивно-технологические пределыповышения рабочих частот HEMT на гетероструктурах A3/B5 / Ю.В. Федоров //Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическая конференция. –2015. – С. 22–25.70. Мокеров, В.Г. AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивнымнапряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до100 ГГц / В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина,А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В.
Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко,Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов // Физика и техникаполупроводников. – 2009. – том 43. – № 4. – С. 561–567.71. Kim, J.-Y. A ''Thru-Short-Open'' De-embedding Method for Accurate OnWafer RF Measurements of Nano-Scale MOSFETs / J.-Y. Kim, M.-K. Choi, S. Lee //Journal of Semiconductor Technology and Science. – 2012. – Vol.
12. – No. 1. – P. 53–58.72. Crupi, G. Microwave De-embedding From Theory to Applications / G. Crupi.D. Schreurs. – Academic Press, 2014. – P. 480.73. Галиев, Р.Р. Нитридные технологии для освоения миллиметровогодиапазона длин волн / Р.Р. Галиев, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Д.В. Крапухин,—118 —М.В.Майтама,О.С.Матвеенко,С.В.Михайлович,Ю.В.Фёдоров,М.Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника.
– 2015. – № 2. – С. 21-32.74. Разевиг, В.Д. Проектирование СВЧ устройств с помощью MicrowaveOffice / В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Курушин. – М.: СОЛОН-Пресс, 2003. –496 с.75. Козловский,Э.Ю.МоделированиеСВЧмалошумящегоpHEMTтранзистора с применением САПР Micrawave Office / Э.Ю. Козловский,Б.И. Селезнев // Вестник Новгородского государственного университета. – 2012. –№ 68. – С. 41–45.76. Коколов,А.А.ОбзорматематическихмоделейСВЧполевыхтранзисторов с высокой подвижностью электронов / А.А. Коколов, Ф.И. Феерман,Л.И.
Бабак // Доклады ТУСУРа. – 2010. – № 2. – С. 118 –123.77. Fujii, K. A Nonlinear GaAs FET Model Suitable for Active and Passive MMWave Applications / K. Fujii, Y. Hara, F. M. Ghannouchi, T. Yakabe, H. Yabe // IEICETrans. – 2000. – vol. E83-A. – No. 2. – P. 228.78. Pospieszalski, M.W. A new approach to modeling of noise parameters of FET’sand MODFET’s and their frequency and temperature dependence: dissertation / M.W.Pospieszalski. – National Radio Astronomy Observatory, 1988.
– P. 36.79. Pospieszalski, M.W. Modeling of noise parameters of MESFET’s andMODFET’s and their frequency and temperature dependence / M.W. Pospieszalski //IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. – 1989. – Vol. 37. –No. 9. –P.
1340-1350.80. Курушин, А.А. Проектирование СВЧ устройств с использованиемэлектронной диаграммы Смита / А.А. Курушин; под ред. д.т.н., проф. Б.Л. Когана– М.: издательство МЭИ, 2008. – 120 с.81. Colantonio, P. High Efficiency RF and Microwave Solid State PowerAmplifiers / P. Colantonio, F. Giannini, E. Limiti. – John Wiley & Sons Ltd, 2009. –P. 514.—119 —82. Bowick, C. RF Circuit Design / C. Bowick, J. Blyler, C.
Ajluni. – Newnes,2008. – P. 256.83. Bahl, I.J. Lumped Elements for RF and Microwave Circuits / I.J. Bahl. – ArtechHouse, 2003. – P. 512.84. Мальцев, П.П. Монолитная интегральная схема усилителя со встроеннойантенной для пятимиллиметрового диапазона длин волн / П.П. Мальцев,О.С. Матвеенко, Ю.В. Фёдоров, Д.Л. Гнатюк, Д.В. Крапухин, А.В. Зуев,С.Л. Бунегина // Известия вузов. Электроника. – 2014. – № 4 (108).
– С. 73–76.85. Мальцев, П.П. Особенности проектирования интегрального антенногоэлемента со встроенным усилителем 5-мм диапазона длин волн / П.П. Мальцев,О.С. Матвеенко, Ю.В. Фёдоров, Д.Л. Гнатюк, Д.В. Крапухин, А.В. Зуев,С.Л. Бунегина // Нано- и микросистемная техника. – 2014. – № 9. – С. 12–15.86. Федоров, Ю.В. Разработка базовой технологии создания монолитныхинтегральных схем усилителей мощности и малошумящих усилителей нанитридных гетероструктурах для приемо-передающих модулей / В.Ю.
Федоров,А.Ю. Павлов, В.Ю. Павлов, Н.Е. Иванова, С.С. Арутюнян, К.Н. Томош,А.О.Михалев//Фундаментальныепроблемырадиоэлектронногоприборостроения. – 2015. – № 4. – С. 240–243.87. Арутюнян, С.С. Формирование диэлектрической маски для селективногороста n+GaN в технологии невжигаемых омических контактов к структурамAlGaN/GaN / С.С. Арутюнян, К.Н. Томош // Мокеровские чтения. 6-яМеждународная Научно-практическая конференция.
– 2015. – С. 38–39.88. Федоров, Ю.В. МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧдиапазонанананогетероструктурах/Ю.В.Федоров,П.П.Мальцев,О.С. Матвеенко, Д.Л. Гнатюк, Д.В. Крапухин, Б. Г. Путинцев, А.Ю. Павлов,А.В. Зуев // Наноиндустрия. – 2015. – № 3. –С. 44–51.89. Chen, Z.N. Broadband Planar Antennas / Z.N. Chen, M.Y.W.
Chia. – JohnWiley & Sons Ltd, 2006. – P. 258.—120 —90. Щаврук, Н.В. Разработка базовой технологии разделения пластинкарбида кремния на кристаллы методом дисковой резки / Н.В. Щаврук,А.А. Трофимов, Н.Е. Иванова, А.О. Михалев // Фундаментальные проблемырадиоэлектронного приборостроения. – 2015. – № 2. – С. 87–89.91. Щаврук, Н.В. Разделение сапфировых пластин толщиной выше 300 мкмна кристаллы / Н.В. Щаврук, П.П. Мальцев, А.А. Трофимов, В.С.
Кондратенко,А.К. Зобов // Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическаяконференция. – 2015. – С. 54–55.92. Крапухин,Д.В.Моделированиеипроектированиемонолитнойинтегральной схемы малошумящего усилителя со встроенной антенной длядиапазона 57-64 ГГц // Д.В. Крапухин, Ю.В. Федоров, Д.Л. Гнатюк,О.С. Матвеенко, А.В. Зуев // Фундаментальные проблемы радиоэлектронногоприборостроения.
– 2015. – Т. 15. – № 4. – С. 49–52.93. Данилин, А.А. Измерения в технике СВЧ: учебное пособие для вузов /А.А. Данилин. – М.: Радиотехника, 2008. – 184 с.94. Федоров, Ю.В. Создание СВЧ монолитных интегральных ИС 5миллиметрового диапазона для применения в перспективных КС / Ю.В. Федоров,П.П. Мальцев, Д.Л Гнатюк, О.С. Матевеенко, Д.В. Крапухин, С.А.
Гамкрелидзе //Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы. – 2016. – Т. 3.– № 2. – С. 73–78..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
