Отзыв оппонента 2 (1090799)
Текст из файла
Акционерное общество «Государственный завод <(ПУЛЬСАР» 105187, г. Москва, Окружкой пропд, д. 37 Тел/4акс (499) 309-48-б2, 4акс: (4953 б01-94-1 7 50-30 Мир:// ы вы.цг,-ры10ыг.гы %Им'.Пульсар.~ъф е-тая: ораы11ые®дх-ры1кыг.гы ОТЗЫВ официального оппонента на диссертационную работу Крапухина Дмитрия Владимировича «Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц», представленную к защите на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Актуальность темы диссертации.
Диссертационная работа Крапухина Дмитрия Владимировича посвящена исследованиям и разработке МИС малошумящего усилителя (МШУ) для диапазона частот 57-64 ГГц на наногетероструктурах нитрида галлия. Основная идея работы — использование при проектировании и изготовлении МИС на (Бай технологии с заземляющей плоскостью, которая расположена на лицевой поверхности пластины на слое фотолака. В слое фотолака технологически изготавливаются отверстия, через которые осуществляется соединение элементов схемы и заземляющей плоскости. Проведены исследования пассивных элементов и тестовь|х транзисторов по данной технологии, которые показали ее пригодность для создания МИС диапазона 57-64 ГГц. По тестовым транзисторам построены модели в диапазоне частот до 67 ГГц, которые использованы при создании МИС МШУ и позволили достигнуть сопоставимых с мировыми аналогами характеристик.
Приборы на основе гетеро структур баХ могут иметь широкое практическое применение, в частности за счет высокой радиационной стойкости они широко востребованы в отрасли космической связи. Разработанные в диссертационной работе МШУ и МШУ со встроенной антенной могут быть использованы на входе однокристальных приемо- передающих модулей. Анализ и оценка содержания диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка сокращений и списка цитируемой литературы. В первой главе приводится аналитический обзор состояния в области разработки МШУ и встроенных антенн диапазона 57-64 ГГц, используемые материалы для разработки МИС. Глава 2 посвящена разработке принципиальной схемы и созданию топологии МИС МШУ и МШУ со встроенной антенной.
Описано использование технологии со сквозными отверстиями, по которой созданы транзисторы и спроектирована МИС МШУ. Созданные модели транзисторов позволили разработать МШУ с расчетным коэффициентом передачи 16 дБ и коэффициентом шума 6.5 дБ. Выполнено моделирование встроенной антенны, которая располагается на входе МШУ и изготавливается в едином цикле производства.
Глава 3 посвящена исследованиям диаграммы направленности антенны и Б-параметров пассивных элементов. Описан процесс измерений и используемый стенд. Результаты измерений пассивных элементов показали достоверность проектирования с использованием технологии со сквозными отверстиями. Измерения антенны показали достижение кардиоидной формы диаграммы направленности. В Главе 4 изложены результаты исследований Б-параметров и коэффициента шума МИС. Экспериментальные исследования показали работоспособность МШУ и МШУ со встроенной антенной по используемой технологии со сквозными отверстиями в диапазоне частот 57-64 ГГц и достижение характеристик, полученных при проектировании.
Сделан вывод о достижении МШУ на нитриде галлия характеристик на уровне мировых аналогов на арсениде галлия. Стоит отметить несколько наиболее важных научных и практических результатов: Крапухиным Д.В. на основе измерений СВЧ и шумовых параметров транзисторов со сквозными отверстиями в слое фотолака были построены шумовая и нелинейная модели транзисторов. По построенным моделям создана принципиальная схема МШУ, на основании которой создана топология интегральной микросхемы и выполнен ее электродинамический расчет, показавший возможность создания МШУ диапазона частот 57-64 ГГц с расчетным коэффициентом передачи 16 дБ и коэффициентом шума менее 6.5 дБ.
Выполнено моделирование встроенной антенны, реализуемой в едином технологическом процессе производства с МШУ. Антенна имеет полосу пропускания 57-64 ГГц и кардиоидную форму диаграммы направленности. Экспериментальные исследования изготовленных образцов МИС и тестовых элементов показали работоспособность технологии со сквозными отверстиями в слое фотолака, ее соответствие результатам расчета. МШУ показал работоспособность в диапазоне 57-64 ГГц и достижение расчетных характеристик. Исследования «системы-накристалле» состоящей из МШУ и встроенной антенны на входе усилителя показали работоспособность системы в рабочем диапазоне 57-64ГГц с коэффициентом передачи усилителя более 16 дБ.
В результате выполнения диссертационной работы впервые созданы МИС МШУ и МШУ со встроенной антенной для частотного диапазона 57-64 ГГц на гетероструктурах ОаХ на подложке сапфира. Впервые для нитрида галлия на подложке сапфира использована технология с заземляющими отверстиями через слой фотолака на лицевой поверхности пластины, позволившая создать МИС диапазона 57-64 ГГц по микрополосковой технологии.
Данная технология может использоваться для других диапазонов частот и при создании других типов МИС. Обоснованность научных результатов и выводов, положений, представленных к защите по диссертации. Подробные измерения характеристик транзисторов, пассивных элементов, антенн и МИС, использование традиционных методик зондовых измерений и современного оборудования дают основания утверждать, что представленные в диссертационной работе Крапухина Д.В. результаты и выводы являются новыми, достоверными и оригинальными. Результаты, полученные в диссертационной работе важны для разработки новых компонентов элементной базы СВЧ электроники, включающей приборы с еще более высоким значением частоты.
Новизна научных результатов и выводов, положений, представленных к защите по диссертации. Научная новизна работы Крапухина Д.В. состоит, прежде всего, в успешной разработке МИС МШУ на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц, что потребовало решение ряда научных задач, в частности использования технологии со сквозными отверстиями через слой фотолака. Данный подход не только позволил создать усилитель на нитриде галлия на подложке сапфира с характеристиками на уровне аналогов на арсениде галлия, но и может быть использован при создании на гетероструктурах нитрида галлия на подложке сапфира других типов МИС (например, генераторов и смесителей). Использование сквозных отверстий может быть использовано при создании устройств более высокочастотных диапазонах Основные результаты и выводы диссертационной работы широко освещены в научных журналах, а также прошли апробацию на российских и международных конференциях.
По результатам исследования опубликовано 13 работ в научных журналах и сборниках трудов международных и российских конференциях, в том числе 7 статей в реферируемых журналах из перечня ВАК. Публикации автора в полной мере отражают результаты, изложенные в диссертации.
Практическое значение результатов диссертации. Результаты работы могут быть использованы в АО «НПП «Исток» им. Шокина», ННГУ, ФГУП ФНПЦ НИЦ «Курчатовский институт». .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
