Диссертация (1090806), страница 14
Текст из файла (страница 14)
Нефёдов, Е.И. Устройства СВЧ и антенны: учебное пособие /Е.И. Нефедов. – М.: Академия, 2009. – 384 с.13. Бельчиков, С. Коэффициент шума. Теория и практика измерений /С. Бельчиков // Компоненты и технологии. – 2008. – № 4. – С. 196–199.14. Васильев, В.И. Определение шумовых параметров транзистора методомэквивалентных схем на основе измерения матрицы S-параметров и выходноймощности шума / В.И.
Васильев, В.И Алексеенков, А.К. Балыко, А.В. Верещагин,А.Ф.Рукавицын,М.А.Ушаков//МикроэлектроникаСВЧ(материалыконференции). – 2012. – С. 186–191.15. Козловский, Э.Ю. Измерения минимального коэффициента шума pHEMTтранзисторов в сантиметровом диапазоне / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев //Вестник Новгородского Университета. – 2014. – № 81. – С. 45–49.16.
Александров, Р. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри /Р. Александров // Компоненты и технологии. – 2005. – № 9.17. Раушер, К. Основы спектрального анализа: Пер. с англ. С.М. Смольского/ К. Раушер, Ф. Йанссен, Р. Минихольд; под редакцией Ю.А. Гребенко. – М.:Горячая линия–Телеком, 2006. – 224 с.18. Кондукторов, А.А.
Расширение динамического диапазона малошумящегоусилителя X-диапазона / А.А. Кондукторов, А.И. Кирпиченков // Электроннаятехника. Серия 3. Микроэлектроника. – 2016. – № 160. – С. 35–38.19. Викулов, И. Монолитные интегральные схемы СВЧ / И. Викулов //Электроника НТБ. – 2012. – №7. – С. 60–73.20. Marsh, S. Practical MMIC Design / S. Marsh. – Artech House, 2006. – P. 376.—112 —21. Васильев, А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках:учебное пособие / А.Г. Васильев, Ю.В.
Колковский, Ю.А. Концевой. – М.:Техносфера, 2011. – 256 с.22. Кищинский, А. Широкополосные транзисторные усилители мощностиСВЧ диапазона – смена поколений / А. Кищинский // Электроника НТБ. – 2010. –№ 2. – С. 60–67.23. Викулов, И. GaN-технология.
Новый этап развития СВЧ-микросхем / И.Викулов, Н. Кичаева // Электроника НТБ. – 2007. – № 4. – С. 80–85.24. Кищинский, А.А. Твердотельные СВЧ усилители мощности на нитридегаллия – состояние и перспективы развития / А.А. Кищинский // 19 Крымскаяконференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь.– 2009. – С. 11–1625.
Kistchinsky, A.A. Ultra-wideband GaN Power Amplifiers – From InnovativeTechnology to Standard Products / A.A. Kistchinsky // Ultra Wideband Communications:Novel Trends - System, Architecture and Implementation. – Ch. 11. – P. 213–232.26. Шахнович, И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние иперспективы / И. Шахнович // Электроника НТБ. – 2005. – № 5. – С.58–64.27.
Громов, Д.В. Материалы для микро- и наноэлектроники: учебное пособие/ Д.В. Громов, А.А. Краснюк. – М.: МИФИ, 2008. – 156 с.28. Quay, R. Gallium Nitride Electronics / R. Quay. — Springer, 2008. — P. 469.29. Коколов,А.А.ПостроениеихарактеристикиСВЧ-монолитныхусилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN /А.А. Коколов, М.В. Черкашин // Доклады ТУСУРа. – 2011. – № 2 (24).
– С. 17–23.30. Майская, В. Компоненты беспроводной связи – миллиметровая волна /В. Майская // Электроника НТБ. – 2011. – № 6. – С. 42–50.31. Федоров, Ю.В. Широкозонные гетероструктуры (Al,Ga,In)N и приборына их основе для миллиметрового диапазона длин волн / Ю.В. Федоров //Электроника НТБ.
– 2011. – № 2. – С. 92–107.—113 —32. Данилин В. Транзистор на GaN пока самый «крепкий орешек» /В. Данилин, Т. Жукова, Ю. Кузнецов, С. Тараканов, Н. Уваров // Электроника НТБ.– 2005. – № 4. – С. 20 – 29.33. Гольцова, М. Мощные GaN-транзисторы истинно революционнаятехнология / М. Гольцова // Электроника НТБ. – 2012. – № 4. – C.
86–100.34. Туркин,А.Обзорразвитиятехнологияполупроводниковыхгетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) / А. Туркин // Светодиоды,светодиодные кластеры и сборки. – 2011. – № 5. – С. 6–9.35. Мальцев, П.П. Нитридные приборы миллиметрового диапазона //П.П.
Мальцев, Ю.В. Федоров, Р.Р. Галиев, С.В. Михайлович, Д.Л. Гнатюк //Наноиндустрия. – 2014. – № 3. – С. 40–51.36. TriQuint, TGA4600, 60GHz Low Noise Amplifier, Product Datasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.triquint.com/products/p/TGA4600, свободный (дата обращения 01.05.2016)37. Sumitomo Electric Device Innovations Inc., FMM5716X, 60GHz Low NoiseAmplifier,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.sedi.co.jp/data.jsp?version=en&database=wireless&id=6634&class=01020400, свободный (дата обращения 01.05.2016)38. United Monolithic Semiconductors, CHA2159, 55-65GHz Low Noise /Medium Power Amplifier, Product Datasheet [Электронный ресурс].
Режим доступа:http://www.ums-gaas.com/all-products-selection-guide.php,свободный(датаобращения 01.05.2016)39. United Monolithic Semiconductors, CHA2157, 55-60GHz Low Noise /Medium Power Amplifier, Product Datasheet [Электронный ресурс]. Режим доступа:http://www.ums-gaas.com/all-products-selection-guide.php,свободный(датаобращения 01.05.2016)40. Microsemi Corporation, MMA034AA; MMA035AA; MMA036AA, MMICSelection Guide, Product Datasheet [Электронный ресурс]. Режим доступа:—114 —http://www.microsemi.com/products/mmic/low-noise-amplifiers,свободный(датаобращения 01.05.2016)41. Analog Devices, Inc., HMC-ALH382, GaAs HEMT LOW NOISE, ProductDatasheet [Электронный ресурс].
Режим доступа:http://www.analog.com/en/products/amplifiers/rf-amplifiers/hmc-alh382-die.html, свободный (дата обращения01.05.2016)42. Analog Devices, Inc., HMC-ABH209, GaAs HEMT MMIC MEDIUMPOWER,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.analog.com/en/products/amplifiers/rf-amplifiers/hmc-abh209-die.html,свободный (дата обращения 01.05.2016)43. Analog Devices, Inc., HMC1144, 40 GHz to 70 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.analog.com/en/products/rf-microwave/rf-amplifiers/power-amplifiers/hmc1144-die.html, свободный (дата обращения 01.05.2016)44.
Analog Devices, Inc., HMC-ABH241, GAAS HEMT MMIC MEDIUMPOWER,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.analog.com/en/products/amplifiers/rf-amplifiers/hmc-abh241-die.html,свободный (дата обращения 01.05.2016)45. RF-LAMBDA, R50G69GSA, Low Noise Amplifier 50-69GHz NF:3.8dB,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.rflambda.com/product_list.jsp?catalog=67, свободный (дата обращения01.05.2016)46.
RF-LAMBDA, R50G69GSB, Low Noise Amplifier 50-69GHz, ProductDatasheet [Электронный ресурс]. Режим доступа:http://www.rflambda.com/product_list.jsp?catalog=67, свободный (дата обращения 01.05.2016)47. RF-LAMBDA, R50G69GSC, Low Noise Amplifier 50-69GHz NF:3.8dB,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:—115 —http://www.rflambda.com/product_list.jsp?catalog=67, свободный (дата обращения01.05.2016)48. Ducommun Incorporated, ALN-61086015; ALN-61086030, Low NoiseAmplifier,ProductDatasheet[Электронныйресурс].Режимдоступа:http://www.ducommun.com/engineeredsolutions/millimeterwave/amplifiers.aspx,свободный (дата обращения 01.05.2016)49. NordenMillimeter[Электронныйhttp://www.nordengroup.com/products/amplifiers/,ресурс].Режимсвободный(датадоступа:обращения01.05.2016)50.
Федоров, Ю.В. Влияние параметров наногетероструктур и технологииизготовления на шумовые свойства AlGaN/GaN HEMT // Ю.В. Федоров, С.В.Михайлович // Нано- и микросистемная техника. – 2014. – № 10. – С. 12–17.51. Мальцев, П.П. Многослойные планарные антенны. Часть 1. Типы,реализации, преимущества / П.П. Мальцев, О.С. Матвеенко, Д.Л. Гнатюк, А.П.Лисицкий, Ю.В. Фёдоров, Д.В. Крапухин, С.Л.
Бунегина // Нано- и микросистемнаятехника. – 2012. – № 10. – С. 45-54.52. Мальцев, П.П. Многослойные планарные антенны. Часть 2. Обеспечениемногочастотного режима круговой или эллиптической поляризации излучения /П.П. Мальцев, О.С. Матвеенко, Д.Л. Гнатюк, А.П. Лисицкий, Ю.В. Фёдоров, Д.В.Крапухин, С.Л. Бунегина // Нано- и микросистемная техника. – 2012. – № 10. – С.46-52.53. Ротхаммель, К.
Энциклопедия антенн / К. Ротхаммель, А. Кришке. – 11-еизд., перераб. и доп. – М.: ЛАЙТ Лтд, 2007. – 420 с.54. Kumar, G. Broadband Microstrip Antennas / G. Kumar, K.P. Ray. – ArtechHouse, 2003. – P. 451.55. Volakis, J.L. Antenna engineering handbook / J.L. Volakis. – McGraw-HillEducation, 2007. – P. 1872.—116 —56. Воскресенский, Д.И. Устройства СВЧ и антенны / Д.И. Воскресенский,В.Л. Гостюхин, В.М. Максимов, Л.И. Пономарев; под ред.
Д.И. Воскресенского. –М.: Радиотехника, 2006. – 376 с.57. Сазонов, Д.М. Антенны и устройства СВЧ / Д.М. Сазонов. – М.: Высшаяшкола, 1988. – 432 с.58. Brezina, G.M. A 60 GHz System-on-package balanced antipodal Vivaldiantenna with stepped dielectric director (BAVA-SDD) in LTCC / G.M. Brzezina,R.E. Amaya, D. Lee, K. Hettak, J. Sydor, L. Roy // Proceedings of the 41st EuropeanMicrowave conference. – 2011. P. 547–550.59. Visser, H.J. Antenna theory and applications / H.J.
Visser. – John Wiley & SonsLtd, 2012. – P. 282.60. Панченко,Б.А.Микрополосковыеантенны/Б.А.Панченко,Е.И. Нефёдов. – М.: Радио и Связь, 1986. – 144 с.61. Мальцев, П.П. Обзор реализаций планарных антенн Х-диапазона с двумяслоямиметаллизации/П.П.Мальцев,О.С.Матвеенко,Д.Л.Гнатюк,А.П. Лисицкий, Ю.В. Фёдоров, С.Л. Бунегина, Д.В. Крапухин // Нано- имикросистемная техника. – 2012.
– № 4. – 45-52.62. Сычёв, А.Н. Общие подходы к оптимальному проектированиюинтегральных СВЧ-устройств. Обзор / А.Н. Сычёв // Доклады ТУСУРа. –2010. –№ 2 (22). – С. 76–80.63. Бабак, Л.И. Разработка GaAs и SiGe СВЧ монолитных интегральныхсхем, библиотек элементов и модулей САПР в Томском университете системуправления и радиоэлектроники / Л.И. Бабак, М.В. Черкашин, Ф.И. Шеерман, И.М.Добуш, А.А. Коколов, А.С. Сальников, А.А.
Калентьев, Д.В. Гарайс, А.Е.Горяинов, Д.А. Жабин // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. – 2016.– № 160. – С. 4–17.64. Николаев, Е. X-параметры – эффективный инструмент анализаэлектрических цепей / Е. Николаев // Электроника НТБ. – 2012. – № 1.
– C. 76–79.—117 —65. Walker, J. Handbook of RF and Microwave Power Amplifiers / J. Walker. –Cambridge University Press, 2012. – P. 704.66. Robertson, I.D. RFIC and MMIC design and technology / I.D. Robertson, S.Lucyszyn. – The Institution of Engineering and Technology, 2001. – P. 582.67. Моррис, Д.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
