Отзыв оппонента 2 (1090132), страница 2
Текст из файла (страница 2)
В работе неоднократно приводятся известные определения физических понятий: изотопа (с. 6,80 ), фонона (с.92,159,210), экситона (с. 40,152) и др. 2. В работе приводится много дополнительных сведений об изотопах, напрямую не связанных с темой диссертации, например, области применения радиоактивных изотопов, описание нуклеогенеза, геохронологии и т.д. 3. В пятой главе, посвященной эффективности применения модифицированных наноструктур в оптоэлектронных изделиях для ВОСП: не содержится достаточного обоснования приведенному значению количественной оценки сужения полосы излучения полупроводникового лазера на ИСВР( в два раза); при рассмотрении работы фотоприемников на квантовых структурах использована упрощенная модель образования теплового шума.
Перечисленные выше замечания не влияют на высокую оценку теоретической и практической значимости диссертации, которая является законченным научным исследованием. Содержание и число публикаций в журналах, а также выступления на конференциях свидетельствуют о достаточно полном освещении результатов диссертационной работы. Полученные результаты опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК, в журналах из БД Бсорпз, в трех монографиях. Автором получены четыре патента.
Автореферат полностью соответствует диссертации. Основные положения диссертации достаточно полно отражены в автореферате. В целом диссертационная работа Журавлевой ЛМ. выполнена на достаточно высоком научном уровне, является завершенным научным исследованием и отличается актуальностью, новизной и практической ценностью. Диссертация отвечает всем требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени доктора технических наук, а ее автор, Журавлева Л.М., достойна присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники). Д.т.н., профессор, заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника», декан факультета «Автоматика и электроника» Национального исследовательского ядерного университета «Московский инженерно-физический институт», НИЯУ «МИФИ» ~, С'~ "~ В,С.
Першенков .