Справочное пособие - микросхемы и их применение (1086445), страница 8
Текст из файла (страница 8)
Нагрузкой каскада служат транзисторы T2 и T3. На транзисторы T4 и Т5, также входящие всостав смесителя, напряжение сигнала не подается. При подаче на вывод 5 напряжения гетеродина в нагрузкепроисходит компенсация встречно направленных составляющих тока с частотой гетеродина, протекающих вколлекторных цепях транзисторов основной и вспомогательной пар.
Комбинационные составляющие непретерпевают изменений. Такой преобразователь, в частности, может найти применение в приемникаходнополосных сигналов.Рис. 2.5. Преобразовательная (а) и модуляторная (б) микросхемы серии 235Гетеродинная часть микросхем на транзисторе T7 может быть использована в нескольких вариантах.Режим работы транзисторов микросхемы по постоянному току определяется делителем Rio, Re, R?, Rs, Тй.Транзистор Тй используется как термокомпенсирующий диод.Нижняя граничная частота по сигнальному входу для микросхемы 235ПС1 не более 600 кГц, а длямикросхемы 235ПС2. не более 50 кГц и соответственно по гетеродинному входу 50 кГц и 1 кГц.
Микросхемаобеспечивает крутизну преобразования не менее 2 мА/В при частоте сигнала 150 и частоте гетеродина 148,4МГц. Коэффициенты подавления по сигнальному и гетеродинному входам не менее 10 дБ. Сопротивлениесигнального входа не менее 1, а. гетеродинного не менее 1,5 кОм. Емкости сигнального и гетеродинного входовне более 25 пФ. Напряжение собственного гетеродина не менее 300 мВ. Напряжение питания 6,3 В±10%,потребляемая мощность не более 35 мВт.Примеры практического использования микросхем показаны на рис. 2.4,3, и.Микросхемы 235МП1 (рис.
2.5,6) и 235МП2 представляют собой кольцевые модуляторы, выполненные поединой схеме и различающиеся только емкостью отдельных конденсаторов. Последовательно с диодами Д1 —Д4 включены резисторы R5 — R8 для улучшения симметрии. Симметрирование входов и выходов модуляторапроизводится с помощью резисторов R1, R2, R11, R12. Для подачи напряжения на диагонали моста в схемеимеются две пары резисторов: R3, R4 и R9, R10.Если подключить к микросхеме трансформаторы и подать напряжения несущей и модулирующей частоттак, как показано на рис.
2А,к, то на выходе появится модулированное колебание, в спектре которого будутсодержаться составляющие верхней и нижней боковых частот. Составляющие с частотой несущей и модулирующего сигнала будут подавлены. Можно выполнить модулятор и без трансформаторов. В этом случаемикросхему включают между симметрирующими усилительными микросхемами 235УН4, обеспечивающимипарафазные выходы.Микросхемы 235МП1 и 235МП2 используют и для создания фазовых детекторов. Напряжения гетеродина исигнала подают через симметрирующие усилители 235УП1 на входы 1, 3 к 9, 11, а выходное напряжение НЧснимают с нагрузки (с фильтрующим конденсатором), включенной между выводами 5 и 7.Нижняя граничная частота по сигнальному входу у микросхемы 235МП1 не превышает 10, а у микросхемы235МП2 — 2,5 кГц. Крутизна характеристики в режиме фазового детектора на частоте 0,2 МГц не менее 6,5мВ/град, коэффициент передачи модулятора на этой частоте более 0,2.
Коэффициент подавления ВЧ в диапазоне 50 — 2500 кГц изменяется от 26 до 14 дБ.Пример модулятора на микросхеме 235МП1 приведен на рис. 2.4,к.Микросхемы серии 435 для аппаратуры радиосвязи. Серия состоит из 14 гибридных микросхем,предназначенных для создания высококачественной радиоаппаратуры, работающей в диапазоне до 200 Мгц.По полноте укомплектования, электрическим параметрам и функциональным возможностям микросхемсерия 435 превосходит серии 219, 235 и др. Некоторые микросхемы серии 435 выполнены аналогично лучшиммикросхемам серии 235.Серия 435 содержит усилитель ВЧ и ПЧ с АРУ (435УВ1) с крутизной проходной характеристики не менее60 мА/В; экономичный усилитель ПЧ (435УР1) с крутизной проходной характеристики более 120 мА/В; триусилителя НЧ (435УН1, 435УН2 и 435УНЗ), первый из которых характеризуется высокой универсальностью, апоследний повышенной выходной мощностью (40 мВт); усилитель-ограничитель (435УП1) с амплитуднымидетекторами для частотных дискриминаторов; микросхему усилителя-генератора 435УП2, предназначеннуюдля создания двух независимых генера-торов или четырех коммутируемых эмиттерных повторителей; микросхему 435КН1 с шестью независимыми транзисторными ключами и микросхему 435КН2 с двумяидентичными независимыми коммутаторами; универсальную микросхему 435 ХП1, работающую на частотахдо 200 МГц; двойной балансный смеситель (435ХА1); кольцевой модулятор (435МА1); формировательимпульсных сигналов (435АП), выполненный на триггере Шмитта; детектор AM сигналов с усилителемпостоянного тока и эмиттерным повторителем (435ДА1).Напряжение питания микросхем 6 В±10 %.Рис.
2.6. Широкополосный усилитель на микросхеме К175УВЗМикросхемы серии К175 для радиовещательной аппаратуры. Серия состоит из пяти микросхем,позволяющих выполнить в интегральном исполнении основные узлы радиовещательных приемников.Микросхема К175УВ1 представляет собой широкополосный усилитель с коэффпциентом усиления понапряжению не менее 10. Коэффициент гармоник не более 10%. Входное сопротивление не менее 1 кОм.Выпускают дзе модификации микросхемы с различными верх» ними частотами (30 и 45 МГц).Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 % при токе потребления не более 15 мА.Микросхема К175УВ2 является универсальным усилителем.
Универсальность микросхемы определяетсяналичием в ней дифференциального усилителя.Микросхему выпускают в двух модификациях, различающихся верхней рабочей частотой (40 или 55 МГц).Входное сопротивление микросхемы не менее 1 кОм, коэффициент шума не более 10 дБ, крутизна проходнойхарактеристики не менее 10 мА/В.Напряжение питания микросхемы 6 В+10 % при токе потребления не более 3,5 мА.Микросхема К175УВЗ является стабилизированным экономичным усилителем с повышенной крутизнойпроходной характеристики (250 — для модификации А и 400 мА/В — для модификации Б). Верхняя граничнаячастота 2,5 МГц, входное сопротивление не менее 750 Ом, коэффициент шума не более 10 дБ.Напряжение питания б В+10 % при токе потребления не более 2 мА.Микросхема К175УВ4 является усилителем-преобразователем ВЧ и определяет частотный диапазонаппаратуры, создаваемой на микросхемах серии К175.
Верхняя граничная частота усилителя-преобразователяВЧ составляет 150 МГц. Крутизна проходной характеристики на частоте 1 МГц не менее 10 мА/В.Напряжение питания 6,3 В+10 %. Ток потребления не более 3 мА.Микросхема К175ДА1 содержит детектор AM сигналов и детектор АРУ с усилителем постоянного тока.Коэффициент передачи детектора не менее 0,4, коэффициент передачи по цепи АРУ не менее 20.Напряжение питания 6 В+10 %. Ток потребления не более 2 мА.На рис. 2.6 показан для примера широкополосный усилитель на микросхеме К175УВЗ.2.3. СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ АППАРАТУРЫМикросхемы серии К224.
Серия К224 одна из наиболее распространенных в практике радиолюбителей. Загоды выпуска серии состав ее и параметры микросхем существенно изменились. На мо«мент написания книги серия состояла из 31 микросхемы. В основном они предназначены для созданиятелевизионной аппаратуры, но могут найти широкое применение и в радиовещательных приемниках.Микросхема К2УС242 (рис. 2.7,а) представляет собой однокас-кадный универсальный усилитель дляприемников AM и ЧМ.Транзистор TI может быть включен по схеме ОЭ, ОБ или ОК. В зависимости от схемы включения меняютсяфункции, выполняемые имеющимися в микросхеме пассивными компонентами.
В схеме ОЭ резистор Rzиспользуют в качестве нагрузочного, резистор R3 стабилизирует режим транзистора, конденсатор С2 присоединении выводов 6 и 7 уменьшает обратную связь по переменной составляющей, а цепь R4, С3 выполняетроль фильтра в цепи питания, если напряжение питания подают на вывод 9.Смещение на базу транзистора подают обычно от внешнего стабилизированного источника (3 В) черезвывод 2 и резистор R{.
Эта цепь может быть использована для подачи напряжения АРУ (например, отмикросхемы К2ЖА243).При включении по схеме ОЭ сигнал поступает на базу транзистора через вывод 1 и конденсатор Сь Нагрузкаможет быть апериодической или резонансной. В первом случае ее сопротивление должно выбираться изусловия пребывания рабочей точки в линейной активной области характеристик при заданном питающем напряжении и из условия обеспечения требуемого коэффициента усиления.
При резонансной нагрузке первичнуюобмотку трансформатора целесообразно включить между выводами 4 к 8, а напряжение питания подать навывод 9 (см. рис. 2.8,а). Для расширения полосы пропускания параллельно контуру можно подключить резистор сопротивлением 5 — 10 кОм.Микросхему К2УС242 можно использовать в качестве смесителя. При этом сигнал подают через вывод 1 набазу транзистора, а напряжение гетеродина — через вывод 6 на эмиттер. Для выделения ПЧ целесообразноиспользовать пьезокерамический фильтр, связанный с микросхемой через согласующий трансформатор.На основе рассматриваемой микросхемы можно создать и гетеродин.
Его выполняют по схеме синдуктивной связью с переменным конденсатором в выходном контуре (при необходимости перестройкигетеродина).Примеры использования микросхемы К2УС242 в усилителе и в преобразователе показаны на рис. 2.8,а, б.Микросхему К2УС242 можно использовать в диапазоне 0,15 — 30 МГц. При этом параметры устройствасущественно зависят от схемы включения транзистора и параметров навесных элементов.
Для примера можноотметить, что в усилительном режиме при включении транзистора по схеме ОЭ микросхема на частоте 10 МГцимеет входное сопротивление 150 Ом и обеспечивает крутизну передаточной характеристики не менее 25мА/В. Напряжение питания 3,6 — 9 В, потребляемая мощность не более 15 мВт.Микросхема К2УС245 (рис.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
