Справочное пособие - микросхемы и их применение (1086445), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Они различаются по форме,размерам, материалу корпусов, количеству и типу выводов, массе и т. д. Как видно из табл. 2.3, длярассматриваемых в настоящей главе микросхем используется 25 типоразмеров прямоугольных и круглыхкорпусов со штырьковыми или пленарными выводами.
Часть микросхем (серий К129, К722 и др.) выпускаетсяв бескорпусном оформлении с гибкими проволочными или жесткими выводами. Масса микросхем в корпусахколеблется от долей грамма (корпуса 401.14-2 и 401.14-3) до 17 г (корпус 157.29-1). Масса бескорпусныхмикросхем не превышает 25 мг.По предельно допустимым условиям эксплуатации микросхемы разных серий существенно различаются.Различие по температурному диапазону применения аналоговых микросхем показано в табл. 2.4.
Очевидно,что микросхемы, характеризуемые нижним пределом температурного диапазона — 10 или — 30 °С, не могутбыть рекомендованы для применения в переносной аппаратуре, предназначенной для работы в зимнихусловиях. Иногда серьезные ограничения накладывает верхняя граница +50 или +55 °С.По устойчивости к механическим нагрузкам микросхемы различных серий близки друг к другу.Большинство микросхем выдерживает вибрационную нагрузку в диапазоне от 1 — 5 до 600 Гц с ускорением 10g. (Для микросхем серий К122, К123 ускорение не должно превышать 5 g, а для микросхем серий КП9 и К167— 7,5 g.) Исключение составляют микросхемы серии К245 и часть микросхем серии К224, диапазонвибрационных нагрузок для которых 1 — 80 Гц с ускорением 5 g.Объем настоящей книги не позволяет детально рассмотреть все выпускаемые отечественнойпромышленностью микросхемы.
Поэтому далее дана лишь краткая характеристика приведенных в табл. 2.1серий и входящих в них микросхем с указанием основных параметров, проведено сравнение микросхем повидам и более подробно проанализированы схемотехнические и функциональные особенности микросхемсерий К122, К140, К224, 235, К521, которые, по мнению авторов, могут представлять наибольший интерес дляширокого круга читателей. Для ряда микросхем приведены примеры типовых функциональных узлов.Необходимую информацию о микросхемах других серий можно найти в каталогах, справочниках, книгах ипериодической литературе, в первую очередь в журналах «Радио» и «Электронная промышленность».Пользуясь этими изданиями, следует помнить о том, что в них часто отождествляются параметры собственноинтегральных микросхем и параметры функциональных узлов, иногда представляющих лишь один из многихвариантов применения конкретной микросхемы. При использовании ее с другими внешними элементами и прииных вариантах коммутации выводов параметры узлов могут существенно отличаться от приводимых влитературе данных.
Кроме того, следует заметить, что в различных источниках наблюдаются расхождения вописании отдельных микросхем при количественной оценке их параметров. Это связано с расширениемноменклатуры отдельных серий и с модернизацией некоторых микросхем.2.2. СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ РАДИОСВЯЗИ ИРАДИОВЕЩАНИЯВ настоящее время большинство каскадов приемопередающей и радиовещательной аппаратуры может бытьвыполнено на основе интегральных микросхем.Отечественная промышленность выпускает несколько серий микросхем, предназначенных дляиспользования в аппаратуре радиосвязи.
Из них наибольшей функциональной полнотой по видам микросхемобладают серии 219, 235 и 435.Микросхемы серии 219 для KB и УКВ радиоаппаратуры. Серия 219 состоит из 13 микросхем,предназначенных для построения трактов приемопередающей радиоаппаратуры, работающей в диапазоне до 55МГц.Рис. 2.1. Усилительные микросхемы серии 235Микросхему 219УВ1 используют в усилителях ВЧ. Ее выпускают в двух модификациях, различающихсякоэффициентом усиления напряжения.
На частоте 50 МГц при входном сигнале 10 мВ и добротности контураQ = 60 резонансный усилитель, выполненный на микросхеме 219УВ1А, обеспечивает усиление в 20 — 40 раз, авыполненный на микросхеме 219УВ1Б в 20 — 80 раз. Основу усилителя составляет каскодная паратранзисторов, включенных по схеме ОЭ — ОБ. Наличие в эмиттерной цепи набора резисторов позволяетиспользовать микросхему не только при номинальном напряжении источника питания 5 В, но и принапряжениях до 8 В. Потребляемая мощность не превышает 15 мВт.Микросхема 219УР1 предназначена для использования в усилителях ПЧ, работающих в диапазоне 0,5 — 1,0МГц.
Основу ее составляет пара транзисторов, включенных по схеме ОЭ — ОЭ. При резонансной нагрузке(добротность контура Q = 60) и при входном сигнале 0,1 мВ усилитель обеспечивает на частоте 650 кГцкоэффициент усиления не менее 600. Входное сопротивление превышает 600 Ом. Микросхему 219УР1 можноиспользовать и в качестве смесителя.
В этом случае напряжение от внешнего гетеродина следует подавать навывод 8. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.Микросхема 219УН1 предназначена для создания двухкаскад-ного микрофонного усилителя скоэффициентом усиления на частоте 1 кГц не менее 200 и с коэффициентом нелинейных искажений не более 5%. Подбором внешних элементов можно не только обеспечить работу в основном диапазоне частот 300 — 3400Гц, но и перевести усилитель в диапазон ПЧ до 5 МГц.
Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %,потребляемая мощность не более 10 мВт.Микросхема 219УП1 представляет собой двухкаскадный усилитель НЧ и используется в качестве элементашумоподавителя при отсутствии полезного сигнала на входе приемника. Диапазон рабочих частот 300 Гц — 5МГц. При входном напряжении 30 мВ на частоте 3 кГц выходное напряжение усилителя превышает 750 мВ.Помимо основного назначения микросхема 219УП1 может найти применение в предварительном усилителе НЧс диапазоном рабочих частот 0,1 — 7 кГц и в усилителе ПЧ на частотах до 700 кГц. Напряжение питаниямикросхемы 5 В+10 %, потребляемая мощность не более 10 мВт.Микросхемы 219МС1 и 219МС2 предназначены для использования в подмодуляторах. Двухкаскадныйподмодулятор на основе микросхемы 219МС1 может управлять емкостью варикапа на частотах от 200 Гц до 5МГц, обеспечивая на частоте 1 кГц усиление более чем в 18 раз.
Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %или 8 В±10%. Потребляемая мощность не более 18 мВт.Микросхема 219МС2, выполненная по трехкаскадной схеме, обладает большим усилением и обеспечиваетна частоте 1 кГц выходное напряжение 800 мВ при входном напряжении 2 мВ. Диапазон рабочих частот от 200Гц до 1,5 МГц. Эту микросхему можно применять в радиостанциях для тонального вызова корреспондентов.Тонгенератор обеспечивает выходное напряжение не менее 1 В. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %,потребляемая мощность не более 15 мВт.Микросхема 219ДС1 совмещает в себе ограничитель и дискриминатор, что позволяет ограничивать поамплитуде сигнал ПЧ перед подачей его на чувствительный фазовый детектор и этим снижать уровеньнелинейных искажений. Микросхема используется в диапазоне частот 0,5 — 1 МГц.
На частоте 650 кГц привходном напряжении 1 мВ напряжение ограничения составляет 0,9 — 1,4 В. Напряжение питания микросхемы5 В+10%, потребляемая мощность не более 2,5 мВт.Микросхема 219ПС1 предназначена в основном для применения в смесителях частоты. Она выпускается вдвух модификациях (А, Б) для диапазонов частот 44 — 55 и 10 — 14 МГц. При частоте сигнала 48 МГц (Uс=10мВ) и частоте гетеродина 34 МГц (Uгет=:200 мВ) коэффициент преобразования смесителя на микросхеме219ПС1А не менее 30. Микросхема 219ПС1Б при частоте сигнала 14 МГц (Uc=5 мВ) и частоте гетеродина 13,35МГц (Uгет= = 250 мВ) обеспечивает коэффициент преобразования не менее 80.
Наличие в микросхемедифференциальной пары согласованных транзисторов позволяет создавать на ее основе такие узлы малогабаритных приемников УКВ диапазона, как дифференциальные и каскодные усилители ВЧ и ПЧ, преобразователичастоты, усилители НЧ и т. д. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 % или 8 В± + 10 %.
Потребляемаямощность не более 23 мВт.Микросхемы 219ГС1 и 219ГС2 применяют в качестве активных элементов кварцевых генераторов,работающих на частотах 30 — 70 и 1 — 30 МГц соответственно. Генераторы выполняют по емкостнойтрехточечной схеме. Генератор на микросхеме 219ГС1 на частоте 34 МГц обеспечивает выходное напряжениене менее 130 мВ. Относительная нестабильность частоты (без учета нестабильности частоты кварцевогорезонатора) не более +5Х10~в.
Потребляемая мощность не более 15 мВт. Генератор на микросхеме 219ГС2 начастоте 13,55 МГц обеспечивает выходное напряжение не менее 230 мВ. Относительная нестабильностьчастоты + 10Х10-6. Потребляемая мощность не более 15 мВт. Напряжение питания 5 В+10%,Для создания маломощных ЧМ возбудителей в виде кварцевых генераторов с непосредственной модуляциейвыпускают микросхему 219ГСЗ. Для обеспечения модуляции последовательно с кварцевым резонаторомвключают варикап, емкость которого меняется под влиянием напряжения, подаваемого с выходаподмодулятора.
На частоте 10 МГц девиация частоты составляет не менее +5 кГц. Выходное напряжениемодулированного сигнала не менее 45 мВ. Коэффициент гармоник не более 13 %. Напряжение питания микросхемы 5 В+10 %, потребляемая мощность не более 15 мВт.Микросхемы 219НТ1 и 219НТ2 — транзисторные сборки, предназначенные для создания маломощныхтранзисторных каскадов. Микросхема 219НТ1 содержит пять транзисторов 2Т317, а микросхема 219НТ2 —четыре.Микросхемы серии 235 для KB и УКВ радиоаппаратуры. Сочетанием высокой функциональнойзаконченности с многоцелевым назначением характеризуются микросхемы серии 235, предназначенные дляиспользования в KB и УКВ радиоаппаратуре на частотах до 150 МГц.
Серия состоит из 22 микросхем,выполненных по гибридной технологии.Микросхему 235УВ1 (рис. 2.1,а) выпускают в двух модификациях (А, Б) и применяют в основном вусилителях ВЧ (см. рис. 2.2,а).Усилительная часть микросхемы, выполненная по каскодной схеме ОЭ — ОБ на транзисторах Т2 и Т1,обеспечивает устойчивое усиление на ВЧ при сравнительно низком уровне шума (на частоте 150 МГцкоэффициент шума не более 7 дБ для модификации А и. не более 10 дБ для модификации Б). Крутизнапроходной характеристики на частоте 150 МГц не менее 7 мА/В, а на частоте 10 МГц не менее 20 мА/В.Благодаря термозавиоимому делителю базового смещения (резисторы R1 — R3 и диоды Д1 и Д2) и цепямобратной связи относительное изменение крутизны проходной характеристики не превышает ±25% в интервалетемператур от — 60 до -f-70°C.На частоте 10 МГц входное сопротивление не менее 0,5 кОм, входная емкость не более 25 пФ, выходноесопротивление не менее 30 кОм, а выходная емкость около 6 пФ.Схема на транзисторе Т3 позволяет осуществить АРУ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
