Справочное пособие - микросхемы и их применение (1086445), страница 6
Текст из файла (страница 6)
Изменение напряжения, подаваемого на вывод 7,вызывает изменение эмит-терного тока транзистора Тз, а следовательно, и токов транзисторов T2 и T1. Врезультате происходит смещение рабочей точки усилителя. Напряжение задержки АРУ не менее 1,45 В, амаксимальная глубина регулировки по цепи АРУ до 46 дБ (при напряжении АРУ 4 В).При сопротивлении нагрузки 100 Ом микросхема обеспечивает на частоте 10 МГц усиление не менее чем в200 раз (при коэффициенте устойчивости 0,9).Напряжение питания 6,3±10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.Кроме своего основного назначения микросхема 235УВ1 применяется в смесителях с регулируемымкоэффициентом преобразования.
Напряжение внешнего гетеродина в этом случае подают в коллекторную цепьтранзистора Т2 через конденсатор C4 или через внешний конденсатор, подключаемый к выводу 8.Микросхемы 235УР2 (рис. 2.1,6) и 235УР8 предназначены главным образом для работы в качествевыходных усилителей тракта ПЧ. Они имеют одинаковое схемное построение, которое включает в себятрехкаскаднын усилитель на транзисторах TI — Т3 и эмиттер-иып повторитель на транзисторе 7VВходная часть усилителя выполнена по схеме с ОЭ, а выходная — -по каскодной схеме. Это обеспечиваетхорошую развязку по переменной составляющей между входом и выходом микросхемы.
Наличие глубокойобратной связи по постоянному току позволяет изменять питающее напряжение от 4 до 16 В.Рис. 2.2. Варианты применения усилительных микросхем серии 235:а — резонансный усилитель ВЧ; б — апериодический усилитель ПЧ; в — усилитель ПЧ спьезокерамическим фильтром на входе; г — резонансный усилитель ПЧ с АРУ; д —дифференциальный усилитель; е — микрофонный усилитель; ж — регулируемыйрезонансный усилитель ПЧ с эмиттерным повторителем на выходе; з — частотный детектор; и— резонансный усилитель ОЭ — ОБ; к — кварцевый гетеродин с удвоителем частоты; л —апериодический усилитель ОЭ — ОБ; м — преобразователь частоты с собственнымкварцевым гетеродиномДля выравнивания частотной характеристики в эмиттерной цепи первого каскада использована частотнаякоррекция, благодаря чему микросхему можно применять как широкополосный усилитель.
Коэффициентусиления регулируется с глубиной 18 дБ изменением со-противтения резистора, подключаемого междувыводами 2 и 5. Поскольку этот резистор оказывается включенным в цепь обратной связи, то изменение егосопротивления практически не оказывает влияния на стыковочные параметры микросхемы. Наличие вывода 4позволяет подавать входной сигнал непосредственно на базу транзистора Т3, минуя входной каскад.Мискросхемы могут применяться с различными по характеру нагрузками (LC-контур, электромеханическийфильтр и др.).Микросхемы 235УР2 и 235УР8 различаются номиналами используемых конденсаторов. Применение вмикросхеме 235УР8 конденсаторов большей емкости снижает нижнюю граничную частоту до 75 кГц вместо250 кГц у микросхемы 235УР2. На частотах 1,6 и 25 МГц микросхемы обеспечивают крутизну проходнойхарактеристики соответственно не менее 75 и 25 мА/В, входное сопротивление не менее 3 кОм, а входнуюемкость не более 15 пФ.
При коэффициенте устойчивости 0,9 обе микросхемы на частоте 1,6 МГц обеспечивают усиление более чем в 300 раз.Пример построения усилителя на основе микросхемы 235УР2 показан на рис. 2.2,6.Микросхемы 235УРЗ (рис. 2.1,0) и 235УР9 предназначены для использования в усилителе ПЧ сапериодической или селективной нагрузкой. Они отличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 наличием цепиАРУ.Обе микросхемы выполнены по одинаковой электрической схеме и различаются номиналами используемыхконденсаторов.
Микросхемы содержат по два одинаковых усилительных каскада, собранных по схеме ОК —ОБ. Транзисторы T1 и Т3, включенные по схеме с ОК, предназначены для согласования каскадов, а транзисторыТ2 и T4 обеспечивают усиление по напряжению. Напряжение АРУ подают на базовые входы транзисторов T1 иТ3 через диоды Д( и Д2. Максимальная глубина регулирования 86 дБ.На диодах Д3 и Д4 выполнено устройство, которое позволяет менять характер температурной зависимостикрутизны характеристики микросхемы перекоммутацией внешних выводов. Например, если замкнуть выводы 7и 8, температурная зависимость становится отрицательной и микросхему можно стыковать спьезокерамнческим фильтром, имеющим обратную температурную зависимость.Помимо построения различных усилителей ПЧ (рис. 2.2,0, г) микросхемы 235УРЗ и 235УР9 можноиспользовать в качестве ограничителей с максимальным выходным напряжением не менее 2,3 В или в качествеаналоговых ключей.
Обе микросхемы обеспечивают на частоте 25 МГц крутизну проходной характеристики неменее 30, а на частоте 1,6 МГц — не менее 70 мА/В. На этой же частоте входное сопротивление превышает 2,5кОм, входная емкость не более 20 пФ5 выходное сопротивление не менее 15 кОм, а выходная емкостьсоставляет около 6 пФ. При коэффициенте устойчивости более 0,8 максимальный коэффициент усиленияпревышает 400. Напряжение питания микросхем 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 23 мВт.Микросхемы 235УН4 (рис.
2.1,г) и 235УН10 обладают широкими функциональными возможностями. Онимогут быть использованы как дифференциальные широкополосные усилители, усилители НЧ с эмиттернымповторителем, инверторы, парафазные усилители, симметричные ограничители, электронные ключи и т. д.Основу микросхем, которые различаются только номиналами используемых конденсаторов, составляетдифференциальный каскад на транзисторах Т2 и Т5 с токостабилизирующим элементом на транзисторе Т3. Вбазовом делителе дифференциальной пары применен для термокомпенсации диод Д1. Транзистор. T4 в диодномвключении стабилизирует режим транзистора Т3. Входные сигналы можно подать на выводы lull или 2 и 10.Выходное напряжение снимают с выводов 5 и 7.
На обоих выходах микросхем включены эмиттерныеповторители на транзисторах Т} и Т6. При использовании в качестве входных выводов 1 и 11 нижняя границачастотного диапазона усилителя на микросхеме 235УН4 составляет 2,5 кГц а на микросхеме 235УН10 0,3 кГц.Верхняя граничная частота на уровне 3 дБ достигает соответственно 4 и 7,5 МГц. На частоте 10 кГц входноесопротивление не менее 4 кОм, а коэффициент усиления не менее 16.Микросхемы обеспечивают подавление синфазного сигнала с коэффициентом не менее 40 дБ. Коэффициентасимметрии выходных напряжений не превышает 10 %.С помощью внешнего резистора, включенного между выводами 5 и 4, можно регулировать коэффициентусилителя в пределах до 4 дБ.
При подаче сигналов на входы 2 и 10 микросхемы могут быть применены дляусиления постоянного тока.При использовании микросхем в качестве ограничителей порог ограничения по входному сигналусоставляет 110+40 мВ. Если микросхема работает в качестве аналогового ключа, то запирающее напряжениеследует подавать на эмиттеры транзисторов T2 и т1 через вывод 9. При наличии запирающего напряжениязатухание сигнала не менее 34 дБ. Напряжение питания 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 23 мВт.Пример использования микросхемы приведен на рис. 2.2ДМикросхему 235УН5 (рис.
2.1,5) применяют для усиления НЧ колебаний. Первый каскад микросхемы натранзисторе Т} выполнен по схеме ОЭ, второй каскад на транзисторе Т2 работает как эмит-терный повторитель,обеспечивая согласование с оконечным пара-фазным каскадом на транзисторах Т3 и 7Y На частоте 1 кГцмикросхема усиливает не менее чем в 400 раз. Входное сопротивление не менее 4 кОм. Максимальноевыходное напряжение на парафаз-ном выходе не менее 1 В.
Рабочий диапазон частот 25 Гц — 100 кГц, причемверхнюю граничную частоту можно регулировать внешним конденсатором, включаемым между выводом 8 икорпусом.Предусмотрена возможность подачи входного сигнала непосредственно на базу транзистора Т2, минуяпервый усилительный каскад. Усиление микросхемы при этом уменьшается в 30 — 40 раз. При необходимостиможет быть использован только первый каскад.Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 14 мВт. Пример включениямикросхемы в усилительном режиме показан на рис. 2.2,е.Микросхемы 235УР7 (рис. 2Л,е) и 235УР11 используют преимущественно в усилителях ПЧ. Ониотличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 меньшим усилением, наличием цепи АРУ и большим входнымсопротивлением, а от микросхем 235УРЗ и 235УР9 — лучшей равномерностью усиления в частотномдиапазоне и меньшей глубиной регулировки коэффициента усиления.Каждая из микросхем содержит усилитель на транзисторах Т1 и Т2 и многоцелевой каскад на транзисторе Т3.Последний может быть использован как развязывающий эмиттерный повторитель, дополнительная ступеньусиления с коллекторной нагрузкой или амплитудный транзисторный детектор.Каскад, выполненный по схеме ОК на транзисторе Т1, обеспечивает согласование с предыдущим каскадом.Основное усиление дает транзистор Т2, включенный по схеме ОБ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
