лаба 3 мис (1077155), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Транзисторы расположены в библиотеке компонентов Transistors. Если щелкнуть по кнопке , то в появившемся окне можно выбрать тип транзистора и поместить его в рабочее поле (см. рис. П1.1.).

1. Saturation current (is) – обратный ток коллекторного перехода (в амперах),

2. Forward current gain coefficient (BF) – коэффициент передачи тока базы в схеме ОЭ ( ).

3. Reverse current gain coefficient (BR) – коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при инверсном включении транзистора (Ohm),

4. Base ohmic resistance (rb) – объемное сопротивление базы,

5. Emitter ohmic resistance (re) – объемное сопротивление эмиттера,

6. Collector ohmic resistance (rc) – Объемное сопротивление коллектора,

7. Substrate capacitance (CS) – емкость коллектор – подложка,

8. Zero-base B-E junction capacitance (CE) – емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении,

9. Zero-base B-C junction capacitance (CC) – емкость коллекторного перехода при нулевом смещении,

10. B-E junction potential (E)

11. B-C junction potential (C )

12. Forward transit time (τF) время пролета заряда через базу (сек)4

13. Reverse transit time (τR) время пролета заряда через базу при инверсном включении транзистора;

14. B-E junction gradient coefficient (ME) коэффициент плавности эмиттерного перехода;

15. B-C junction gradient coefficient (MC) коэффициент плавности коллекторного перехода;

16. Early voltage (VA) напряжение Эрли;

1. Base-emitter leakage saturation current (ISE) обратный ток эмиттерного перехода;

2. Forward beta high-current knee-point (IKF) ток начала спада усиления по току;

3. Base-emitter leakage emission coefficient (NE) коэффициент неидеальности эмиттерного перехода;

4. Forward current emission coefficient (NF) коэффициент неидеальности в нормальном режиме;

5. Reverse current emission coefficient (NR) коэффициент неидеальности в инверсном режиме;

6. Reverse early voltage (VAR)

7. Reverse beta roll-off corner current (IKR) ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном режиме;

8. B-C leakage saturation current (ISC)

9. B-C leakage emission coefficient (NC) коэффициент неидеальности коллекторного перехода;

10. Current for base resistance equal to (rb+RBM)/2 (IRB) величина тока базы, при достижении которой ее сопротивления уменьшается на 50%;

11. Minimum base resistance at high current (RBM) минимальное сопротивление базы при больших токах;

12. Coefficient fort base dependence of τF (XTF) коэффициент, определяющий зависимость времени τF пролета заряда через базу от напряжения коллектор-база;

13. Voltage describing VBC dependence of τF (VTF) напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться влияние его влияние на τF;

14. High-current dependence of τF (ITF) ток коллектора, при котором начинает сказываться его влияние на τF;

15. Excess phase at frequency equal to 1/(τF*2PI) Hz (PTF) дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора;

16. Fraction B-C depletion capacitance connected to internal base node (XCJC) коэффициент расщепления емкости база-коллектор;

17. Substrate junction built-in potential (VJS) контактная разность потенциалов коллектор-подложка;

18. Substrate junction exponential factor (MJS) коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;

19. Forward and reverse beta temperature exponent (XTB) температурный коэффициент усиления тока в нормальном и инверсном режимах;

20. Energy gap for temperature effect on IS (EG) ширина запрещенной зоны;

21. Temperature exponent for effect on IS (XTI) температурный коэффициент тока насыщения;

22. Flicker noise coefficient (KF) коэффициент фликкер-шума;

23. Flicker noise exponent (AF) паказатель степени в формуле для фликкер-шума;

24. Coefficient for forward-bias depletion capacitance formula (FC) коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных переходов;

25. Parameter measurement temperature (TNOM) температура транзистора.

Приложение 2. Анализ схем по постоянному току в EWB.

П2.1. Построение ВАХ.

П2.2 Построение передаточных характеристик.

Для схемы изображенной на рис. 13 построить передаточную характеристику, используя программу EWB. Передаточная характеристика четырехполюсника есть зависимость выходного напряжения от входного. В данной схеме входной узел имеет номер 2, выходной – 1. К входному узлу 2 подключен источник постоянного напряжения V1. С помощью этого источника будет изменяться входное напряжение (см. рис. 14.).

Список литературы.

1. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. Москва, «Горячая Линия – Телеком», 2002.

2. ГОСТ 19880-77. Электротехника. Основные понятия. Термины и определения. М. Издательство стандартов, 1974.

3. ГОСТ. 1494-77. Электротехника. Буквенные обозначения основных величин. М. Издательство стандартов. 1978.

4. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение. «Солон-Р» М. 2000.

5. Нефедов А.В., Гордеев В.И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. Справочник. М.; Радио и связь, 1990.

Характеристики

Список файлов лабораторной работы