Вопросы к зачету (1076410)
Текст из файла
Модуль № 1 к курсу «ФОЭП». Физические процессы в электровакуумных приборах
-
Как взаимосвязаны основные параметры вакуумной системы: быстрота откачки So вакуумной камеры, быстрота действия Sн насоса и проводимость U вакуумного трубопровода?
-
Вывести уравнение для расчета времени откачки вакуумного объема до заданного давления p.
-
Как зависит объемная концентрация С газа в твердом теле от температуры Т и давления р?
-
Как зависит удельный поток газопроницаемости q’ через тонкую стенку от температуры T и давления газа p?
-
Показать схему образования двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения.
-
Как выглядит энергетический барьер для электронов на границе «металл – вакуум» с учетом сил двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения? Показать график и уравнение.
-
Как зависит плотность тока je термоэлектронной эмиссии от температуры Т и работы выхода Авых (закон Ричардсона-Дэшмана)?
-
Как выглядит энергетический барьер для электронов при действии внешнего электрического поля (при электростатической эмиссии)? Показать график и уравнение.
-
Как зависит анодный ток IА от анодного напряжения UА в плоском ЭВ диоде? (Закон «степени 3/2»).
-
Как определяется размер изображения для электронной линзы? Закон Лагранжа – Гельмгольца.
Модуль 2 по курсу «ФОЭП». Электровакуумные приборы.
-
Что является параметром интенсивности электронного пучка? Написать формулу. Какова условная граница интенсивности пучка для мощных и маломощных электронных пушек?
-
Написать граничные условия распределения потенциала в осевом и поперечном направлении для ленточного электронного пучка? Дать схему и уравнения.
-
Как зависит чувствительность электростатических и магнитных отклоняющих систем ЭЛТ от потенциала анода? Какие из этих систем менее чувствительны к потенциалу анода?
-
Написать уравнение для яркости свечения люминофорного экрана ЭЛТ (закон Ленарда).
-
Какие функции выполняет алюминиевая пленка, которая наносится на люминофорный экран ЭЛТ?
-
Показать вольт-амперную характеристику и основные области газового разряда в вакууме.
-
Показать распределение потенциала между катодом и анодом при тлеющем разряде.
-
Что такое объемная и поверхностная ионизация при газовом разряде?
-
Как определяется длина свободного пробега электрона в плазме? Дать уравнение.
-
Написать уравнение ионизационного преобразователя. Что такое эффективность ионизации для такого преобразователя?
Модуль 3 по курсу «ФОЭП». Физические процессы в полупроводниковых структурах
-
В чем различие механизмов электрической проводимости для металлов и полупроводников? Дать формулы для расчета удельного сопротивления.
-
Зонные диаграммы полупроводников: собственных, n-типа, p-типа. Как задается тип проводимости?
-
Кристаллические структуры «типа алмаза» и «типа цинковой обманки». Индексы Миллера. Показать основные кристаллографические плоскости кубического кристалла.
-
Как определяется концентрация подвижных носителей заряда в полупроводниках? Написать общую формулу.
-
Как зависит функция распределения Ферми – Дирака от температуры Т полупроводника и энергии Е квантовых состояний электронов? Показать график и уравнение.
-
Как выглядит функция распределения Максвелла – Больцмана для энергетических уровней электронов Е>>Еf? Показать график и уравнение.
-
Как зависит концентрация подвижных носителей заряда собственных полупроводников от ширины запрещенной зоны DЕ и температуры Т?
-
Как определяется концентрации основных носителей заряда для примесных полупроводников?
-
Как определяется концентрации неосновных носителей заряда для примесных полупроводников?
-
Показать график зависимости концентрации основных носителей заряда ln nn и ln pp от 1/Т в примесных полупроводниках?
Модуль 4 по курсу «ФОЭП». Полупроводниковые приборы
-
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода до включения внешнего напряжения.
-
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении прямого внешнего напряжения.
-
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении обратного внешнего напряжения.
-
Дать уравнение и график ВАХ идеального p – n – перехода.
-
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора без внешнего напряжения.
-
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора при включении внешнего напряжения.
-
Как определяются коэффициенты передачи тока эмиттера a и тока базы b?
-
Схема формирования индуцированного p – канала в МОП – транзисторе при подаче на затвор отрицательного напряжения Uз? Показать зонную диаграмму.
-
Какие из транзисторов обладают температурной стабильностью: биполярные или полевые?
-
За счет чего происходит испускание квантов электромагнитного излучения в светодиодах?
«Физические основы электронных приборов»
№1
Как взаимосвязаны основные параметры вакуумной системы: быстрота откачки So вакуумной камеры, быстрота действия Sн насоса и проводимость U вакуумного трубопровода?
В чем различие механизмов электрической проводимости для металлов и полупроводников? Дать формулы для расчета удельного сопротивления.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№2
Вывести уравнение для расчета времени откачки вакуумного объема до заданного давления p.
Зонные диаграммы полупроводников: собственных, n-типа, p-типа. Как задается тип проводимости?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№3
Как зависит объемная концентрация С газа в твердом теле от температуры Т и давления р?
Кристаллические структуры «типа алмаза» и «типа цинковой обманки». Индексы Миллера. Показать основные кристаллографические плоскости кубического кристалла.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№4
Как зависит удельный поток газопроницаемости q’ через тонкую стенку от температуры T и давления газа p?
Как определяется концентрация подвижных носителей заряда в полупроводниках? Написать общую формулу.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№5
Показать схему образования двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения.
Как зависит функция распределения Ферми – Дирака от температуры Т полупроводника и энергии Е квантовых состояний электронов? Показать график и уравнение.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№6
Как выглядит энергетический барьер для электронов на границе «металл – вакуум» с учетом сил двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения? Показать график и уравнение.
Как выглядит функция распределения Максвелла – Больцмана для энергетических уровней электронов Е>>Еf? Показать график и уравнение.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№7
Как зависит плотность тока je термоэлектронной эмиссии от температуры Т и работы выхода Авых (закон Ричардсона-Дэшмана)?
Как зависит концентрация подвижных носителей заряда собственных полупроводников от ширины запрещенной зоны DЕ и температуры Т?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№8
Как выглядит энергетический барьер для электронов при действии внешнего электрического поля (при электростатической эмиссии)? Показать график и уравнение.
Как определяется концентрации основных носителей заряда для примесных полупроводников?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№9
Как зависит анодный ток IА от анодного напряжения UА в плоском ЭВ диоде? (Закон «степени 3/2»).
Как определяется концентрации неосновных носителей заряда для примесных полупроводников?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№10
Как определяется размер изображения для электронной линзы? Закон Лагранжа – Гельмгольца.
Показать график зависимости концентрации основных носителей заряда ln nn и ln pp от 1/Т в примесных полупроводниках?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№11
Что является параметром интенсивности электронного пучка? Написать формулу. Какова условная граница интенсивности пучка для мощных и маломощных электронных пушек?
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода до включения внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№12
Написать граничные условия распределения потенциала в осевом и поперечном направлении для ленточного электронного пучка? Дать схему и уравнения.
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении прямого внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№13
Как зависит чувствительность электростатических и магнитных отклоняющих систем ЭЛТ от потенциала анода? Какие из этих систем менее чувствительны к потенциалу анода?
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении обратного внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№14
Написать уравнение для яркости свечения люминофорного экрана ЭЛТ (закон Ленарда).
Дать уравнение и график ВАХ идеального p – n – перехода.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№15
Какие функции выполняет алюминиевая пленка, которая наносится на люминофорный экран ЭЛТ?
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора без внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№16
Показать вольт-амперную характеристику и основные области газового разряда в вакууме.
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора при включении внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№17
Показать распределение потенциала между катодом и анодом при тлеющем разряде.
Как определяются коэффициенты передачи тока эмиттера a и тока базы b?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№18
Что такое объемная и поверхностная ионизация при газовом разряде?
Схема формирования индуцированного p – канала в МОП – транзисторе при подаче на затвор отрицательного напряжения Uз? Показать зонную диаграмму.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№19
Как определяется длина свободного пробега электрона в плазме? Дать уравнение.
Какие из транзисторов обладают температурной стабильностью: биполярные или полевые?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№20
Написать уравнение ионизационного преобразователя. Что такое эффективность ионизации для такого преобразователя?
За счет чего происходит испускание квантов электромагнитного излучения в светодиодах?
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
№21
Как взаимосвязаны основные параметры вакуумной системы: быстрота откачки So вакуумной камеры, быстрота действия Sн насоса и проводимость U вакуумного трубопровода?
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода до включения внешнего напряжения.
Зав.каф. Панфилов Ю.В. «___» _______________ 2013г.
«Физические основы электронных приборов»
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
