Пирогова Е.В.- Проектирование и технология печатных плат (1072331), страница 40
Текст из файла (страница 40)
Гальваническое меднение и нанесение ме- С таб 47 п 8 См. табл. 4.7, п. 8 2. Гальваническое меднение и нанесение полимерного гранильного ревиста Электрохимическая металлизация 18 Удаление защитно го рельефа См. табл. 4.7, п .9 Травление меди с пробельных мест с 1. Травление с улапением металлорезиста.
2. Травление с удалением полимерного резиста См. табл. 4.7, п. 1О удалением травнль НОГО ревиста См. табл. 4.7, и.!1 Нанесение защит- ная паяльиоа маски 1. Фотохимический способ (СПФ-защита). 2. Сеткография 21 Нанесение покрытия на участки проводящего рисунка, свободные от маски 1. Горячее лужение (сплав Розе, ПОС-6!). 2.
Химический никель — иммерсионное золото. 3. Органическое защитное покрытие См. табл. 4.7, и. 12 Отмывка флюса Получение крепежных отверстиЯ и обработка по контуру 1. Лазерная обработка. 2. Сверление отверстия и фрезерование по контуру 24 Ультразвуковая Промывка 25 Контроль злектрических параметров Примечалие. С вЂ” серийное производство; КС вЂ” крупносерийное производство; МС вЂ” мелкосерийное производство. Приведенная последовательность ТП изготовления прецизионных МПП во многом совпадает с ТП изготовления МПП общего применения на фольгированном диэлектрике, но отличается: ° толщиной фольги применяемых фольгированных диэлектриков 5, 9, 12, 18 мкм; ° применением БМОВЗ-процесса для изготовления слоев; ° применением лазера при раскрое заготовок для повышения точности и производительности процесса изготовления; 2ао Глава 4.
Моиструкциа и мевюдаг изгваимлелнл аеиаиигагл плат ° применением тонких СПФ с высоким разрешением и гальваиостойкостью; ° применением фотошаблонов (ФШ) с резкостью края изображения 3...4 мкм; ° применением (как вариант) СПФ лазерного экспонирования для получения защитного рельефа, что исключает использование ФШ„' ° проведением предварительной металлизации поверхности фольгированной заготовки и отверстий иа минимальную толщину 8...10 мкм; ° увеличением числа контрольных операций; ° применением метода прямой металлизации без химического меднения отверстий.
Применение диэлектриков с тонкомерной фольгой (5, 9 мкм) при изготовлении слоев МПП по БМОВБ-процессу с использованием в качестве металлорезиста сплава олово — свинец с последующим его удалением и нанесением паяльной маски по «голой» меди обеспечивает получение проводящего рисунка с минимальной шириной проводников и расстояний между ними порядка 50 мкм при толщине проводников 5...9 мкм и 100...125 мкм при толщине проводников 40...50 мкм 1371. 4.3.3. МПП общего применения нв нефопызйзоввнном основании В качестве материала основания МПП применяют тонкий нефольгированный диэлектрик, с протектором.
Методы изготовления МПП общего применения на нефольгированном диэлектрике представлены на рис. 4.37. Основные характеристики МПП общего применения на нефольгированном диэлектрике представлены в табл. 4.27. Таблица 4.27. Основные характеристики МПП общего примеиеняя иа иефельгнреваниом днзлектрнке Характеристика Показатель Вычислительная техника, средства связи, спецтех- ника Область применения 4 (2 проводника в шаге 2,5 мм) Класс точности гч Группа жесткости 300 х 400 7=0,25 Рекомендуемые максимальные размеры, мм Нефольгнроаанный стеклотекстолит с протектором Переходное — 0,4„сквозное — 0,6 Материал основания Минимальный диаметр отверстия, мм ОЛ5 Минимальная ширина проводника, мм Мелкосерийное, серийное, крупносерийное Тип производства В табл.
4.28 приведена последовательность ТП изготовления МПП общего применения на нефольгированном диэлектрике, в котором слои получают электрохимическим (полуаддитивным) методом. Рис. 4З7. Методы изготовления МПП общего применения на нефольгированном диэлектрике Таблица 4.Ж Основные этапы ТП изготовленяя МПП общего примеиеввя на иефольгнреванном диэлектрике Эскиз этапа ТП изготовления гя п/п Основной этап ТП Возмомный способ получения Изготовление слоев Входной контроль и термо- стабилизация диэлектрика 1. Штамповка. 2. Резка 2 Получение заготовок слоев 1.
Штамповка. 2. Сверление Получение переходных отверстий См. табл. 4.7, п. 4 Лазер. Сверление Подготовка поверхности слоев Физические метслы. Химические методы См. табл. 4.7, и. 5 Предварительная металлизацил 8 Подготовка поверхности Суспензия пемзового абразива См. табл. 4.7, п. 7 Получение защитного рельефа Далее — см. табл. 4.2б, начиная с и. 8.
Получение базовых и технологических отверстий 1. Электрохнмнческнй (ЯМОВЯ-процесс). 2. Фотоформирование односторонних и двусторонних слоев с (без) переходными отверстиями Магнетронное напыление. Химическое меднение 3...5 мкм. Химико-гальваническое меднение 5...10 мкм. Прямая металлизация Фотохимический способ: а) СПФ органопроявляемый; б) СПФ щелочепроявляемый лгО Глава 4. Квисиитуи<ии и лгетноды изгтниввлешгя ивцаиинях плат Другим вариантом изготовления внутренних слоев является метод фотоформирования (разновидность алдитивного метода), в котором отсутствует операция травления меди с пробельных мест, а элементы печатного рисунка селективно наносят на нефольгированный диэлектрик.
При этом фоточувствительный слой (фотоактиватор, он же — фотопромотор) наносят вместо фоторезиста на подготовленную поверхность; рисунок схемы получают путем химического толстослойного наращивания меди по проявленному изображению схемы. 4.3.4. алПП прецизионные не нефоньгнроненном основании Внутренние слои прецизионных МПП на нефольгированном диэлектрике изготавливают электрохимнческим (полуаддитивным) методом или методом ПАФОС (полностью алдитивное формирование отдельных слоев).
Для изготовления слоев электрохнмическим методом применяют тонкий нефольгированный стеклотекстолит с протектором и нефольгированный полиимид. На рис. 4.38 представлены методы изготовления прецизионных МПП на нефольгированном диэлектрике. В табл. 4.29 приведены основные характеристики прецизионных МПП на нефольгированном диэлектрике, изготовленных электрохимическим методом (БМОВБ-процесс). Таблица 4.29, Основные характеристики прнннионных МПП иа иефолыироввнвом лнзлеатрахе изготовленных злектрохнмнческнм методам (БМОВБ-процесс) Характеристика Показатель Вычислительная техника, спецтехника 5 (3 провслтника в шаге 2,5 мм) Область применения Класс точности тУ Группа жесткости Рекомендуемые максимальные размеры, мм Норольгированный стеклотекстолиг с про- тектором; полиимиа нефольгированный с адгезионным слоем и протектором Материал основания Переходное — 0,2; сквозное — 0,4„ т - 0,) Минимальный диаметр отверстия, мм 0,050 Минимальная ширина проводника, мм Мелкосерийное Тип производства На рис.
4.39 представлена структурная схема ТП изготовления прецизионных МПП на нефольгированном основании. Основные этапы изготовления внутренних слоев электрохимическим методом представлены в табл. 4.28, различные варианты исполнения которого были приведены в табл. 4.10, 4.11 и 4.22, поэтому более подробно рассмотрим метод ПАФОС.
Миогослойлие ПП гп Рвс. 4.34. Методы изготовления прецизионных МПП на не$ольгированном диэлектрике Изготовление слоев электрохимическим (полуадаитивным) методом ( см. табл. 4.11) Изготовление слоев методом ПАФОС( см. табл. 4.31) Прессование Гидравлическое с вакуумированием Гидравлическое Получение сквозных отверстий сверлением Подготовка отверстий водной суспензией высокого давления и плазменная обработка отверстий Получение металлизированных отверстий и рисунка наружных слоев электрохимическим методом по БМОВз-технологии (см.
табл. 4.11) Рис. 4.Ж Структурная схема ТП изготовления прецизионных МПП на нефольгированном основании 4.3.5. МПП ивготоененные методом ПАФОС Метод ПАФОС применяют для получения МПП с проводниками и расстояниями между ними порядка 50...100 мкм при толщине 30...50 мкм. Основные характеристики МПП, изготовленные методом ПАФОС приведены в табл. 4.30. При изготовлении МПП методом ПАФОС печатный рисунок слоя полностью формируют адаптивным методом селективно по рисунку на заготовке из нержавеющей стали толщиной 0,5...0,8 мм.
Затем проводящий рисунок впрессовывают в изоляционный слой на всю толщину проводника, после чего спрессованный слой механическим способом отделяют от временного носителя. Геометрия проводников определяется только рисун- 212 Глава 4. Коиеиууииии и мееодм итгоеновлеиии иецаивих идат ком в пленочном фоторезисте (СПФ); изоляцию селективно формируют между проводниками в слое и между цроводниками слоев (табл. 4.31). Таблица 4.3д Оеноннме херентернстннн МПП, нзтотенденнме методом ПАФОС Для формирования проводников на временном носителе применяют один из следующих способов: ° злектрохимическое осаждение меди и никеля по рисунку в СПФ (см. табл. 4.31); ° химическое осаждение металлов; ° магнетронное напыление; ° ионно-плазменное осаждение.
Для формирования изоляции можно применить: прессование (см. табл. 4.31); ° полив (см. 2-й вариант метода ПАФОС); н электронно-лучевой способ полимеризации (см. 2-й вариант метода ПАФОС). В качестве изоляционного материала можно использовать: ° стеклоткань, пропитанную полимером (препрег), например, стекло- ткань СТП-4-0,025 (см. табл. 4.31); ° жидкий полимер и др. Форма, размеры и точность получения проводящего рисунка зависят от точности получения защитного рельефа, для получения которого применяют следующие способы: ° фотохимический способ с СПФ органопроявляемого или водощелоч- ного проявления (см.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
