Конструирование и технология электронно-вычислительной аппаратуры (1065432)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Государственный комитет СССР по народному образованию

Е. Н. Шишкина, Е. И. Румянцева

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

ПО ОБУЧЕНИЮ ЧТЕНИЮ ТЕХНИЧЕСКИХ ТЕКСТОВ

НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

«КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРОННО-ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ»

Часть 1

Издательство МГТУ

1991

Terminology:

Preliminary exercises

1. Прочитайте и переведите без словаря:

Process, procedure, fabrication, typical, cycle, manufacturing, popular, rotate, orientation, section, stage, diameter, mechanical, physical, chemical, parallel, characterize, micrometer, centimeter, maximum

1. Назовите прилагательные, от которых образованы следующие слова. Переведите исходные и производные слова.

Slowly, simply, generally, gradually, commonly, rigidly, specifically, actually

1. Образуйте степени сравнения от следующих прилагательных и переведите их:

low, important, thin, fine, popular, slow

1. Переведите следующие слова, исходя из значения их антонимов:

uneven, unevenness (even –ровный), invisible (visible –видимый), unattainable (attainable - достижимый), unachievable (achievable – достижимый), impurity – (purity – чистый), decrease (increase –увеличивать)

1. Прочитайте текст А и ответьте на вопросы:

1. Как развивалась технология полупроводниковых ИС.

2. Какие подготовительные операции лежат в основе полупроводниковой технологии.

Preliminary Operations

1. Semiconductor integrated circuit technology is a logical continuation of the development of transistor planer technology which embodied the prior experience gained in the production of semiconductor devices. For better understanding of the procedures of IC fabrication, therefore, we should be familiar with typical manufacturing steps of the entire technological cycle. Hybrid technology has its historical roots too. It generalized and perfected the film deposition techniques used earlier in radio engineering, machine-building industry, and optics.

2. Single crystals of silicon and also other semiconductors are generally produced by the techniques of crystal growth from the melt, the most popular being the technique of crystal pulling. For a crystal to be grown, a silicon seed crystal attached to the pulling rod is lowered into contact with the melt and then slowly raised and rotated. The liquid column suspended from the seed gradually solidifies into a single crystal ingot.

3. The crystallographic orientation of the ingot in its cross section is defined by that of the seed. The standard diameter of crystal rods is at present 80 mm; the maximum diameter can be 120 mm and over. The length can be 1 to 1.5 m. , but commonly the rods measure only fractions of this size. Silicon ingots are first sawed into wafers, or slices, 0.4 or 0.5 mm in thickness.

4. The surface of blanks is rather uneven: scratches, projections, and pits are far larger in size than the potential integrated elements. Before starting with basic technological steps, therefore, blanks need be repeatedly lapped and polished to produce the smooth and shiny surface. Apart from removing mechanical defects, the aim of the first stage is to bring the blanks to the desired thickness, 200 to 300 µm unattainable in sawing, and render the faces parallel to each other. The lapping agent is the suspension of micro powders chosen for each cycle of lapping in order of decreasing grain size, down to 1 or 2 µm.

5. The wafers lapped in this stage still have a mechanically disrupted surface layer, a few micrometers thick, which covers a yet thinner, physically disturbed layer characterized by “invisible” crystal distortions and mechanical stresses induced in the course of polishing.

6. Finishing polishing is aimed at removing the two disturbed layers and decreasing the surface unevenness to a level characteristic of optical systems – down to hundredths of a micrometer. This polishing can be of the mechanical type (polishing with yet finer grained suspensions) and of the chemical type (etching of the surface layer with suitable solvents).

2800

Words to be learnt

Exercises:

1. Переведите следующие определительные блоки существительных:

Semiconductor, integrated circuit technology, typical manufacturing steps, entire technological cycle; diamond saw blade; silicon seed crystal; the blanks of the desired crystallographic orientation; the aim of the first stage of lapping; etching of the surface layer; physically disturbed layer.

1. Переведите следующие словосочетания на английский язык:

Процессы производства ИС, монокристаллы кремния, выращивание кристалла методом вытягивания, стержень с затравкой, монокристаллический слиток, кремниевая пластина, грань кристалла, диск с алмазной режущей кромкой, шлифовать поверхность, удаление двух наружных слоев, травление поверхностного слоя растворителями.

1. Переведите предложения, обращая внимание на функции “that”

1. The main task is that the blanks should be repeatedly lapped and polished to produce the smooth and shiny surface.

2. The wafers have mechanically disrupted surface layers that are characterized by invisible crystal distortion.

3. That silicon is used in most integrated circuit devices is a well-known fact.

4. This phenomenon is indicated with that mentioned above.

5. Hybrid technology has perfected the film deposition techniques that were used earlier in radio-engineering.

6. It is important that the ingot is fixed at right angles to the diamond saw blade.

7. It is known that a computer is nothing more than a collection of circuits that do a few simple tasks, one at a time.

1. Переведите прилагательные, обращая внимание на степени сравнения:

More preferable - much more preferable; more popular – much more popular; more important – much more important; larger – far larger, thinner – yet thinner, finer – yet finer.

1. Ответьте на следующие вопросы:

1. How the single crystal of silicon is generally produced? Describe this process.

2. What is the method of defining the crystallographic orientation?

3. What is the size of crystal rod?

4. What operations should be done before starting with basic technological steps?

5. What is finishing polishing aimed at?

6. What are the types of polishing?

1. Переведите микротекст.

Монокристаллические слитки кремния получают путем кристаллизации расплава. Кристаллографическая ориентация слитка определяется кристаллографичкской ориентацией затравки. Слитки кремния разрезают на множество тонких пластин (толщиной 0,4-0,5 мм). На которых затем изготавливают интегральные схемы или другие приборы.

1. Составьте аннотацию текста:

Выделите наиболее значимую информацию из каждого абзаца, обобщите полученные сведения, используйте слова-клише (сообщается о …, излагается, приводится … и т.п.), избегайте сложных предложений.

1. Расскажите о подготовительных операциях, используемых в технологических процессах изготовления полупроводниковых ИС.

2. Прочитайте текст В за 4-5 минут и ответьте на вопросы:

1. Что такое эпитаксия?

2. Что затрудняет создание сверхтонких и многослойных эпитаксиальных структур?

3. Какие виды эпитаксии применяются в промышленности?

Epitaxy

1. Epitaxy is the process of growing single crystal layers on a substrate, with the crystallographic orientation of the layer repeating that of the substrate material.

2. At present epitaxial growth techniques are generally used for depositing thin working layers of a homogeneous semiconductor on a comparatively thick substrate that serves as a bearing structure. An epitaxial film may differ from the substrate in chemical composition. The process of growing such films is called heteroepitaxy in contrast to homoepitaxy. Of course, the heteroepitaxial process, too, must produce the films whose crystal lattice is the same as that of the substrate. The process permits growing a silicon film on, say, a sapphire substrate (сапфировая подложка).

3. The boundary between the epitaxial layer and substrate cannot be ideally abrupt because the impurities partially diffuse from one layer into the other in the course of epitaxy. This involves difficulties in depositing super thin (less than 1 µm) and multilayer epitaxial structures. It is the single-layer epitaxial growth that plays the leading role at present. This technique has greatly widened the scope of semiconductor technology: epitaxy can produce homogeneous layers as thin as 1 to 10 µm, unachievable so far by any other techniques.

4. Let us note that along with vapor phase (gas phase) epitaxy, industry uses liquid phase epitaxy – the process of growing single crustal layers from the liquid phase, that’s , from the solution containing requisite (необходимые) components.

1500

1. Переведите тест С со словарем за 15 минут.

Thermal Oxidation

1. Silicon oxidation is one of the most typical processes in modern IC technology. The process provides the film of silicon dioxide, , which serves a few important functions, such as :

1. Protection of the surface

2. A mask defining the windows for introduction of dopants;

3. A thin insulator under the gats of a MOS transistor.

1. The wide opportunities offered by , are one of the reasons why silicon has become the main material for the fabrication of semiconductor ICs.

2. The surface of silicon is inherently coated with an oxide film resulting from natural oxidation at low temperatures. But this film is too thin (about 5 nm) to be able to perform any of the above functions, and therefore , films are grown artificially at high temperatures from 1000 to 1200° C.

3. Thermal oxidation is conducted in the atmosphere of pure oxygen (dry oxygen), in the mixture of oxygen and water vapors (wet oxygen), or just in water vapors.

4. There are two mechanisms of oxidation. The first includes the following stages: (1) diffusion of silicon atoms through the natural oxide film to the surface, (2) adsorption of oxygen molecules by the surface from the gas phase, (3) the oxidation proper, or chemical reaction, which causes a film to grow over the initial silicon surface. The second mechanism involves (1) adsorption of oxygen by the surface of the natural oxide film, (2) diffusion of oxygen through the oxide to silicon, and (3) the oxidation proper. With the second mechanism. The grows from the surface into the bulk (вглубь) of silicon. In practice, both mechanisms act in combination, but the second prevails.

1500

Terminology

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов книги