Отзыв на автореферат_Центр Келдыша (1025763)
Текст из файла
МГТУ им. Н. Э. Баумана Ученому секретарю диссертационного совета Д 212.141.18 доктору технических наук, профессору 1О.Б, Цветкову 2-я Бауманская ул.„д. 5, стр. 1 г. Москва, 105005 2а. Окссасксак а, 8, с. Миекии. Висскк, 128438 тасс: ~4»й) 486 46 68 Факс: ~498~ 488 82 28 касса с~ась.и1ик.си касса'сии1сис.сн к~ ж ие1 слйья.ся Ци са Приложение: Отзыв на 2 л. в 2 экз. Ученый секретарь, кандидат военных наук ..; '~. -с-'фф'.
10Л. Смирнов Направляю отзыв на автореферат диссертации Макеева Мстислава Олеговича на тему: «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.11.14 — «Технология приборостроения», 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».
ОТЗЫВ на автореферат диссертации Макеева Мстислава Олеговича на тему: «Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно- ту ннельных диодов>), представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.11.14 — Технология приборостроения, 05,27,06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.
Диссертационная работа посвящена актуальной проблеме создания приборов, способных функционировать в терагерцовом частотном диапазоне, а именно резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных гетероструктур с поперечным токопереносом. Сверхмалые размеры элементов приводят к заметной деградации характеристик устройств вследствие даже относительно незначительных диффузионных явлений.
Выполнен полный цикл исследований, включающий выявление основных причин деградации, изучение закономерностей возникновения отказов, создание диагностических систем и методов ускоренных испытаний и, наконец, разработку конструктивных и технологических методов и средств повыцзения надежности устройств. Автором установлено, что причина деградации — диффузия в туннельных структурах и омических контактах. Основной инструмент изучения диффузии— анализ профилей распределения частиц и вольт-амперных характеристик— позволяет достоверно установить связь между деградацией, с одной стороны, и конструкцией и технологией изготовления омических контактов и наноразмерных гетеростурктур, с дру~ой стороны.
Данная связь позволяет разработать методику технической диагностики и прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов. В основе методики лежат математические модели деградационных процессов в гетероструктурах и контактах в зависимости от времени, температуры, конструкции, технологии изготовления. Для их создания проведено большое количество экспериментальных исследований по изготовлению конструкций гетероструктур и контактов по различным технологиям и определению их вольт-амперных характеристик. Модели дают возможность оптимизировать устройства как в части конструкций, так и по технологии, прогнозировать изменение характеристик во времени и, как следствие, оценить ресурс и надежность устройств.
В этом состоит практическая ценность работы. Ее результаты представляют интерес для специалистов в области СВЧ-приборостроения, радиоэлектроники. По работе можно сделать следующее замечание. Из представленной в автореферате информации трудно понять, как с помощью метода инфракрасной спектральной эллипсометрии определяется профиль распределения кремния в многослойных гетероструктурах с толщиной отдельных слоев от 1,5 нм до 100 нм. Уместным представляется рекомендация по измерению профиля еще одним технических наук. Начальник отдела нанотехнологий ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», канд.
физ.-мат. наук Р.Н. Ризаханов Подпись Р.Н. Ризаханова удостоверяю У тены й секретарь ~,:-:,;:;" ' рНц ФруП еценр',Кекнышасьт '."ь канн. анен. наук 1.:*.:'.: '.':,: к.-Л",,: '" Р,' Ю.Л. Смирнов независимым методом, например, электронно-оптическим картированием микрошлифов. Указанное замечание не влияет на общую, в целом, положительную оценку работы. Решена задача разработки методов диагностики качества полупроводниковых устройств терагерцового диапазона частоты, способствующих конструкторско-технологической оптимизации. Диссертационная работа удовлетворяет требованиям ВАК, а ее автор, Макеев Мстислав Олегович, заслуживает присуждения ученой степени кандидата .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.