Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1025135), страница 23

Файл №1025135 Диссертация (Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезависимой памяти при сильнополевой инжекции электронов) 23 страницаДиссертация (1025135) страница 232017-12-21СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 23)

W., Huff H. R. ChargeTrapping and Mobility Degradation MOCVD Hafnium Silicate GateDielectric Stack Structures // 204th Meeting / The ElectrochemicalSociety, Inc. 2003. Abs. 577.42. Leroux C., Mitard J., Ghibaudo G., Garros X., Reimbold G.,Guillaumot B., Martin F. Characterization and modeling of hysteresisphenomena in high K dielectrics // IEEE International Electron DevicesMeeting / IEEE.

2004. P. 30.7.1‒30.7.4.43. Ribes G., Müller M., Bruyère S., Roy D., Denais M., Huard V.,Skotnicki T., Ghibaudo G. Characterization of Vt instability in hafniumbased dielectrics by pulse gate voltage techniques // IEEE, 2004.0-7803-8478-4. P. 89‒92.148 44. Khan F., Cartier E., Kothandaraman Ch., Scott J. C., Woo J.

C. S., Iyer S. S.The Impact of Self-Heating on Charge Trapping in High-k-Metal-GatenFETs // IEEE Electron Device Letters, 2016. Vol. 37. No. 1. P. 88‒91.45. Foster A. S., Lopez Geho F., Shluger A. L., Nieminen R. M. Vacancy andinterstitial defects in hafnia // Phys. Rev. B, 2002. Vol. 65. P. 174117-1‒174117-13.46. Kang A.

Y., Lenahan P. M., Conley J. F. Electron spin resonanceobservation of trapped electron centers in atomic-layer-deposited hafniumoxide on Si // Appl. Phys. Lett., 2003. Vol. 83. No. 16. P. 3407‒3409.47. Cartier E., Ando T., Hopstaken M., Narayanen V., Krishnan R.,Shepard J. F., Sullivan M. D., Krishnan S., Chudzik M. P., De S.,Pandey R., Bajaj M., Murali K. V. R.

M., Kerber A. Characterization andOptimization of Charge Trapping in High-k Dielectrics // IEEE, 2013.P. 5A.2.1‒5A.2.7.48. Bez R., Camerlenghi E., Modelli A., Visconti A. Introduction to FlashMemory // Proceedings of the IEEE, 2003. Vol. 91. No. 4. P. 489‒502.49. Aritome S. NAND Flash Memory Technologies // IEEE Press, Wiley, 2016.432 p.50. Awrejcewicz J. Computational and Numerical Simulations // InTech,Chapters published, 2014. Edited Volume.

475 p.51. Micheloni R., Crippa L., Marelli A. Inside NAND Flash Memories //Springer, 2010. 582 p.52. Toledano-Luque M., Degraeve R., Zahid M. B., Kaczer B., Blomme P., KittlJ. A., Jurczak M., Van Houdt J., Groeseneken G. Fast VTH Transients Afterthe Program/Erase of Flash Memory Stacks With High-k Dielectrics // IEEETransactions on Electron Devices, 2011. Vol. 58. No. 3. P. 631‒640.53. Zahid M. B., Degraeve R., Breuil L., Blomme P., Lisoni J.

G., Van denBosch G., Van Houdt J., Tang B. J. Defects Characterization of HybridFloating Gate/Inter-Gate Dielectric Interface in Flash Memory // IEEE,2014. P. 2E.3.1‒2E.3.6.149 54. Tang B., Zhang W. D., Degraeve R., Breuil L., Blomme P., Zhang J. F.,Zhigang J., Zahid M. B., Toledano-Luque M., Van den Bosch G., Van HoudtJ. Evaluation and Solutions for P/E Window Instability Induced by ElectronTrapping in High-κ Intergate Dielectrics of Flash Memory Cells // IEEETransactions on Electron Devices, 2014. Vol. 61.

No. 5. P. 1299‒1306.55. Blomme P., Cacciato A., Wellekens D., Breuil L., Rosmeulen M., Kar G. S.,Locorotondo S., Vrancken C., Richard O., Bebusschere I., Van Houdt J.Hybrid Floating Gate Cell for Sub-20-nm NAND Flash MemoryTechnology // IEEE Electron Device Letters, 2012. Vol. 33. No. 3. P. 333‒335.56.

Перевалов Т. В., Гриценко В. А. Применение и электронная структурадиэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью // УспехиФизических Наук. 2010. Том 180, № 6. С. 587‒603.57. JEDEC Standard, JESD35–A: Procedure for the Wafer–Level Testing ofThin Dielectrics. 2001.58. Ranuárez J. C., Deen M. J., Chen C. H. A review of gate tunneling currentin MOS devices // Microelectronics Reliability, 2006. Vol. 46. P. 1939–1956.59.

Bondarenko G. G., Andreev V. V., Loskutov S. A., Stolyarov A. A. Themethod of the MIS structure interface analysis // Surface and InterfaceAnalysis, 1999. Vol. 28. P. 142‒145.60. Chen C., Wu C. A. Characterization model for constant current stressedvoltage-time characteristics of thin thermal oxides grown on siliconsubstrate // J.

Appl. Phys, 1986. Vol. 60. No. 11. P. 3926‒3944.61. Chen C. H., Chang I. Y. K., Lee J. Y. M., Chiu F. C., Chiouand Y. K., Wu T.B. Reliability properties of metal-oxide-semiconductor capacitors usingHfO2 high-k dielectric // Appl. Phys. Lett., 2007. Vol. 91. P.

123507 (1‒3).62. Nigam T., Degraeve R., Groeseneken G., Heyns M. M., Maes H. E. ConstantCurrent Charge-to-breakdown: still a valid tool to study the reliability of150 MOS structures? // 98CH36173.36. Annual International Reliability PhysicsSymposium / IEEE. Reno, Nevada: 1998. P. 62‒69.63. Андреев В. В. Барышев В. Г., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Методмногоуровневой токовой нагрузки для исследования генерации ирелаксацииположительногозарядавМДП-структурах// Микроэлектроника, 2003. T. 32. № 2.

С. 152‒158.64. Андреев В. В., Столяров А. А. Метод многоуровневой токовойнагрузки для исследования наноразмерных диэлектрических пленокМДП-структур // Наноинженерия, 2011. № 5. С. 15‒20.65. Andreev V. V., Bondarenko G. G., Maslovsky V. M., Stolyarov A. A.Multilevel current stress technique for investigation thin oxide layers ofMOS structures // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering,2012. Vol. 41.

P. 012017.66. Nicollian E. N., Brews J. R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physicsand Technology // John Wiley & Sons, Somerset, New Jersey, 1982. 906 p.67. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев SiO2на кремнии // Л.: ЛГУ, 1988. 304 с.68. Afanas'ev V. V. Internal Photoemission Spectroscopy: Principles andApplications // Elsevier, Oxford, UK, 2008.

295 p.69. Afanas’ev V. V., Stesmans A. Internal photoemission at interfaces of highk insulators with semiconductors and metals // J. Appl. Phys., 2007. Vol.102. P. 081301.70. Afanas’ev V. V. Electron Band Alignment at Interfaces of Semiconductorswith Insulating Oxides: An Internal Photoemission Study // Advances inCondensed Matter Physics, 2014. Vol. 2014. Article ID 301302. 30 pages.71. Орешков М. В. Разработка измерительного комплекса для контроля иисследования субмикронной КМОП технологии электрофизическимиметодами: автореферат ... канд. тех. наук. Москва. 2012. 19 с.151 72. Fischetti M. V. Generation of positive charge in silicon dioxide duringavalanche and tunnel electron injection // J.

Appl. Phys., 1985. Vol. 57. No.8. P. 2860‒2879.73. Cerbu F., Andreev D. V., Lisoni J., Breuil L., Afanas’ev V. V., Stesmans A.,Houssa M. Electron energy distribution in Si/TiN and Si/Ru hybrid floatinggates with hafnium oxide based insulators for charge trapping memorydevices//Phys.Stat.Sol.A,2016.Vol.213.No.2.P. 265‒269. (0,5 п.л. / 0,07 п.л.).74. WangW.C.InternalPhotoemission,Photoconductivity,andPhotodepopulation in Ultrathin Layers of Oxide Insulators for MemoryApplications // Ph.D. dissertation. Katholieke Universiteit Leuven. Facultyof Science, 2014.

177 p.75. Adamchuk V. K., Afanas’ev V. V. Internal photoemission spectroscopy ofsemiconductor-insulator interfaces // Prog. Surf. Sci., 1992. Vol. 41. P. 111‒211.76. Madia O., Afanas’ev V. V., Kittl J. A., Hong W. K., Kim S. S., Lee H.,Kim S., Rodder M. S., Stesmans A. Germanium-related deep electron trapsinALD-grownHfO2insulatorsstudiedthroughExhaustivePhotoDepopulation Spectroscopy // Microelectronic Engineering, 2015.Vol.

147. P. 188‒191.77. Bondarenko G. G., Andreev V. V., Stolyarov A. A., Tkachenko A. L.Modification of metal-oxide-semiconductor devices by electron injection inhigh-fields // Vacuum, 2002. Vol. 67/3-4. P. 507‒511.78. Andreev V. V., Bondarenko G. G., Stolyarov A. A., Korotkov S. I. InjectionModificationofMultilayerDielectricLayersofMetal-Oxide-Semiconductor Structures at Different Temperatures // Inorganic Materials:Applied Research, 2014.

Vol. 5. No. 2. P. 129–132.79. Lee C., Choi J., Cho M., Jeong D. S., Hwang C. S., Kim H. J. Phosphorusion implantation and POCl3 doping effects of n+-polycrystalline-152 silicon/high-k gate dielectric (HfO2 and Al2O3) films // Appl. Phys. Lett.,2004. Vol. 84. No. 15. P.2868‒2870.80. Levin M. N., Tatarintsev A. V., Makarenko V. A., Gitlin V. R. X-ray or UVadjustment of MOS threshold voltage: Analytical and numerical modeling// Russian Microelectronics, 2006.

Vol. 35. Issue 5. P. 329‒336.81. Столяров М. А. Исследование процессов инжекционной модификациив структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на ихоснове: дис. ... канд. тех. наук. Москва. 2007. 165 с.82. Knoll M., Brauning D., Fahrner W. R. Comparative studies of tunnelinjection and irradiation on metal oxide semiconductor structures // J. Appl.Phys., 1982. Vol. 53. No. 10. P. 6946‒6952.83. Ma T. P., Dressendorfer P. V. Ionizing radiation effects in MOS devices andcircuits // Wiley-IEEE, 1989.

442 p.84. MIL-STD-883H. Method 1019.8.Ionizing radiation (total dose) testprocedure.85. Bulusheva M. A., Popov V. D., Protopopov G. A., Skorodumova A. V.Physical model of MOS structure aging // Semiconductor, 2010. Vol. 44.Issue 4. P. 508‒513.86. Andreev V. V., Bondarenko G. G., Maslovsky V.

M., Stolyarov A. A.,Andreev D. V. Modification and Reduction of Defects in Thin GateDielectric of MIS Devices by Injection-Thermal and Irradiation Treatments// Phys. Stat. Sol. C, 2015. Vol. 12. No. 1–2. P. 126–130. (0,5 п.л. / 0,1 п.л.).87. Andreev V. V., Bondarenko G. G., Maslovsky V. M., Stolyarov A. A.,Andreev D. V. Control current stress technique for the investigation of gatedielectrics of MIS devices // Phys. Stat. Sol. C, 2015. Vol. 12.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6418
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее