Сведения о ведущей организации (1025124)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Сведения о ведущей организацииПолное наименование организацииЛаборатория Космического материаловедения ИК РАН – филиал Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академиинаукСокращенное наименование организацииЛКМ ИК РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАНМесто нахожденияг. КалугаПочтовый адрес248640, Россия, Калуга, ул.

Академическая,дом 8Телефон, адрес электронной почты, сайтт. 8 (4842) 76-27-67,e-mail: kmikran@spark-mail.ru,http://www.crys.ras.ruСписок публикаций работников по теме диссертацииза последние 5 лет1. Михеев Н. Н., Никифорова Н. А., Ганчев А. С. Латеральное распределение потерьэнергии пучка электронов в веществе при нормальном падении заряженных частицна поверхность образца // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 9.

С. 64.2. Никифорова Н.А., Степович М.А., Михеев Н. Н. Измерение диффузионной длины ивремени жизни свободных экситонов в нитриде галлия катодолюминесцентным методом при различных условиях возбуждения люминесценции // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.

2015. № 8. С. 84.3. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В., Филиппов М.Н. Методика количественного рентгеноспектрального микроанализа с учетом матричных эффектов// Перспективные материалы. 2014. № 2. С. 77-81.4. Михеев Н.Н. Решение прямой задачи количественного рентгеноспектрального микроанализа для бинарных сплавов известного состава // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.

2014. № 9. С. 66.5. Заблоцкий А.В. , Кузин А.Ю. , Михеев Н.Н., Степович М.А., Тодуа П.А. , ШироковаЕ.В., Филиппов М.Н. Учет матричных эффектов при измерениях методом рентгеноспектрального микроанализа // Измерительная техника. 2013. № 7. С. 58-61.6. Заблоцкий А.В., Кузин А.Ю., Михеев Н.Н., Никифорова Н.А., Степович М.А., Тодуа П.А., Филиппов М.Н. Модель квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда в прямозонных полупроводниках для катодолюминесцентной идентификации электрофизических параметров // Нано- и микросистемная техника. 2013.№ 6. С.

10-12.7. Никифорова Н.А., Поляков А.Н., Михеев Н.Н., Степович М.А. О выборе начальногоприближения в методе конфлюентного анализа для катодолюминесцентной идентификации параметров прямозонных полупроводниковых материалов при квадратичной рекомбинации неосновных носителей заряда // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013.

№ 11. С. 60.8. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. Распределение средних потерь энергии пучка электронов по глубине образца: применение в задачах количественногорентгеноспектрального микроанализа // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 12. С. 84.9. Gagarin Yu.E., Мikheev N.N., Nikiforova N.A., Stepovich М.А.

Some features of estimation of the diffusion length of minority carriers in cathodoluminescence microscopy // Pro-ceedings of the International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers,CAOL. 2013. P. 344-345.10. Михеев Н.Н., Степович М. А., Широкова Е.В. Учет матричных эффектов при локальном электронно-зондовом анализе с использованием новой модели функциираспределения по глубине рентгеновского характеристического излучения // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2012.

Т. 76. № 9. С. 1086.11. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. Новый способ расчета матричных поправок в рентгеноспектральном микроанализе // Прикладная физика. 2012. № 2.С. 31-35.12. Chibiryaev А.М., Kozhevnikov I.V., Martyanov O.N. High-temperature reaction of SIO2with methanol: nucleophilic assistance of some n-unsubstituted benzazoles // AppliedCatalysis А: General. 2013. V. 456. P.

159-167.13. Filatova Е.О., Sokolov А.А., Yegorova Y.V., Konashuk A.S., Vilkov О.Y., Shulakov A.S.,Kozhevnikov I.V., Schaefers F., Gorgoi М. X-ray and photoelectron spectroscopic nondestructive methods for thin films and interfaces study application to SRTIO3 based heterostuctures // Microelectronic Engineering. 2013. V. 109.

P. 13-16.14. Filatova Е.О., Sokolov А.А., Kozhevnikov I.V. Characterization of high-k dielectric internalstructure bу x-ray spectroscopy and reflectometry: new approaches to interlayer identification and analysis // High-k gate dielectrics for CMOS technology / Ed. bу Gang Не andZhaoqi Sun. Weinheim, 2012. Р. 225-271..

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации