Сведения об официальном оппоненте 1 (1025125)
Текст из файла
Сведения об официальном оппонентеФИО оппонентаШерченков Алексей АнатольевичУченая степень и наименованияотрасли науки, научныхспециальностей, по которым имзащищена диссертациядоктор технических наук по специальности05.27.06 – Технология и оборудование дляпроизводства полупроводников, материалови приборов электронной техникиПолное наименование организации,являющейся основным местом работыоппонента на момент представления имотзываФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»Должность, занимаемая им в этойорганизациипрофессор кафедры «Материалы функциональной электроники»Список основных публикаций оппонента в рецензируемых научных изданияхпо теме диссертации за последние 5 лет1.
Kozyukhin S.A., Sherchenkov А.А., Gorschkova E.V., Kudoyarova В.Кh., Vargunin A.L.Thermal effects in Ge-Sb-Te phase-change memory materials during multiple thermalcycling // Phys. Status Solidi С. 2010. Vol. 7. No. 3-4. Р. 848- 851.2. Козюхин С.А., Шерченков А.А., Новоторцев В.М., Тимошенков С.П. Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствахоперативной памяти // Российские нанотехнологии. 2011. Т.
6. № 3-4. С. 50-58.3. Lazarenko Р., Nguyen Н.Р., Kozyukhin S., Sherchenkov А. Influence of Bi doping onelectrical and optical properties of phase change material Ge2Sb2Te5 // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2011. Vol. 13. No. 11-12. Р. 1400-1404.4. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Bablch А., Lazarenko Р. Thermal properties of phasechange materia1 Ge2Sb2Te5 doped with Bi // J. Non-Cryst. Solids. 2013. Vol. 377. Р. 2629.5. Timoshenkov S.P., Sherchenkov А.А., Nalsky А.А., Revina А.А. Current source based onphotoelectric effect with enhanced efficiency // Solid State Phenomena.
2014. Vol. 213.Р. 192-199.6. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Babich А. Estimation of kinetic parameters for the phasechange memory materials bу DSC measurements // J. Therm. Anal. Calorim. 2014.Vol. 117. Iss. 3. Р. 1509-1516.7. Kozyukhin S., Sherchenkov А., Babich А., Lazarenko Р., Nguyen Н.Р., Prikhodko О. Peculiarities of Bi Doping of Ge-Sb-Te Thin Films for РСМ Devices // Canadian Journal ofPhysics. 2014. Vol. 92.
No. 7/8. Р. 684-689.8. Lazarenko P.l., Sherchenkov А.А., Kozyukhin S.S., Shtem М.У., Timoshenkov S.P.,Gromov D.G., Redichev E.N. lnvestigation of transport mechanisms in Bi dopedGe2Sb2Те5 thin films for phase change memory application // Proc. of SPIE. 2014.Vol. 9440. Р. 944006 (1-9).9. Sherchenkov А.А., Kozyukhin S.A., Babich A.V., Shtem Y.l., Mironov R.E. Influence ofdoping on the crystallization kinetics of Ge-Sb-Те thin films for phase-change memoryapplication // Proc. SPIE.
2014. Vol. 9440. Р. 944005 (1-10).10. Шерченков А.А., Штерн Ю.И., Миронов Р.Е., Штерн М.Ю., Рогачев М.С. Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. № 11-12. С. 22- 32.11. Yakubov А.О., Terekhov D.Y., Sherchenkov А.А., Kozyuhhin S.A., Lazarenko P.l., Babich A.V., Timoshenkov S.P., Gromo D.G., Shuliatyev A.S. Electrophysical properties ofphase change memory materials on the pseudo-binary line GeTe-Sb2Te3 // Journal ofPhysics: Conference Series. 2015. Vol. 643. Р. 012104.12. Lazarenko Р., Sherchenkov А., Kozyukhin S., Babich А., Timoshenkov S., Shuliatyev А.,Kudoyarova V.
Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films// Journal of Optoelectonics and Advanced Materials. 2016. Vol. 18, Iss. 1- 2. Р. 50-55.13. Sherchenkov А., Kozyukhin S., Lazarenko Р., Babich А., Timoshenkov S., Gromov D.,Yakubov А., Terekhov D. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Те thin filmsfor phase change memory // Solid State Phenomena. 2016. Vol. 247.
Р. 30- 38.14. Kozyukhin S., Vorobyov Yu., Sherchenkov А., Babich А., Vishnyakov N., Boytsova О.Isothermal crystallization of Ge2Sb2Те5 amorphous thin films and estimation of information reliability of РСМ cells // Physica Status Solidi А. Article first published online:29 МАR 2016. DOI: 10.1 002/pssa.20 1532930..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
