rpd000007858 (1009427), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Прикрепленные файлы: Вопросы экзамена.doc

1. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

а)основная литература:

Шишкин Г.Г., Шишкин А.Г. Электроника. Учебник для вузов. – М.: Дрофа, 2009, − 703 с.

2 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Учебное пособие для вузов. – 2-изд., перераб. и доп. ― М.: – Санкт-Петербург: Лаб. Баз. Знаний Невский Диалект физматлит, 2001.

3. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.

4. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника: Учеб. для вузов. – М.: Высш. школа, 2001. – 573с.

5. Кирдяшев К.П. Моделирование физических процессов в электронных приборах. – М.: Изд. МАИ, 2007, 80с.

б)дополнительная литература:

Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: учебное пособие для вузов / Ю.Л. Бобровский, С.А.Корнилов, И.А.Кратиров и др.; Под ред. Проф.Н.Д.Федорова. – М.: Радио и связь, 1998.- 560 с

2. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гризчин В.А. Основы наноэлектроники. Учебн. пособие. – М.: Университетская книга. Логос. 2006.

3. Шишкин Г.Г., Агеев И.М. Наноэлектроника. М.: Бином, 2011.

в)программное обеспечение, Интернет-ресурсы, электронные библиотечные системы:

1. МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Комплект лабораторных стендов для исследования статических характеристик р – п перехода.

Комплект лабораторных стендов для исследования динамических характеристик р – п перехода.

Комплект лабораторных стендов для исследования электрофизических параметров полупроводников.

Комплект лабораторных стендов для исследования характеристик светодиода и полупроводникового лазера.

Наглядные пособия для изучения конструкций ИМС.

Измерительные средства для обеспечения программ измерения на названных стендах.

Предпочтительно использование стендов, сопряженных с ПЭВМ, используемых для управления экспериментами и измерениями, а также выхода в Интернет для получения справочных данных, проведения расчетов и выполнения виртуальных лабораторных работ.

Приложение 1
к рабочей программе дисциплины
«Физические основы микро- и наноэлектроники »

Аннотация рабочей программы

Дисциплина Физические основы микро- и наноэлектроники является частью Математического и естественно-научный цикл дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Конструирование и технология электронных средств. Дисциплина реализуется на 4 факультете «Московского авиационного института (национального исследовательского университета)» кафедрой (кафедрами) 408.

Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ПК-1 ,ПК-2 ,ПК-3.

Содержание дисциплины охватывает круг вопросов, связанных с: физическими основами работы электронных приборов, включая приборы микро и наноэлектроники.

Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс, Практическое занятие, Лабораторная работа.

Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: промежуточная аттестация в форме Экзамен (4 семестр).

Общая трудоемкость освоения дисциплины составляет 5 зачетных единиц, 180 часов. Программой дисциплины предусмотрены лекционные (44 часов), практические (12 часов), лабораторные (28 часов) занятия и (69 часов) самостоятельной работы студента.

Приложение 2
к рабочей программе дисциплины
«Физические основы микро- и наноэлектроники »

Cодержание учебных занятий

1. Лекции

1.1.1. Основные понятия физики полупроводников(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.1.2. Электрофизические свойства полупроводников(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.1. Электрические переходы. . р-п переход в равновесном состоянии(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.2. р-п переход в неравновесном состоянии(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.3. Свойства р-п перехода(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.4. Диоды(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.1. Физика биполярных транзисторов(АЗ: 4, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.4.3. Применение БП транзисторов в электронных схемах(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.1. Физика полевых транзисторов(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.5.3. Полевые транзисторы интегральных схем(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.1.1. Действие света на полупроводники и электр. переходы(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.1.2. Фотоизлучающие приборы(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.1.3. Фотоприемные приборы(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.1.4. Элементы интегральной оптоэлектроники(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.2.1. Интегральные схемы. Основные понятия(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.2.2. Биполярные интегральные схемы. Логики(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.2.3. Логические схемы на полевых транзисторах(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.2.4. Фундаментальные ограничения микроминиатюризации(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

2.2.5. Новые направления в микро и наноэлектронике(АЗ: 2, СРС: 0)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1. Практические занятия

1.1.1. Расчет концентрации электронов в типичных полупроводниках(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.1. Расчет идеальной ВАХ р-п перехода(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.2. Расчет реальной ВАХ перехода(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.4.1. Расчет характеристик биполярного транзистора(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.5.1. Расчет параметров полевого транзистора(АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.5.2. Защита рефератов(АЗ: 2, СРС: 42)

Форма организации: Практическое занятие

1. Лабораторные работы

1.2.1. Статические характеристики р-п перехода(АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Лабораторная работа

1.2.2. Динамические характеристики р-п перехода(АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Лабораторная работа

1.3.1. Исследование полупроводниковых диодов(АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Лабораторная работа

2.1.1. Исследование БП транзистора(АЗ: 4, СРС: 4)

Форма организации: Лабораторная работа

2.1.2. Исследование полевого транзистора(АЗ: 4, СРС: 4)

Форма организации: Лабораторная работа

2.1.3. Исследование действия света на р-п переход(АЗ: 8, СРС: 3)

Форма организации: Лабораторная работа

1. Типовые задания

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Физические основы микро- и наноэлектроники »

Прикрепленные файлы

Версия: AAAAAARxPEk Код: 000007858

Характеристики

Список файлов учебной работы