Book7 (1000297), страница 2
Текст из файла (страница 2)
На задержку сигнала в коротких линиях влияют такие конструктив-
ные параметры, как длина линии, расстояние до «земли», нагрузка на
выходе линии. Короткие линии не имеют стабильного волнового со-
противления и выполняются печатными проводниками, одиночными
объемными проводниками, витой парой, жгутом.
При передаче сигналов по несогласованным длинным линиям воз-
можны многократные отражения сигнала и вследствие этого значи-
тельное возрастание времени переходного процесса, что приводит к
недоиспользованию серии микросхем по быстродействию.
Рассмотрим конструктивные способы согласования. Согласование
выполняется применением конструкций связи с высокой стабильно-
стью волнового сопротивления и введением в качестве согласующих
элементов резисторов, эммиттерных повторителей (рис. 7.3, а, б, в).
Рис. 7.3. Способы согласования линий связи сопротивлением:
а — последовательным; б — параллельным; в — с помощью эмиттерного повторителя
Линия связи будет согласованной, если сопротивление приемного
или передающего конца линии равно ее волновому сопротивлению;
для цифровых схем рассогласование на 10% является вполне приемле-
мым.
Подключение согласующего резистора R с последовательно с выхо-
дом передающего элемента (последовательное согласование) исполь-
зуется, если выходное сопротивление элемента много меньше ZQ .
284
В параллельно согласованной линии согласующий резистор -Rc
подсоединяется параллельно входному сопротивлению приемного эле-
мента. Способ согласования применяется, если ZQ во много раз меньше
входного сопротивления нагруженного на линию электронного эле-
мента.
Поскольку падение напряжения на резисторах понижает уровень
передаваемого сигнала, режимы последовательного и параллельного
согласований применяются, когда число приемных электронных схем
не превышает двух. При числе нагрузок на линию больше двух приме-
няются согласующие эммиттерные повторители (см. рис. 7.3,в). Для
уменьшения рассогласования база и коллектор должны коммутиро-
ваться к линии проводниками меньшей длины.
В качестве длинных линий используются коаксиальный кабель, ви-
тая пара, ленточные кабели.
7.3. Помехи при соединении элементов РЭС
короткими линиями связи
При анализе процессов передачи сигналов короткую линию связи
можно представить в виде эквивалентной схемы, содержащей сосредо-
точенные индуктивность и емкость (омическим сопротивлением пре-
небрегают). В зависимости от геометрических размеров сечений линий,
их длины, диэлектрических свойств изоляционных материалов тот или
иной параметр линии может оказывать большее воздействие на процес-
сы передачи сигнала, чем все остальные.
Рассмотрим наводимую емкостную и взаимоиндуктивную помехи на
участке /, на котором параллельно друг другу на расстоянии d распола-
гаются две цепи, имеющие взаимные емкость С 12 и индуктивность
М J2 (рис. 7.4, а) и выполненные по печатной технологии. Для этого
предположим, что в первом случае цепь (источник помех) нагружена
на источник напряжения и, а во втором случае — на источник тока /.
Взаимные емкость и индуктивность печатных проводников соответст-
венно определяются по формулам:
С 12 = 0,12∙10-12εlr/lg[2d/(a + d)],
где εг — диэлектрическая проницаемость среды;
М 12 = 2l {2,3lg[2l/(d + b)] + (d + b)/l}▪ 10-8.
В случае наибольшего влияния емкостной связи между сигнальны-
ми цепями (М≈0) в соответствии с эквивалентной схемой (рис. 7.4, б)
285
Рис. 7.4. Паразитные связи между короткими линиями связи: а — общая схема;
б — эквивалентная схема емкостной связи; в — эквивалентная схема индуктивной связи
при прохождении по линии-индуктору сигнала амплитудой и и фрон-
том нарастания t ф уравнение для расчета максимальной наводимой по-
мехи имеет вид [36]
где R н.экв = Rвх2 Rвых2 /R вx2 + R вых2 ): Т= С12 R н.экв
Поскольку tф>>Т и Rвх>>Rвых получим u пом≈uRвыхС12/tф.
Для выполнения условия надежной работы элемента необходимо,
чтобы
uпом<uпом.доп или С12<tФkпом/Rвых (7Л>
где kпом = u пом доп/u — коэффициент помехоустойчивости элемента.
Подставив в (7.1) выражение для расчета емкости связи и решив его
относительно параметра l, найдем допустимую длину общего участка lc
286
Неравенство (7.2) определяет условия надежной работы элементов
РЭС. Для его выполнения необходимо уменьшать выходное сопротив-
ление, длину связей и их сечения, увеличивать фронт импульсов и ко-
эффициент помехоустойчивости элементов, расстояние между линия-
ми связи, применять изоляционные материалы с хорошими диэлектри-
ческими свойствами.
В случае преобладающего влияния взаимной индуктивной связи
между сигнальными цепями необходимо учитывать значение и фронт
импульса тока, протекающего по цепи — источнику помех. ЭДС, наве-
денная на другой цепи связи (рис. 7.4, в),
uпом = М12I/tФ
Так как R ВЫХ << R ВХ, то это напряжение практически полностью будет
приложено к сопротивлению R ВХ, и воспринято как помеха. По аналогии
с (7.2) условие надежной работы элемента имеет вид
uпом <u пом.доп или M12<u пtФ/I (7.3)
где и п — порог срабатывания элемента.
Подставив в (7.3) выражение для расчета взаимной индуктивности
между проводниками и решив его относительно параметра l , найдем
допустимую длину общего участка связей
2l{2,31g[2l/(d + b )] + (d + b)/l}∙10-8< ип tф. (7.4)
Неравенство (7.4) определяет условия надежной работы элементов
РЭС. Для его выполнения необходимо уменьшить длину цепей связи,
амплитуду токов, увеличить порог срабатывания элементов, фронт пе-
редаваемых импульсов, расстояние между проводниками связей.
7.4. Помехи при соединении элементов РЭС
длинными линиями связи
Длинную линию связи при расчетах схем рассматривают как одно-
родную линию с распределенной емкостью С 0 и индуктивностью L 0.
Переходные процессы в таких линиях зависят от характера перепада
напряжения и вх на входе линии и соотношения волнового сопротивле-
ния линии z0 , выходного сопротивления Rг генератора импульсов и
входного сопротивления Rн , нагруженного на конец линии элемента
(см. рис. 7.2, б).
287
Для анализа переходных процессов в длинных линиях связи необхо-
димо знать их волновое сопротивление Z0 . При нахождении ZQ ис-
пользуют метод, заключающийся в определении погонной емкости С0
линии связи, связанной с ее волновым сопротивлением соотношением
Z0=l/(v0C0).
Здесь v0 — скорость распространения волны вдоль линии:
, где μ r - магнитная проницаемость сре-
ды; εr — диэлектрическая проницаемость среды.
Для большинства диэлектриков μr = 1, поэтому
Емкость между проводниками, образующими линию связи, определяет-
ся как отношение заряда на любом из них к разности потенциалов ф, т.е.
погонная емкость
где q — заряд на единицу длины проводника.
Потенциал, создаваемый линейным зарядом с плотностью q в точке
на расстоянии r от него, равен
φ = [q /(2 πε) ] In (1/r) + const.
При определении емкости проводников используют метод зеркаль-
ных изображений. При расчете потенциала по этому методу учитывают
заряды основных проводников и фиктивных, являющихся зеркальным изображением основных относительно поверхности раздела «диэлектрик — проводящая плоскость». Заряд фиктивного проводника при этом берется обратным по отношению к основному.
Рассмотрим определение ZQ линии связи, об-
разованной тонким проводником круглого сече-
ния радиусом r, расположенным над проводящей
плоскостью на расстоянии h (рис. 7.5).
Рис. 7.5. Определение
волнового сопротивле-
ния длинной линии
связи
288
Потенциал в любой точке на плоскости, соот-
ветствующей проводящей поверхности, создавае-
мый системой зарядов основного и фиктивного
проводников, равен нулю, и используемая раз-
ность потенциалов равна
φ = [ q /(2 πε£) ] [ In (1/r) + In 2 h ].
Отсюда, учитывая (7.5) и (7.6), находим
выражение (7.7) действительно для h >> r (тонкий провод). При
h /r ≥ 2 оно дает 5%-ю ошибку, при h /r ≥ 3 — ошибку в 1,5%, а h /r ≥ 5
— лишь в 0,5%.
Таблица 7.3
При h /r > 1 более точный результат получают из выражения
В табл. 7.3 приведены формулы для расчета волнового сопротивле-
ния связи различной конфигурации.