Ответ на вопрос №128835: Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора дополнительным слоем полупроводника n-типа дополнительным слоем полупроводника p-типа дополнительным слоем полупроводника p-n-типа дополнительным слоем полупроводника n-p-типа Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора - Ответ на вопрос №128835Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора - Ответ на вопрос №128835
2024-08-302024-08-30СтудИзба
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора - Ответ на вопрос №128835
-47%
Вопрос
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора- дополнительным слоем полупроводника n-типа
- дополнительным слоем полупроводника p-типа
- дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
- дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
Ответ
Этот вопрос в коллекциях
Коллекция: Силовая электроника
249 руб.
Пожалуйста, если не трудно, оцените файл на высокую оценку, спасибо!