Ответы к зачёту: Силовая электроника

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

К статическим параметрам силового диода не относится

Для включения тиристора SCR необходимо

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Плоскостные диоды

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

SIT транзисторы производятся с каналами

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

Ток стока IGBT транзистора

IGBT транзистор не находит применение в области

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

В транзисторе IGBT сочетается

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Конструктивно симистор представляет собой

Система управления электронными ключами не предназначена для

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Оптотиристор – это

В основе биполярного транзистора лежит

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

К недостаткам МОП-транзисторов относится