Ответы к зачёту: Силовая электроника

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Для включения тиристора SCR необходимо

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Динамическими параметрами силового диода являются

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

В транзисторе IGBT сочетается

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К статическим параметрам силового диода не относится

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

SIT транзисторы производятся с каналами

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

Конструктивно симистор представляет собой

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

В активном режиме работы биполярного транзистора

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Принципы построения ФИУ не зависят от

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Система управления электронными ключами не предназначена для

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Ток стока IGBT транзистора

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Силовой диод содержит

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

Точечные диоды

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

К аппаратам низкого напряжения не относятся

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

Величина заряда обратного восстановления силового диода

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

Симистор – это тиристор, который может

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

Главным достижением развития современных силовых ключей является

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется