Ответы к зачёту: Силовая электроника

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Для включения тиристора SCR необходимо

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

К статическим параметрам силового диода не относится

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

SIT транзисторы производятся с каналами

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют

Ток стока IGBT транзистора

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Динамическими параметрами силового диода являются

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

В транзисторе IGBT сочетается

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

Конструктивно симистор представляет собой

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Плоскостные диоды

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Транзисторы Дарлингтона используют для

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Принципы построения ФИУ не зависят от

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Быстродействие IGBT транзистора

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

В активном режиме работы биполярного транзистора

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют