Ответы к зачёту: Силовая электроника

Для включения тиристора SCR необходимо

К статическим параметрам силового диода не относится

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Плоскостные диоды

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

К недостаткам МОП-транзисторов относится

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

В транзисторе IGBT сочетается

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Динамическими параметрами силового диода являются

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Ток стока IGBT транзистора

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

В активном режиме работы биполярного транзистора

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Конструктивно симистор представляет собой

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Принципы построения ФИУ не зависят от

Пульсность выпрямителя

В основе биполярного транзистора лежит

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то