Ответы к зачёту: Силовая электроника

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Для включения тиристора SCR необходимо

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

К статическим параметрам силового диода не относится

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Быстродействие IGBT транзистора

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Транзисторы Дарлингтона используют для

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

SIT транзисторы производятся с каналами

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Ток стока IGBT транзистора

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Динамическими параметрами силового диода являются

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

В транзисторе IGBT сочетается

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Оптотиристор – это

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Конструктивно симистор представляет собой

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Плоскостные диоды

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

К аппаратам высокого напряжения не относятся

К параметрам силовых диодов не относятся

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

Транзистор – это

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в