Ответы к зачёту: Силовая электроника

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Для включения тиристора SCR необходимо

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

К статическим параметрам силового диода не относится

Транзисторы Дарлингтона используют для

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

SIT транзисторы производятся с каналами

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

К аппаратам высокого напряжения не относятся

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

К параметрам силовых диодов не относятся

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Плоскостные диоды

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Ток стока IGBT транзистора

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Не существует следующего вида модуляций

В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

В активном режиме работы биполярного транзистора

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Динамическими параметрами силового диода являются

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

В транзисторе IGBT сочетается

Система управления электронными ключами не предназначена для

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Конструктивно симистор представляет собой

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от