Для студентов МФПУ «Синергия» по предмету Силовая электроникаСиловая электроникаСиловая электроника
5,00525
2024-08-302024-08-30СтудИзба
Ответы к зачёту: Силовая электроника
Хит
Описание
Силовая электроника. Коллекция ответов на вопросы. ВУЗ - МФПУ Синергия (МОИ, МТИ, МосАП).
Список вопросов
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
Для включения тиристора SCR необходимо
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
К статическим параметрам силового диода не относится
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
В транзисторе IGBT сочетается
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Конструктивно симистор представляет собой
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Динамическими параметрами силового диода являются
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
В основе биполярного транзистора лежит
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
Ток стока IGBT транзистора
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Плоскостные диоды
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
Высокой температурной устойчивостью не обладает
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
SIT транзисторы производятся с каналами
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Принципы построения ФИУ не зависят от
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Характеристики ответов (шпаргалок) к зачёту
Тип
Коллекция: Ответы (шпаргалки) к зачёту
Предмет
Учебное заведение
Учебная пора
Просмотров
217
Количество вопросов

Пожалуйста, если не трудно, оцените файл на высокую оценку, спасибо!