Ответы к зачёту: Силовая электроника

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Для включения тиристора SCR необходимо

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

К статическим параметрам силового диода не относится

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

SIT транзисторы производятся с каналами

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Плоскостные диоды

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Ток стока IGBT транзистора

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Транзисторы Дарлингтона используют для

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Не существует следующего вида модуляций

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Конструктивно симистор представляет собой

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

Основная функция силового диода

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Быстродействие IGBT транзистора

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

В активном режиме работы биполярного транзистора

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Электрический пробой силового диода возникает, когда

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Динамическими параметрами силового диода являются

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

В транзисторе IGBT сочетается