Ответы к зачёту: Силовая электроника

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Для включения тиристора SCR необходимо

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

В транзисторе IGBT сочетается

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Динамическими параметрами силового диода являются

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Высокой температурной устойчивостью не обладает

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Электрический пробой силового диода возникает, когда

SIT транзисторы производятся с каналами

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют

К статическим параметрам силового диода не относится

Конструктивно симистор представляет собой

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Принципы построения ФИУ не зависят от

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

В основе биполярного транзистора лежит

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются: