Ответ на вопрос №128756: Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью доМощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с - Ответ на вопрос №128756Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с - Ответ на вопрос №128756
2024-08-302024-08-30СтудИзба
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с - Ответ на вопрос №128756
-47%
Вопрос
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в- источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
- источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
- источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
- источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
Ответ
Этот вопрос в коллекциях
Коллекция: Силовая электроника
249 руб.
Пожалуйста, если не трудно, оцените файл на высокую оценку, спасибо!