Описание процесса млэ
Описание процесса млэ
Система, используемая для МЛЭ кремния, изображена на рис.1.
МЛЭ заключается в осаждении испаренных элементарных компонентов на подогретую монокристаллическую подложку. Этот процесс иллюстрируется с помощью рис. 1, на котором приведены основные элементы для получения соединения (GaAs).
Основой установки является вакуумная система. Так как в процессе МЛЭ требуется поддерживать высокий вакуум, установки снабжаются вакуумными шлюзами для смены образцов, что обеспечивает высокую пропускную способность при смене пластин и исключает возможность проникновения атмосферного воздуха. Для десорбции атмосферных газов со стенок системы требуется длительный отжиг в вакууме. Для обеспечения высокого качества и чистоты растущего слоя необходимо низкой давление. Этого добиваются, используя безмасляные средства откачки (например, титановый геттерный насос).
Метод МЛЭ позволяет проводить всесторонний анализ некоторых параметров непосредственно во время процесса выращивания пленки. Большинство промышленных установок МЛЭ содержит оборудование для анализа дифракции отраженных электронов, масс-спектрометр, оже-спектрометр с возможностью исследования оже-спектров распыленных ионов.
Испарение кремния осуществляется не путем нагрева тигля, как для легирующих элементов, а за счет нагрева электронным лучом, т. к. температура плавления кремня относительно высока. Постоянная интенсивность потока атомов обеспечивается строгим контролем температуры. Для контроля температуры применяются термопары, ИК-датчики и оптический пирометр. Управление потоками атомов легирующей примеси осуществляется с помощью заслонок. Это позволяет достичь хорошей воспроизводимости процесса и высокой однородности скорости роста и уровня легирования.
Рис. 1.
Основные элементы для получения соединения AlxGa1-xAs.
Каждый нагреватель содержит тигель, являющийся источником одного из составных элементов пленки. Температура нагревателей подбирается таким образом, чтобы давление паров испаряемых материалов было достаточным для формирования соответствующих молекулярных пучков. Испаряемое вещество с относительно высокой скоростью переносится на подложку в условиях вакуума. Нагреватели располагаются так, чтобы максимумы распределений интенсивности пучков пересекались на подложке.
Подбором температуры нагревателей и подложки получают пленки со сложным химическим составом. Дополнительное управление процессом наращивания осуществляется с помощью заслонок, расположенных между нагревателем и подложкой. Использование этих заслонок позволяет резко прерывать или возобновлять попадание любого из молекулярных пучков на подложку.
В лекции "19 Ременные передачи" также много полезной информации.
Аналогичным образом осуществляется МЛЭ кремния (см. рис. 2).
Рис. 2. Схема установки для МЛЭ
1-термопара; 2-кварцевый кристалл-измеритель толщины;
3-тепловой экран; 4-нагреватель; 5-подложка; 6-держатель;
7-окно для визуального наблюдения; 8-масс-спектрометр;
9-инизационный вакуумметр; 10-механический затвор;
11-источник сурьмы; 12-электронная пушка и источник кремния;
13-титановый геттерный насос; 14-турбокомпрессионный насос.
Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Низкой давление паров кремния и легирующих примесей гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке.
Обычно МЛЭ проводят в сверхвысоком вакууме при давлении 10-6 - 10-8 Па. Температурный диапазон составляет 400 - 800 °С. Технически возможно применение и более высоких температур, но это приводит к увеличению автолегирования и диффузии примеси из подложки.
Предэпитаксиальная обработка подложки
Предэпитаксиальная обработка подложки при использовании метода МЛЭ осуществляется двумя способами.
- Высокотемпературный отжиг при температуре 1000 - 1250 °С длительностью до 10 минут. При этом за счет испарения или диффузии внутрь подложки удаляется естественный окисел и адсорбированные примеси.
- Очистка поверхности с помощью пучка низкоэнергетичных ионов инертного газа. Этот способ дает лучшие результаты. Для устранения радиационных дефектов проводится кратковременный отжиг при температуре 800 - 900 °С.
