Связь аэ с дефектами кристаллической решетки
Вопрос 30. Связь аэ с дефектами кристаллической решетки.
В идеальной решетке атомы расположены в узлах и совершают тепловые колебания, создающие «белый» (не зависящий от частоты) акустический шум. Энергия этого шума в единичном интервале частотного диапазона при комнатной температуре равна Дж/Гц.
Точечные дефекты кристаллической решетки — атомы внедрения и вакансии (лишний атом или отсугствие атома в узле решетки). Они могут возникнуть под действием тепловых колебаний. С ними связана дополнительная потенциальная анергия. Искажения перемещаются по решетке. Если атом внедрения встречается с вакансией, дефект решетки аннигилирует, выделял энергию порядка Дж в виде упругого импульса. Сигналы такого уровня обычно не регистрируются.
Рис. 1
Более крупный линейный дефект кристаллической решетки — дислокация (от позднелат. dislocatio — смешение, перемещение). Это линейное несовершенство кристаллической решетки, которое в двух измерениях имеет размеры порядка атомных, а в третьем гораздо больший. Когда между атомными плоскостями «вставлена» дополнительная неполная плоскость, край ее называют краевой дислокацией. Ее энергия порядка Дж. Она ослабляет прочность кристалла на 2 … 3 порядка, т.к. участки с разным количеством плоскостей сдвигаются относительно друг друга при значительно меньших напряжениях, чем на других участках, где атомы расположены регулярно в узлах решетки. Это смещение представляют как движение дислокации по кристаллу. Если два участка кристалла с лишними кристаллическими полуплоскостями встретятся, образуется полная плоскость. Дислокация аннигилирует. Существуют другие типы дислокаций, например винтообразные. Дислокации накапливаются у препятствий —других нарушений кристаллической решетки. Преодоление препятствий происходит путем совместного движения группы дислокаций и вызывает более интенсивные упругие сигналы.
Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка Дж.
Форма импульсов АЭ, возникающих в результате перестройки структуры, зависит от природы процесса и материала изделия. Рассмотренный выше процесс снятия локальных напряжений путем разрушения вызывает импульс с крутым фронтом, как большинство импульсов на рис. 1, а. Процесс восстановления первоначального состояния называют релаксацией. Первоначальное состояние — ненагруженное. Разрыв связей соответствует возвращению к ненагруженному состоянию. Он происходит быстро, за время порядка с.
Спад импульса соответствует восстановлению внутренних напряжений (иногда они не восстанавливаются или восстанавливаются не полностью). Здесь первоначальное состояние — напряженное, и под релаксацией понимают возвращение к напряженному состоянию. Оно происходит медленнее, чем разрыв, может сопровождаться быстрозатухающими колебаниями, как показано для первого импульса на рис. 1, а. Импульсы рассматриваемого типа называют релаксационными. Они характерны для процессов возникновения и движения дислокаций и их групп, возникновения и развития трещин.
Рекомендуемые материалы
Третий из показанных на рис. 1, а импульсов соответствует процессу акселерационного типа. Когда дислокации противоположного знака сближаются и аннигилируют или дислокация выходит на поверхность кристалла и исчезает, их энергия преобразуется в упругую. Процессы сближения или выхода на поверхность дислокаций происходят с ускорением, отсюда название импульса этого типа. Энергия процесса аннигиляции дислокаций порядка Дж, длительность импульса — с, ширина спектра — сотни мегагерц. Другие дислокационные источники имеют большую длительность и энергию (до Дж).
Точечный удаленный от поверхности источник АЭ излучает сферические продольную и поперечную волны. Затухание волн в металле вызывает наиболее сильное ослабление высокочастотной составляющей сигнала, так как коэффициент затухания быстро возрастает с частотой. При падении на поверхности ОК волны отражаются и трансформируются. В результате появляются поверхностные волны, амплитуда которых уменьшается с расстоянием значительно медленнее, чем сферических волн, поэтому поверхностные волны преимущественно регистрируются приемником. Все это приводит к значительному искажению первоначального сигнала АЭ в зоне приема.
В результате прохождения импульсов через приемный преобразователь и усилительный тракт с ограниченной полосой пропускания происходит дальнейшее искажение импульсов. Они приобретают характер колебаний, длительность их увеличивается, быстро следующие друг за другом импульсы сливаются в один (рис. 1, б).
Эмиссию называют дискретной, когда длительность регистрируемых импульсов меньше интервала между ними. В противном случае говорят о непрерывной АЭ. Появление импульсов АЭ в значительном объеме материала — процесс во времени статистический, поэтому можно говорить лишь о средней длительности импульсов и интервалов между ними. Кроме того, дискретность или непрерывность зависит от разрешающей способности регистрирующей аппаратуры.
Основные параметры АЭ (ГОСТ 27655—88)—это число импульсов за время наблюдения и активность , равная количеству импульсов за некоторый интервал времени наблюдения (обычно 0,1 или 1 с). Фактически регистрируют не все импульсы АЭ, а лишь превышающие определенный порог (рис. 1, б). Тогда параметры эмиссии обозначают: суммарный счет и скорость счета.
Для характеристики процесса АЭ важно не только количество импульсов, но также их амплитуда. Параметром, учитывающим обе величины, является эффективное значение АЭ , пропорциональное произведению активности (или скорости счета) АЭ на среднее значение амплитуды сигналов АЭ за единицу времени. Ее обычно выражают в вольтах (точнее — в микровольтах).
Акустическую эмиссию при деформации материалов вначале рассмотрим на примере механических испытаний гладких образцов. Каждому типу диаграммы напряжение — деформация (), получаемой при испытании на растяжение различных материалов, соответствует своеобразное изменение процесса АЭ (рис. 2). Из кривых видно, что даже в области упругости (от 0 до ) наблюдается АЭ. Она возникает от того, что материал неоднороден, нагружен неравномерно и в отдельных областях происходит пластическая деформация, хотя в целом процесс упругий.
Как видно из кривых рис. 2, а—в, АЭ резко возрастает при переходе к пластической деформации ( не пропорционально ) в большом объеме образца. Эта деформация связана с массовым образованием и перемещением дефектов кристаллической решетки. Происходит образование, движение дислокаций и их групп, двоиникование. Все эти процессы связаны.с появлением сигналов АЭ. Пластическая деформация объема мм3 вызывает импульсы АЭ с энергией порядка Дж и шириной спектра порядка 0,5 МГц.
Рис.2
Максимум эффективного значения и активности АЭ достигается вблизи предела текучести . Это напряжение соответствует условию, что пластическая деформация составляет 0,2% от длины образца. Затем значения и уменьшаются из-за того, что движение вновь образующихся дислокаций ограничивается уже существующими (дислокации не могут пересекаться). В результате сигналы АЭ с достаточной для регистрации амплитудой появляются все реже.
Дополнительные максимумы АЭ для некоторых материалов (см. рис. 2, а) наблюдаются в конце площадки текучести или вблизи максимума напряжения . Они связаны с разрушением цементитовых пластинок в стали (см. рис. 2, а, кривая 2) и двойникованием (см. рис. 2, в). Перед разрушением образца обычно наблюдают импульсы большой амплитуды.
Важный параметр АЭ при пластической деформации — амплитудное распределение. Металлы с решеткой типа гранецентрированный куб (алюминий, -железо) имеют небольшую среднюю энергию импульса (меньше Дж), сигналы большой амплитуды в них наблюдают редко. Для них характерна деформация скольжением. Металлы с решеткой типа объемно центрированный куб (в том числе -железо) имеют несколько большее среднее значение энергии импульсов. Деформация металлов с гексагональной плотно упакованной решеткой (например, цинка, титана) вызывает импульсы АЭ с амплитудой в тысячи раз большей (порядка Дж), так как они деформируются двойникованисм.
Отмечают следующие факторы, повышающие амплитуду сигналов АЭ: высокая прочность, анизотропия, неоднородность, крупнозернистость (литая структура), большая общая толщина материала, большая скорость деформации, низкая температура, наличие надрезов.
В образцах с дефектами, как искусственными (надрезами), так и естественными трещинами, происходит концентрация напряжений вблизи острого края дефекта. В этом месте образуется локальная зона пластической деформации, объем которой пропорционален коэффициенту интенсивности напряжений — величине, характеризующей сложное напряженное состояние. Например, для тонкой пластины с трещиной длиной , От этой зоны появляются импульсы АЭ, число которых также связано с . Когда локальное напряжение превосходит предел прочности, происходит микроразрыв — скачкообразное увеличение дефекта; он проходит через эту зону, в результате чего также появляются сигналы АЭ. При дальнейшем нагружении процесс повторяется. Таким образом, число импульсов АЭ должно расти с ростом . Связь эту определяет формула
, (1)
где акт зависят от материала и условий испытаний, причем т может меняться от 1 до 20.
Лекция "46 Критерий Коши" также может быть Вам полезна.
Рис.3
Эмиссия при многократном нагружении. При повторном нагружении АЭ резко уменьшается и вновь начинает регистрироваться после достижения максимальной нагрузки первого цикла. Это явление называют эффектом Кайзера. Он особенно хорошо проявляется на гладких образцах и хуже — на образцах с надрезом. Последнее свидетельствует о накоплении повреждений при повторных нагрузках.
На рис. 3 показан рост числа N импульсов АЭ в зависимости от числа циклов нагружения п при малоцикловых испытаниях образца с надрезом. Участок АВ соответствует первому циклу, суммарный счет импульсов здесь быстро растет. В окрестностях точки В рост замедляется в 10... 100 раз, а на участке ВС суммарный счет остается практически постоянным. В этом проявляется эффект Кайзера. В процессе циклических нагрузок происходит медленное накопление повреждений в металле образца, после этого эффект Кайзера перестает действовать и перед моментом появления видимой трещины происходит ускоренный рост N (участок CD) и далее медленное увеличение N с ростом трещины (DE). При достижении ею определенного размера происходит разрушение, сопровождающееся ростом N (EF).
Изображение на рис. 3 несколько условно. В действительности трещина растет скачками и соответственно линия имеет ряд ступеней, которые на рисунке сглажены.
Для неметаллических материалов существуют особенности в поведении АЭ. Для стеклопластиков, например, установлен эффект послезвучания, т. е. при неизменной нагрузке и при разгрузке АЭ продолжается. Отсутствует эффект Кайзера: при повторном нагружении каждый раз возникают сигналы АЭ, активность которой несколько уменьшается при повторных циклах.