Курсовая работа: Курсовая (ГТ310Б)
Описание
Характеристики курсовой работы
Список файлов
- Курсовая (ГТ310Б)
- [4 семестр - МИС] Курсовой
- IMG_1768.JPG 1,25 Mb
- Задание
- img004.jpg 255,33 Kb
- img005.jpg 222,25 Kb
- img006.jpg 145,57 Kb
- Курсовой
- [МИС] Курсовой.doc 1,02 Mb
- done
- МИС - КП.aux 190 b
- МИС - КП.dvi 13,66 Kb
- МИС - КП.log 8,21 Kb
- МИС - КП.pdf 361,4 Kb
- МИС - КП.tex 6,23 Kb
- МИС - КП.tex.bak 4,73 Kb
- МИС - КП.tex.sav 3,71 Kb
- пикча.PNG 127,71 Kb
- пикча2.PNG 9,11 Kb
- Второй заход
- Вход.ewb 16,42 Kb
- Выход.EWB 16,33 Kb
- Генератор импульсных сигналов.ewb 15,6 Kb
- Коэффициенты.ewb 16,79 Kb
- Проверка ёмкости.ewb 16,06 Kb
- Первый заход
- 1.ewb 12,53 Kb
- 2.ewb 13,19 Kb
- 3.ewb 12,97 Kb
- Рисунок 1.jpg 111,32 Kb
- Семейство ВАХ.ewb 11,65 Kb
- Теоретическм
- 1.jpg 370 Kb
- 2.JPG 559,09 Kb
- 3.JPG 618 Kb
- 4.JPG 568,75 Kb
- 5.JPG 740,26 Kb
Распознанный текст из изображения:
Задание на курсовую работу но курсу «Микроэлектроника
и схемотехника»
1. Построить входные и выходные ВАХ транзистора.
2. Рассчитать параметры резисторов К1, К2, Кэ и Кк, исходя из заданного полозкения рабочей то ии в классе А (1кА) и ее нестабильности (8) при напряжении источника питания схемы (Ек), типа транзистора (тТ1), лля схемы, изображенной на Рнс. 1.
2. Используя программу анализа электронных схем промоделировать работу схемы на постоянном токе. Рассмотреть узловые потенциалы в схеме. Построить передаточную характеристику схемы на участке база-коллектор транзистора Ь й = Г (С)г ) и нанести иа нее
о
рабочую точку. Обозначить на характеристике области работы транзнстора.
3. Изменить коэффициент усиления по току транзистора (Вст) в два раза и определить на сколько изменится ток коллектора. Проделать то же, изменив неуправляемый ток коллекторного перехода в десять раз.
4. Дать заключение о степени соответствия прогноза, сделавного на основания аналитических расчетов, и резулыатов моделирования по работе схемы на постоянном токе.
5. Оценить расчетным путем основные малосигнальиые параметры рассматриваемой схемы Кис, Ксо. Кю, Кр, Квх, Квых, а также при какой амплитуде входного сигнала в схеме возникнут нелинейные искажения .
б. На основе сведений о нижней граничной частоте (Рн) полосы пропускания усилителя с учетом данных о сопротивлениях нагрузки (КН) и источника сигнала (Кг) определить емкости разделительных (Ср1 и СР2) и блокнровочиого (Сбл) конденсаторов. Спрогнозировать верхнюю граничную частоту (Гв) полосы пропускания усилителя.
7. Промоделировать работу схемы на переменном токе и построить Аг1Х и ФЧХ усилителя, по которым определить граничные частоты полосы пропускания усилителя. Определить также на основе моделирования с использованием полиномиального источника сигнада входное (квх) и выходное (Рвых) сопротнвдення усилителя на средней частоте.
8. Предсказать аналитически и исследовать с помощью
моделирования реакцию усилителя на импульсный сигнал малой величины.
9. Провести сравнение анапиттических прогнозов повеления усилителя на переменном токе с резулгтатами моделирования и сделать необхолимые выводы.
Оформить отчет о проделанной работе, в котором представить:
-Исходные данные и задание.
-Входные и выходные ВАХ транзистора.
-Аналитические расчеты параметров деталей схемы и параметров выходных сигналов, характеризующих ее поведение на постоянном и переменном токе.
-Результаты моделирования в виде распечаток принципиальной схемы с узловыми потенциалами, передаточной, амплитудно-частотной, фазочастотной и переходной характеристик. Приведенные графики должны быть обработаны и на них указаны извлекаемые параметрьь
-Распечатки библиотечных параметров транзистора т'Т1,
источников сннусоидального и импульсного сигналов с объяснением каким образом все эти параметры были назначены.
Распознанный текст из изображения:
-Выводы по рабате.
Вк
Сн
Рис.т Схема
Г уппа
ИУЗ-43
Бх
тА
Е11 !В]
Ф.И.О.
студента.
Подпись
Тип
т анзисто а
Ен Гц]
Кг
[КОМ
н Е
!КОМ]
КТ318В-1 КАТ361Н
1.5
8 5
200
450
5 9
5
2.5
100
350
12 20
КТ315И
500
220
КТ361Г
50
10
100
4 10
КТ3106А9
1000 !
40
5 10
КТ815А
500
1О
200
5 10
2Т3117Б
800
0,5
10
50
3 7
КТ3126А9
1000
60
КТ8 141
200
200
10
5 6
КТ371А
100
1О
20
КТ351Б КТ316Д
3 2 5
50
50
8 20
100
100
КТ326А
200
10
14
КТ608Б
400
150
КТ363А КТ20! Б
4 4
1000 1,5
1О
16
100
10
200
КТ3128А
50
200
18
3 7
КТ315Д
300
50
1 5
19
20 10
КТ361Е
КТ3175А
25
500
10
20
1000 1,5
4 4
!50
21
5 6 4 9
12
КТ3107А
КТ31161АС
10
22
200
100
КТ342А
23
1000
25
КТ815А
24
10
500
10
200
20
0,5
КТ351А
100
50
4 4
!э
КТЗОЗА
1000 1.5
10
27
КТЗ!07А
5 6
12
10
0.4
20
28
5 КТЗ!51Д9
500
10
0.4
КТ315Е
29
12
400
120
5 2
20
1.5
КТ3102А
30
1О
400
25
№п1п
1
2
3
11
!э
13
электрическая сринаисиальная усилителя
10 9 12
Таблица 1. Исходные данные для выполнения курсовой работы по курсу
«Микроэлектроника и схемотехника».
а
выбранного варианта ставит свою фамилию и дату получения задания.
Распознанный текст из изображения:
Литература
1. Жеребпов И.П. Основы электроники. 5-е издание, переработанное и дополненное. Ленинград, ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ, Ленинградское отделение,!989.
2. Карлащук А.А. Электронная лаборатория на 1ВМ РС.Солон-р Москва 2000
3. Заброднн Ю.С. Промышленная электроника. Москва. Высшая школа. 1982.
4. Кауфман М., Сндман А. Пракзическое руководство по расчетам схем в электронике. Справочник в двух томах. Под редакцией доктора технических наук Ф.Н. Покровского. Том !. Москва, ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ, 1991.
5. Хорвнц П., Хилл У. Искусство схелютехники, В трех томах. Том !. Издание 4-е, переработанное и дополненное. Москва, Мир, 1993.
б. Иванов С.Р., Медведев Н.В. Характеристики н параметры полевых н биполярных транзисторов. Методические указания к семинарским занятиям по курсу "Электроника и микроэлекгроника". Под редакцией Н.М. Соломатина. Москва, 1985,
7. Зайцев А.А.. Маркин А.И., Мокряков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности. Справочник. Полупроводниковые приборы. Под редакцией Голомедова А.В. «Радио и связь». «КУЕК-а», М. ! 994.
8. Зайцев А.А., Маркин А.И., Мокряков В.В. н др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник. Полупроводниковые приборы. Под редакцией Голомедова А.В. «Радио н связь». «КУбК-а», М. 1994.
Москва, МГТУ. ИУб. Февраль 2010 года.
Начать зарабатывать