Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Микроэлектроника и схемотехника (МиС)Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе (7 вариант)Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе (7 вариант)
2021-04-202021-04-20СтудИзба
Курсовая работа: Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе (7 вариант)
Описание
Задание на курсовую работу.
Исходные данные.
Выполнение задания.
Расчёт резисторов.
Снятие входных и выходных ВАХ и определение h-параметров транзистора.
Моделирование работы схемы на постоянном токе.
Изучение влияния изменения параметров транзистора на работу усилителя.
Анализ результатов моделирования работы схемы на постоянном токе.
Определение малосигнальных параметров схемы.
Расчёт емкостей конденсаторов и верхней граничной частоты усиления.
Моделирование работы схемы на переменном токе.
Изучение реакции усилителя на импульсный сигнал.
Анализ результатов моделирования работы схемы на переменном токе.
Выводы.
Список использованной литературы.
![]()
Исходные данные.
Выполнение задания.
Расчёт резисторов.
Снятие входных и выходных ВАХ и определение h-параметров транзистора.
Моделирование работы схемы на постоянном токе.
Изучение влияния изменения параметров транзистора на работу усилителя.
Анализ результатов моделирования работы схемы на постоянном токе.
Определение малосигнальных параметров схемы.
Расчёт емкостей конденсаторов и верхней граничной частоты усиления.
Моделирование работы схемы на переменном токе.
Изучение реакции усилителя на импульсный сигнал.
Анализ результатов моделирования работы схемы на переменном токе.
Выводы.
Список использованной литературы.
Характеристики курсовой работы
Учебное заведение
МГТУ им. Н.Э.БауманаСеместр
Просмотров
16
Размер
1,33 Mb
Список файлов
МГТУ им. Н.Э. Баумана 4 семестр МИС 7 вариант.doc
АнтонРЛ
20 апреля 2021 в 23:00
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
