Вакуумная установка формирования

покрытий магнетронным распылением

Москва, 2013

Содержание

Реферат. 3

Введение. 4

Техническое задание. 5

1. Описание вакуумной установки. 6

2. Описание процессной модели. 7

2.1 Откачка рабочей камеры. 7

2.2 Процесс нанесения. 7

2.3 Регулирование направление вращения вала с подложкодержателями. 8

2.4 Ионная обработка подложек. 8

2.5 Напуск рабочего газа и регулирование потока газонатекания. 8

2.6 Процесс завершения работы установки. 8

2.7 Процесс аварийного отключения. 9

2.8 Таблица процессов. 10

2.9 Выбор сервисных функций. 11

2.10 Выбор функций коррекции цели. 11

2.11 Программа управления технологическим процессом. 11

3. Функциональная схема установки. 12

4. Информационный поиск датчиков и исполнительных элементов машины и ее САУ.. 17

4.1 Контроллер PLC.. 17

4.2 Исполнительные элементы.. 18

Заключение. 23

Список литературы. 24

Реферат

Курсовой проект содержит 4 графических листов, выполненных в пакете AutoCAD 2010, и расчётно-пояснительную записку в формате Word, содержащую 24 страницы.

Введение

В настоящее время используют две разновидности технологических процессов изготовления МС:

1) тонкопленочные процессы,

2) полупроводниковые процессы.

Так как тонкопленочная технология позволяет изготовлять только пассивные элементы, а полупроводниковая - активные элементы, то целесообразно использовать их комбинацию. Это приводит к созданию гибридных интегральных МС.

Широкое распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок. Это могут быть и миниатюрные трансформаторы. В некоторых случаях в гибридных ИС навесными являются целые полупроводниковые ИС.

ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИС имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов).

Если для создания микроэлектронного изделия необходимы пассивные элементы и компоненты высокого качества, предпочтительнее выполнить его в виде ГИС.

Одна из основных характеристик микроэлектронного изделия – рассеиваемая мощность. При гибридном исполнении можно обеспечить изготовление изделий достаточно большой мощности, что важно при создании аналоговых устройств, управляющих мощными входными цепями.

Недостатком является необходимость дополнительных контактных площадок для монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИС, которые могут быть выполнены по тонкопленочной технологии. Высокая надежность гибридных ИС достигается только с помощью точного проведения технологического процесса и эффективного контроля.

Техническое задание

на курсовой проект по курсу «Основы проектирования систем автоматического управления оборудования электронных технологий».

Тема проекта:__САУ вакуумной установки формирования покрытий магнетронным распылением

1. Проработать описание работы машины, выбрать и обосновать состав его основных целевых функций, сервисных функций, функций коррекции цели.

2. Разработать комплексную принципиальную схему, как совокупность системы целевых механизмов, системы их энергообеспечения и системы управления, связанных материальными, энергетическими и информационными потоками.

3. Описать механический, энергетический и информационный интерфейс компонентов машины. Дать техническое задание и техническое предложение на САУ и основные элементы машины.

4. Разработать принципиальную электрическую схему элемента САУ или САУ в целом.

Содержание графической части.

1. Процессная модель машины..................................................2 л.
2. Комплексная принципиальная схема....................................1 л.
3. Принципиальная электрическая схема..................................1 л.

Содержание расчетно-пояснительной записки.

1. Введение. Описание целевого, механического и энергетического интерфейса спроектированной технологической машины.
2. Описание процессной модели. Выбор и обоснование целевых, сервисных функций, и функций коррекции цели.
3. Техническое задание и техническое предложение на систему управления машины по приведенной в Приложении 1 форме.
4. Описание комплексной принципиальной схемы ФС. Обоснование структурно-компоновочного решения, выбор и согласование уровней потоков элементов.
5. Документы, сопровождающие комплексную принципиальную схему:
6. перечень элементов ПЭ;
7. перечень потоков и сигналов ПС;
8. технические задания на основные подсистемы и узлы машины ТЗ.
9. Информационный поиск датчиков и исполнительных элементов машины и ее САУ, описание целевого, механического, энергетического и информационного интерфейса этих элементов ОЭ.
10. Расчет и описание принципиальной электрической схемы.
11. Заключение.