Диссертация (Поглощение волн терагерцового диапазона в нелинейно-оптических кристаллах ZnGeP2), страница 12

Merten, G. Lamprecht. Directional dependence of extraordinary infrared oscillator parameters of uniaxial crystal (I) // Physica Status Solidi (b), 1970, V. 39, No. 2, pp. 573-580.44. M. Lax. Quantum relaxation, the shape of lattice absorption and inelastic neutron scatteringlines // Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1964, V.

25, No. 5, pp. 487-503.45. R.A. Cowley. Lattice dynamics of an anharmonic crystal // Advances in Physics, 1963, V.12, No. 48, pp. 421-480.46. R. Stolen, K. Dransfeld. Far-infrared lattice absorption in alkali halide crystals // PhysicalReview, 1965, V. 139, No. 4A, pp. 1295-1303.47. M. Sparks, D.F.

King, D.L. Mills. Simple theory of microwave absorption in alkali halides// Physical Review B, 1982, V. 26. No. 12, pp. 6987-7003.48. E. Burstein, F.A. Johnson, R. Loudon. Selection rules for second-order infrared and Ramanprocesses in the Rocksalt structure and interpretation of the Raman spectra of NaCl, KBr,and NaI // Physical Review, 1965, V. 139, No.

4A, pp. A1239-A1245.49. D.R. Bosomworth. Far-infrared optical properties of CaF2, SrF2, BaF2, and CdF2 // PhysicalReview, 1967, V. 157, No. 3, pp. 709-715.50. J.T. Gourley, W.A. Runciman. Multiphonon infrared absorption spectra of MgO and CaO //Journal of Physics C: Solid State Physics, 1973, V. 6, No. 3, pp. 583-592.51. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Том VIII. Электродинамикасплошных сред // М.: Наука, 1982, 621 с.52. А.С. Давыдов. Теория твёрдого тела // М.: Наука, 1976, 639 с.53.

Физическая акустика. Под ред. У. Мэзона. Пер. с англ. под ред. Л.Д. Розенберга // М.:Наука, 1968, 391 с.54. K.V. Shportko. Optical phonon behaviors in ZnGeP2 single crystals from temperature dependent far-infrared reflectance spectra // Vibrational Spectroscopy, 2015, Vol. 80, pp. 1-5.55. F. Gervais, B. Piriou. Anharmonicity in several-polar-mode crystals: adjusting phonon selfenergy of LO and TO modes in Al2O3 and TiO2 to fit infrared reflectivity // Journal of Physics C: Solid State Physics, 1974, V. 7, No. 13, pp.

2374-2386.56. Р.Дж. Белл. Введение в Фурье-спектроскопию. Пер. с англ. под ред. Г.Н. Жижина //М.: Мир, 1975, 380 с.9357. В.А. Вагин. М.А. Гершун, Г.Н. Жижин, К.И. Тарасов. Светосильные спектральныеприборы. Под ред. К.И. Тарасова // М.: Наука, 1988, 263 с.58. M.J.E. Golay.

A pneumatic infra-red detector // Review of Scientific Instruments, 1947, V.18, No. 5, pp. 357-362.59. M.H. Lee, R. Guo, A.S. Bhalla. Pyroelectric sensors // Journal of Electroceramics, 1998, V.2, No. 4, pp. 229-242.60. P.L. Richards. Bolometers for infrared and millimeter waves // Journal of Applied Physics,1994, V. 76, No. 1, pp.

1-24.61. P. Jacquinot. How the search for a throughput advantage led to Fourier transform spectroscopy // Infrared Physics, 1984, V. 24, No. 2-3, pp. 99-101.62. P. B. Fellgett. Theory of infra-red sensitivities and its application to investigations of stellarradiation in the near infra-red // 1949, PhD thesis.63. J. Connes, P. Connes. Near-infrared planetary spectra by fourier spectroscopy. I. Instruments and results // Journal of the Optical Society of America, 1966, V. 56, No. 7, pp.

896910.64. G. Kozlov, A. Volkov. Coherent source submillimeter wave spectroscopy // Topics in Applied Physics, 1998, V. 74. pp. 51-109.65. A.A. Volkov, Yu.G. Goncharov, G.V. Kozlov, S.P. Lebedev, A.M. Prokhorov. Dielectricmeasurements in the submillimeter wavelength region // Infrared Physics, 1985, V. 25, No.1/2, pp.

369-373.66. А.А. Волков, А.С. Прохоров. Панорамная диэлектрическая спектроскопия твёрдоготела // Известия ВУЗов. Радиофизика, 2003, Т. 46, № 8-9, с. 1-1067. A.A.Volkov, G.V.Kozlov, A.M.Prokhorov. Progress in submillimeter spectroscopy of solidstate // Infrared Physics, 1989, V. 29, No. 2-4, pp. 747-752.68.

Б.П. Горшунов, А.А. Волков, А.С. Прохоров, И.Е. Спектор. Методы терагерцовойсубтерагерцовой ЛОВ-спектроскопии проводящих материалов // Физика твёрдого тела, 2008, Т. 50, № 11, с. 1921-1932.69. Е.М. Гершензон, М.Б. Голант, А.А. Негирев, К.С. Савельев. Лампы обратной волнымиллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн.

Под ред. Н.Д. Девяткова //М.: Радио и связь, 1985.70. Ю.Г. Альтшулер, А.С. Татаренко. Лампы малой мощности с обратной волной // М.:Советское радио, 1963, 296 с.71. М.Б. Голант, З.Т. Алексеенко, З.С. Короткова, Л.А. Лунина, А.А. Негирев, О.П. Петрова, Т.Б. Реброва. Широкодиапазонные генераторы субмиллиметрового диапазонаволн // Приборы и техника эксперимента, 1969, № 3, с. 231-232.9472. В.Б. Анзин, Ю.Г.

Гончаров, Г.А. Гусев, С.П. Лебедев, Г.А. Командин О.Е. Породинков, И.Е. Спектор. Унифицированный источник терагерцового излучения на основеламп обратной волны // Приборы и техника эксперимента, 2009, № 3, с. 1-5.73. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. Пер. с англ. под ред. Г.П. Мотулевич // М.: Наука,1973, 720 с.74. В.Б.

Анзин, Ю.Г. Гончаров, Г.А. Гусев, Г.А. Командин, С.П. Лебедев, О.Е. Породинков, И.Е. Спектор. Автоматизированный источник питания ламп обратной волны //Приборы и техника эксперимента, 2009, № 1, с. 174-175.75. A.A. Volkov, B.P. Gorshunov, A.A. Irisov, G.V. Kozlov, S.P. Lebedev. Electrodynamicproperties of plane wire grids // International Journal of Infrared and Millimeter Waves,1982, V. 3, No. 1, pp. 19-43.76. В.Б.

Анзин, С.П. Лебедев, Г.И. Мирзоянц, С.Н. Ситкин. Криостат для субмиллиметрового спектрометра «Эпсилон» // Препринт ИОФАН № 161, Москва, 1985, 13 с.77. А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, С.П. Лебедев. Диэлектрические измеренияи свойства твёрдых тел на частотах 1011–1012 Гц // Труды ИОФАН, 1990, Т. 25, с.

3-51.78. M.C. Nuss, J. Orenstein. Terahertz Time-Domain spectroscopy // Topics in Applied Physics, V. 74. Millimeter and submillimeter spectroscopy of solids. Edited by G. Grüner.Springer, 1998, pp. 7-50.79. B. Ferguson, D. Abbott. De-noising techniques for terahertz responses of biological samples// Microelectronics Journal, 2001, V. 32, No. 12, pp. 943-953.80.

S.P. Mickan, J. Xu, J. Munch, X.-C. Zhang, D. Abbott. The limit of spectral resolution inTHz time-domain spectroscopy // Proceedings of SPIE (The International Society for theOptics and Photonics), 2004, V. 5277, pp. 54-64.81. В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, С.Н. Гриняев. Глубокие уровни собственных точечныхдефектов и природа «аномального» оптического поглощения в ZnGeP2 // Физикатвёрдого тела, 2006, Т. 48, № 11, с. 1949-1961.82. Д.Н. Никогосян.

Кристаллы для нелинейной оптики // Квантовая электроника, 1971,Т. 4, № 1, с. 5.83. S. Limpijumnong, W.R.L. Lambrecht, B. Segall. Electronic structure of ZnGeP2: detailedstudy of the band structure near the fundamental gap and its associated parameters // Physical Review B, 1999, V. 60, No. 11, pp. 8087-8096.84.

N.C. Giles, L. Bai, M.M. Chirila, N.Y. Garces, K.T. Stevens. Infrared absorption band associated with native defects in ZnGeP2 // Journal of Applied Physics, 2003, V. 93, No. 11,pp. 8975-8991.9585. И.С. Горбань, В.А. Горыня, В.И. Луговой, И.И. Тычина. Комбинационное рассеяние вкристаллах ZnGeP2 // Физика твёрдого тела, 1975, Т. 17, № 9, с. 2631-2634.86. Ю.Ф. Марков, В.С.

Григорьева, Б.С. Задохин, Т.В. Рыбакова. Колебательный спектр иоптические постоянные монокристаллов ZnGeP2 // Оптика и спектроскопия, 1974, Т.36, № 1, с. 163-166.87. G.A. Verozubova, A.O. Okunev, A.I. Gribenyukov, A.Yu. Trofimiv, E.M. Trukhanov, A.V.Kolesnikov. Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals // Journal of Crystal Growth,2009, V. 312, No. 8, pp. 1122-1126.88. В.Г. Воеводин, Г.М. Головин, А.И. Грибенюков, В.С.

Морозов. О выращивании кристаллов ZnGeP2 методом Чохральского // Электронная техника. Серия 6: Материалы,1984, № 2 (187), с. 67-68.89. А.А. Вайполин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Т.Н. Ушакова. Электронные свойства кристаллов ZnGeP2, полученных методом твёрдофазных реакций // Физика и техника полупроводников, 1999, Т. 33, № 12, с. 1411-1415.90.

Г.А. Верозубова, А.И. Грибенюков, Ю.П. Миронов. Синтез тройного полупроводникового соединения ZnGeP2 // Неорганические материалы, 2007, Т. 43, № 10, с. 11641169.91. A.I. Gribenyukov. Preparation of ZnGeP2 for nonlinear optical applications: melt and homoepitaxial vapour growth // The Third Intermediate Report on Partner Agreement #2051/EOARD #00-7041: “ZnGeP2 melt and vapor growth: technology and properties of thegrown crystals”, Tomsk, Russia, 2003.92. A.I. Gribenyukov, G.A.

Verozubova, A.Yu. Trofimov, N.T. Yunda. Formation of uniformpoint defect distribution in ZnGeP2 single crystals at fast e-beam irradiation // Proceedingsof 6th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams andPlasma Flows, 23-28 September 2002, Tomsk, Russia, pp. 311-314.93. В.А. Котельников. О пропускной способности «эфира» и проволоки в электросвязи(репринт оригинальной статьи) // Успехи физических наук, 2006, Т. 176, № 7, с. 762770.94. Г.А.

Командин, О.Е. Породинков, И.Е. Спектор, А.А. Волков. Многофононное поглощение в монокристалле MgO в терагерцевом диапазоне // Физика твёрдого тела,2009, Т. 51, № 10, с. 1928-1932.95. Г.А. Командин, О.Е. Породинков, И.Е. Спектор, Ю.Н. Поливанов, С.Н. Орлов, В.А.Маслов. Электродинамические характеристики оксида бериллия в субмиллиметровом— инфракрасном диапазоне // Физика твёрдого тела, 2015, Т. 57, № 12, с.

2319-2328.9696. В.С. Григорьева, Ю.Ф. Марков, Т.В. Рыбакова. Комбинационное рассеяние в монокристаллах ZnGeP2 // Физика твёрдого тела, 1975, Т. 17, № 7, с. 1993-1995.97. G.A. Komandin, E.S. Zhukova, V.I. Torgashev, A.V. Boris, A.A. Boris, E.A. Motovilova,A.S. Prokhorov, L.S. Kadyrov, B.P. Gorshunov, M. Dressel.