Отзыв оппонента Рудь (Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе), страница 5

Результаты исследований оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных явлений в бирефрактивных кристаллах группы АгВ~, структурах металл — полупроводник, гетеропереходах, а также явления переноса заряда в этих структурах позволили установить рамки возможностей применения материалов этой группы для задач поляризационной фотоэлектроники на анизотропных кристаллах. При этом, обнаружен ряд новых явлений, таких как долговременная релаксация проводимости в поверхностно - барьерных структурах на С~зл (эффект памяти), не имеющая аналогов в других материалах н структурах, токи, ограниченные объемным зарядом (ТОПЗ), в тонких слоях р — ХпРг(С~зь) и другие оптические, электрические и фотоэлектрические эффекты, свойственные этим материалам и структурам. Впервые обнаружены связанные экситоны на аксиальных центрах Сй, 5п, 5Ь и Мп в кристаллах ХпРз(0'4) н Сг1Рз(Р84) и установлена связь между параметрами расщеплений состояний электрона кристаллическим полем фсг) и спин-орбитальным взаимодействием (Ьзо) и природой центров, с которыми связан экситон и построены энергетические схемы электронных переходов.

Обнаружены новые особенности оптической активности в кристаллах Сг1Рз(Рз4), связанные с возможностью получения твердого раствора или доменов из энантиомерных фаз дифосфида кадмия вариацией технологии получения кристаллов. Установлено, что из-за значительных величин бирефракции в относительно тонких пластинах одноосных тетрагональных кристаллов дифосфидов цинка и кадмия и двухосных моноклннных кристаллов дифосфидов и диарсенидов цинка в определенных направлениях рас- 10 пространения поляризованного света проявляется ярко выраженная интерференции обыкновенных и необыкновенных лучей.

Запрет на оптические переходы для определенных поляризаций света в зонной структуре кристаллов симметрии Сзгл обуславливает значительную бирефракцию в области края фундаментального поглощения н определяет природу линейного дихроизма. Практическая значимость полученных результатов. Разработана технология получения нелегированных и легированных монокристаллы группы А2В5 высокого качества, а также омических и выпрямляющих контактов к ним (барьеров Шоттки, р — гг — переходов и гетеропереходов на основе этих соединений). Разработаны методики Л вЂ” модуляционной спектроскопии исследования поверхностных и объемных оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных свойств полупроводников. Разработана и изготовлена установка для комплексного исследования свойств поверхности полупроводников, фотоэмиссин, оже — спектров, масс — спектров с возможностью прогрева образцов, ионного травления поверхности, активирования и др.

Разработаны технологии получения атомарно чистой поверхности кристаллов ХпРг(Сзгл), ХггРг(0~4), ХпАзг(Сзгл), СЕРг(0'~), СЕР4 и снижения работы выхода для приборов фотоэмиссионной электроники. Проведено комплексное исследование свойств поверхности соединений группы А2В5: ХпРг(С'гл), ХпРг(0'4), ХпАзг(С'гл), СЕРг(0'4), СЕР4. Показана перспективность использования моноклинных материалов дырочной проводимости в качестве фотоэлектронных эмнттеров для ИК области спектра.

Впервые разработаны и созданы опытные образцы: инверторов тока, с характеристиками, управляемыми поляризацией излучения, поляризационно-чувствительных фотоприемников, фотоэмиттеров для ближней ИК вЂ” области спектра, узкополосных фотодетекторов, бистабильных электрических переключателей, реле времени и элементов памяти, оптических фильтров, в том числе для фильтрации импульсов лазерного излучения, несущих информацию в окнах прозрачности оптических волокон (1.3 и 1.5 мкм). Основные результаты исследований представлены в 31 публикациях в списке в конце автореферета.

Разработанные оптоэлектронные приборы на бнрефрактивных кристаллах: нуль— индикаторы линейно поляризованного излучения, фотоэмиттеры для ближней ИК вЂ” области спектра, узкополосные фильтры и фотодетекторы и др. защищены авторскими Свидетельствами СССР, представлялись на международных европейских салонах ЕВРО- ИНВЕНТ в 2008-2014 годы и были награждены (отмечены) золотым кубком, 7 золотыми медалями, 4 серебряными медалями, одной бронзовой и 8 дипломами отличия - "Ееехсе1епсе". Личный вклад соискателя. Автором сформулированы основные цели и задачи работы, разработаны и реализованы методики исследований, выполнены основные экспериментальные исследования, разработаны модели и проведено компьютерное моделирование, Замечания.

Несмотря на строгость изложения и значимые результаты диссертационной работы у меня есть ряд вопросов и замечаний. 1. На странице 161 в п. 3.1 сообщается о возможном «изменении стехиометрического состава приповерхностной области, ее физико — химических свойств, что может привести к изменениям в закономерностях процесса активирования.» Как осуществлялся контроль стехиометричности состава, методах и точности измерений. 2.

На странице 187 в п. 3.4 сообщается о использовании метода А- фотоэмиссии для определения пиков отражений, Однако, сообщается что пик а5 ( 2.169 эВ) не был обнаружен. Чем это можно объяснить? 3. Использующийся на странице 205 термин «фотоэлектрический плеохроизм» не совсем понятен. Известны общепризнанные в литературе термины «естественый фотоплеохроизм», явление которое проявляется в структурах из анизотропных полупроводников и «наведенный фотоплеохроизм», наблюдаемый как в изотропных так и в анизотропных полупроводниках. Численно это явление, как хорошо известно, выражается через главный параметр — коэфициент фотоплеохроизма.

Какой смысл вкладывает автор в термин «фотоэлектрический плеохроизм»? Известно, что «коэффициент фотоплеохроизма» может отличаться от плеохроизма по амплитуде, знаку и спектральному контуру. Тождественность между этими понятиями достижима лишь в определенных условиях регистрации. В каком режиме проводились измерения при экспериментах? В работе 11921, на которую есть ссылка ни о каком коэффициенте фотоэлектрического плеохроизма « введенном рядом авторов» разговора нет — такого термина просто не существует. Явление фотоплеохроизма широко известно и первый обзор по этой тематике вышел еще в 1986 году (Известия высших учебных заведений . Физика.

1986, в. 8, с. 68-83.) 4. Что означает термин «дифференциальный показатель наклона» стр. 206, который вводится автором? Как он определяется? Как он зависит от поверхностной рекомбинации? 5. Непонятна необходимость ввода вектора 13, стр. 213, очевидно, что все можно объяснить через вектора Е и С и азимутальный угол. Вектор коллинеарный границе раздела это Е перпендикулярно с? Или что то не так, в чем смысл? 6. На странице 287 приведены данные об поляризационных исследованиях двух диодов Шоттки с встречно включенными электрическими полями.

Известно, что на таких структурах реализовывались приборы-поляриметрические фотодетекторы, которые обеспечивали инверсию знака фототока или же возрастания коэффициента фотоплеохроизма выше определенных природой 100 процента для однобарьерньгх структур ( и для плеохроизма в том числе). Все определяется векторной природой фототоков. Проводились ли для Ваших структур, в частности, эксперимент н анализ зависимостей коэффициента фотоплеохроизма от геометрии освещения, или же Вы измеряли обычный плеохроизм, где векторная природа фототоков не работает? Указанные замечания ни в коей мере не снижают общую положительную оценку диссертационной работы. Налицо результат огромного труда, работы с широким спектром материалов и структур„созданных различными технологическими методами и исследованные различными экспериментальными методиками, разработка моделей и анализ графического материала.

Полученные результаты имеют большое научное значение для физики полупроводников и так же значимый практический вес. Диссертационная работа выглядит завершенным научным трудом, выполнена в целом грамотно и оформлена в полном соответствии с требованиями ВАК РФ. Работа вносит существенный вклад в развитие представлений о структуре и физике, связанной с полупроводниками АгВ~, а также расширяет функциональный диапазон приборов, которые можно создать на их основе и полностью соответствует специальности 01.04.10 «физика полупроводников>>. Учитывая актуальной выбранной темы диссертации, ее объем и полноту проведенных автором исследований, использования результатов в технологиях, апробации и отражения добытых результатов в научных публикациях, есть все основания рассматривать диссертационную работу Стамова И.Г., согласно пункту 9 «Положения о присуждения научных степеней», как работу, в которой представлено решение задач, которые несомненно имеют грандиозное значение как с фундаментальной научной точки зрения, так и с прикладной.

Совокупность научных результатов позволяет утверждать что автором положено начало новому направлению в оптоэлектронике— «оптоэлектроники бирефрактивных кристаллов АзВз и приборов на их основе», Считаю что автор диссертационной работы «Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов АзВз и приборов на их основе», Стамов Иван Григорьевич заслуживает присуждения ему искомой ученой степени «Доктор физико-математических наук» по специальность 01.04.10 «физика полупроводников».

12 .