Сведения об оппоненте (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей)
Описание файла
Файл "Сведения об оппоненте" внутри архива находится в папке "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей". PDF-файл из архива "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ПунктФИОУченая степеньНаименование отрасли наукиНаучная специальностьПолное наименованиеорганизацииДолжностьСписок основных публикацийв реферируемых журналах (запоследние 5 лет)Сведения об официальном оппонентеЦэндин Константин ДамдиновичДоктор наукФизико-математических01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»Федеральное государственное бюджетное учреждение науки«Физико-технический институт им. А.Ф.
Иоффе» Российскойакадемии наукПрофессор кафедры “Физика твердого тела”1.Фефелов С.А., Казакова Л.П., Козюхин С.А., ЦэндинК.Д., Арсова Д., Памукчиева В. Особенности вольт-амперныххарактеристик в тонких пленках состава Ge2Sb2Te5 прииспользовании измерительной цепи с источником тока. Журналтехнической физики. 2014. Т. 84. № 4. С. 80-84.2.Bogoslovskiy N., Fefelov S., Kazakova L., Jakovlev S.,Tsendin K., Kozyukhin S., Almasov N., Korobova N., Guseinov N.Switching and memory effects in partly crystallized amorphousGe2Sb2Te5 films in a current controlled mode.
Journal of NonCrystalline Solids. 2012. Т. 358. № 23. С. 3299-3303.3.Алмасов Н.Ж., Приходько О.Ю., Цэндин К.Д. Инверсиязнака примесной проводимости в стеклообразных пленкахAs2Se3:Bi, полученных двумя различными методами. Физика итехника полупроводников. 2012. Т. 46. № 10. С.
1319-1321.4.Богословский Н.А., Цэндин К.Д. Физика эффектовпереключения и памяти в халькогенидных стеклообразныхполупроводниках. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. № 5. С. 577-608.5.Vainshtein S., Duan G., Kostamovaara J., Javadyan V.,Hovhannisyan R., Tsendin K. Chalcogenide glass surface passivationof a gaas bipolar transistor for unique avalanche terahertz emitters andpicosecond switches.
Applied Physics Letters. 2012. Т. 100. № 7. С.073505.6.Tsendin K. The switching effect in chalcogenides: ioffeinstitute investigations: part of special issue: phase-change memory:science and applications. Physica Status Solidi (B): Basic Solid StatePhysics. 2012. Т. 249. № 10.
С. 1962-1965..
