Сведения о результатах защиты (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей)

ПРОТОКОЛ № 14-2014Заседания диссертационного совета Д 212.157.06 от 18 ноября 2014 г.(начало 15.30, продолжительность 2 часа)ПРИСУТСТВОВАЛИ:председатель диссертационного совета д.т.н. проф. Мирошникова И.Н.,зам. председателя диссертационного совета д.т.н. проф. Гуляев А.М.,ученый секретарь диссертационного совета к.т.н. доц. Сарач О.Б.,члены диссертационного совета: д.т.н. Антонов В.А.;д.т.н. Арсеньев П.А.;д.т.н. Астахов В.П.;д.т.н.

Балбашов А.М.;д.т.н. Воробьев М.Д.;д.ф-м.н. Воронков Э.Н.;д.т.н. Григорьев А.А.;д.т.н. Кулешов В.Н.;д.ф-м.н. Кустов Е.Ф.;д.ф-м.н. Мащенко В.Е.;д.ф-м.н. Мнацаканов Т.Т.;д.ф-м.н. Морозова Н.К.;д.т.н. Попов А.И.;д.ф-м.н. Ринкевичюс Б.С.;д.т.н. Царапкин Д.П.;д.т.н. Шнитников А.С.Всего присутствовало 19 человек, из них 6 докторов по специальности 01.04.10«Физика полупроводников», физико-математические науки.СЛУШАЛИ:Защиту диссертации Нгуена Хуи Фука на тему «Оптические свойства тонкихпленок Ge 2 Sb 2 Te 5 и влияние на них легирующих примесей», представленную насоискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности01.04.10 «Физика полупроводников»Вопросы докладчику задавали: д.т.н.

Попов А.И., д.ф-м.н. Мащенко В.Е., д.фм.н. Кустов Е.Ф., д.ф-м.н. Воронков Э.Н., д.т.н. Гуляев А.М., д.т.н. МирошниковаИ.Н., д.т.н. Кулешов В.Н., д.т.н. Арсеньев П.А., д.ф.-м.н. Кустов Е.Ф., д.ф-м.н.Морозова Н.К.В дискуссии приняли участие: д.т.н. Попов А.И., д.ф.-м.н. Кустов Е.Ф., д.ф.-м.н.Воронков Э.Н.ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТАО присуждении Нгуену Хуи Фуку, гражданину Вьетнама, ученой степеникандидата физико-математических наук.Диссертация «Оптические свойства тонких пленок Ge 2 Sb 2 Te 5 и влияние на нихлегирующих примесей» по специальности 01.04.10 – «Физика полупроводников»принята к защите «10» сентября 2014 г. протокол № 10-2014 диссертационнымсоветом Д 212.157.06 на базе федерального государственного бюджетногообразовательногоучреждениявысшегопрофессиональногообразования«Национальный исследовательский университет «МЭИ» Министерства образования инауки РФ, 111250, Красноказарменная ул., д. 14, (приказ №2249-1504 от 02.11.

2007 и№ 1925-750 от 08.09.2009).Соискатель Нгуен Хуи Фук, 1984 года рождения.В 2010 году соискателю присуждена степень магистра физики по направлению«Физика» в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждениивысшегопрофессиональногообразования«Московскийпедагогическийгосударственный университет». Нгуен Хуи Фук освоил программу подготовкинаучно-педагогических кадров в очной аспирантуре Института физики, технологии иинформационныхсистемФГБОУВПО«Московскийпедагогическийгосударственный университет», год окончания – 2014.Не работает, аспирант кафедры физики твёрдого тела (в 2014 г.

объединена скафедрой теоретической физики) федерального государственного бюджетногообразовательногоучреждениявысшегопрофессиональногообразования«Московский педагогический государственный университет».Диссертация выполнена на кафедре теоретической физики в федеральномгосударственномбюджетномобразовательномучреждениивысшегопрофессионального образования «Московский педагогический государственныйуниверситет» Министерства образования и науки Российской Федерации.Научный руководитель – доктор химических наук, профессор Козюхин СергейАлександрович, Федеральное государственное бюджетное учреждение наукиИнститут общей и неорганической химии им. Н.С.

Курнакова РАН, лабораториямагнитных материалов, ведущий научный сотрудник.Официальные оппоненты:1.Цэндин Константин Дамдинович, доктор физико-математических наук,профессор, ведущий научный сотрудник кафедры «Физика твердого тела»Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физикотехнический институт им. А.Ф. Иоффе» Российской академии наук;2.Вишняков Николай Владимирович, кандидат технических наук, доценткафедры «Биомедицинская и полупроводниковая электроника», Федеральногогосударственногобюджетногообразовательногоучреждениявысшегопрофессионального образования «Рязанский государственный радиотехническийуниверситет»дали положительные отзывы на диссертацию.Ведущаяорганизация–Федеральноегосударственноебюджетноеобразовательное учреждение высшего профессионального образования «Московскийгосударственный университет имени М.В.Ломоносова», Москва, в своемположительном заключении, подписанном Казанским Андреем Георгиевичем,доктором физико-математических наук, профессором, главным научным сотрудникомкафедры физики полупроводников указала, что диссертация в полной мере отражаетактуальность, практическую значимость, научную новизну и основные результатыработы, отвечает требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям,установленным п.

9 «Положения о порядке присуждения ученых степеней»,утвержденного постановлением Правительства РФ №842 от 24 сентября 2013 г.Соискатель имеет 22 опубликованные работы, том числе по теме диссертации 13работ общим объемом 6,3 печатных листов, из них 8 статей, опубликованныхрецензируемых научных изданиях, 5 работ опубликованы в материалах всероссийскихи международных конференций и симпозиумов. Автору принадлежит проведениеэкспериментальных работ и расчетов, систематизация и анализ результатов.Наиболее значимые научные работы по теме диссертации:1.

Sergey Kozyukhin, Vera Kudoyarova, Huy Phuc Nguyen, Alexander Smirnov andViktor Lebedev. Influence of doping on the structure and optical characteristics ofGe 2 Sb 2 Te 5 amorphous films // Physica Status Solidi C. – 2011. – Vol. 8. – No. 9. – P. 26882691.2. P. Lazarenko, Huy Phuc Nguyen, S. Kozyukhin, A. Sherchenkov. Influence of Bidoping on electrical and optical properties of phase change material Ge 2 Sb 2 Te 5 // Journal оfOptoelectronics and Advanced Materials. – 2011. – Vol. 13. – No.11-12.

– P. 1400-1404.3. Х. Ф. Нгуен, С.А. Козюхин, И.В. Разумовская. Оптические константылегированных Bi и In аморфных пленок Ge-Sb-Te, используемых в устройствахфазовой памяти // Преподаватель XXI век. – 2012. - № 3. Часть 1 – С. 207-211.4. С.А. Козюхин, Х.Ф. Нгуен, М. Вереш, В.Х. Кудоярова, И.В. Разумовская.Легирование изоморфными примесями материалов фазовой памяти Ge-Sb-Te поданным спектроскопии комбинационного рассеяния света // Вестник Рязанскогогосударственного радиотехнического университета. – 2012.

- № 4, выпуск 42, часть 2.- С. 74-80.5. П.И. Лазаренко, С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, В.Г. Литвинов, А.В.Ермачихин, Х.Ф. Нгуен, Е.Н. Редичев. Электрофизические свойства аморфныхтонких пленок Ge 2 Sb 2 Te 5 , легированных Bi // Вестник Рязанского государственногорадиотехнического университета. – 2013. - № 4, выпуск 46, часть 3. - С. 83-87.6.

S. Kozyukhin, M. Veres, H. P. Nguyen, A. Ingramd, V. Kudoyarova. Structuralchanges in doped Ge 2 Sb 2 Te 5 thin films studied by Raman spectroscopy // Physics Procedia.– 2013. – Vol. 44. – P. 82 – 90.7. Х.Ф. Нгуен, С.А. Козюхин, А.Б. Певцов. Влияние висмута на оптическиесвойства тонких пленок Ge 2 Sb 2 Te 5 // Физика и техника полупроводников. –2014. – Т.48, выпуск 5. – С. 597-603.8. Sergey Kozyukhin, Alexey Sherchenkov, Alexey Babich, Petr Lazarenko, HuyPhuc Nguyen, Oleg Prikhodko.

Peculiarities of Bi Doping of Ge-Sb-Te Thin Films for PCMDevices // Canadian Journal of Physics. – 2014. – Vol. 92. – Pp. 684-689.На диссертацию и автореферат поступили отзывы:1. Балтийского федерального университета имени Имманила Канта, подписалдоктор химических наук, Фунтиков Валерий Алексеевич, профессор кафедры химии.Отзыв положительный.2. Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, подписалдоктор химических наук, Скрипачев Игорь Владимирович, ведущий научныйсотрудник, и доктор химических наук, Ширяев Владимир Семенович, ведущийнаучный сотрудник.

Отзыв положительный.3. Калужского филиала ФГБОУ ВПО «МГТУ им. Н.Э. Баумана», подписалдоктор технических наук, Андреев Владимир Викторович, профессор кафедрыконструирования и производства электронной аппаратуры. Отзыв положительный.4. Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институтхимии твердого тела УрО Российской академии наук, подписал член-корреспондентРАН, доктор физико-математических наук, профессор, Ремпель Андрей Андреевич,заведующий лабораторией.

Отзыв положительный.5. ФГБУ ВПО «Национальный исследовательский Томский государственныйуниверситет», подписал доктор технических наук, профессор Козик ВладимирВасильевич, заведующий кафедрой неорганической химии. Отзыв положительный.6. Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институтхимии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. ТананаеваКольского научного центра Российской академии наук, подписал доктор физикоматематических наук, Сидоров Николай Васильевич, заведующий секторомколебательной спектроскопии и структурных исследований лаборатории материаловэлектронной техники.

Отзыв положительный.7. Национального исследовательского университета «МИЭТ», подписал доктортехнических наук, Тимошенков СергейМикроэлектроники. Отзыв положительный.Петрович,заведующийкафедройВ качестве замечаний отмечено, что в тексте автореферата не приводятсярентгеновские дифрактограммы кристаллических пленок GST225, легированных Bi,Sn и In (5), не высказываются предложения о наиболее оптимальном составематериала для фазовой памяти (ФП), основанные на результатах проведенногоисследования (2); не ясно, почему автор ограничился лишь исследованием тонкихпленок состава GST225 (2), почему выбран именно такой состав второго слоядвухслойной модели тонких пленок – смесь 95% GST и 5% воздуха (7), проводилосьли в диссертации исследование режимов термического отжига для получениякристаллических пленок GST225 (3) и насколько оптимальным является отжиг притемпературе 170 ± 1°С в течение 5 часов в инертной атмосфере (Аг) (3); а также, чтословосочетание «легирующие примеси» неудачно (1), фраза «синтезированыаморфные тонкопленочные структуры...» не соответствует общепринятомуположению о том, что синтез предполагает знание точной структурысинтезированного соединения (1); указано на опечатки и ошибки в русском языке (5,7), многочисленные обозначения на английском языке шкал на графиках (5), плохоекачество рисунков (4, 7).Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновываетсяподтвержденными многочисленными научными публикациями высокой научнойквалификациейоппонентов,занимающихсяпроблемамирассматриваемойдиссертации, и авторитетом ведущей организации.Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненных соискателемисследований:разработана модель структуры на основе тонких пленок GST225 легированныхвисмутом, оловом и индием, адекватно описывающая спектральные зависимостиоптических констант;предложен метод определения оптического контраста тонких пленок материаловфазовой памяти на основании экспериментальных измерений оптическиххарактеристик, позволяющий определить эффективность влияния легирующихпримесей;доказано, что введение легирующих примесей Bi, Sn и In приводит к изменениюструктуры ближнего порядка аморфных тонких пленок GST225;введены критерии эффективности легирующих примесей для состава GST225 наоснове теории изоморфного замещения.Теоретическая значимость исследования обоснована тем, что:доказан факт применимости для материалов фазовой памяти состава GST225 моделиТауца и Форохи - Блумера;применительно к проблематике диссертации результативно использованыразработанные соискателем методы расчета оптических констант для тонких пленокGST225 с использованием спектральной эллипсометрии и метода оптическогопропускания;изложены аргументы, обосновывающие влияние легирующих примесей (Bi, Sn, In) наоптические свойства аморфных тонких пленок GST225, заключающееся в том, что наосновании теории изоморфного примесного замещения разработаны критерии выборалегирующих примесей;раскрыты особенности изменения оптических характеристик и оптическогоконтраста для тонких пленок состава GST225, легированных Bi, Sn, In.изучено влияние легирующих примесей на оптические характеристики тонкихпленок GST225;проведена модернизация моделей Тауца и Форохи - Блумера для материалов сфазовой памятью.Значение полученных соискателем результатов исследования для практикиподтверждается тем, что:разработаны и внедрены в учебный процесс материалы по теме «Методспектральной эллипсометрии» для учебно-методического комплекса по дисциплине«Структура и свойства вещества в конденсированном состоянии» (учебный планмагистерскойподготовкиФГБОУВПО«Московскийпедагогическийгосударственный университет»);определены концентрационные пределы введения легирующих примесей в аморфнуюматрицу GST225;создана программа расчета оптических констант для материалов с фазовой памятьюGST225;представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов оптическихконстант для тонких пленок GST225, включая пленки с легирующими примесями (Bi,Sn, In).Оценка достоверности результатов исследования выявила:для экспериментальных работ результаты получены с применением современнойизмерительной аппаратуры и имеют хорошую воспроизводимость;теория, учитывает особенности изоморфного примесного замещения для составаGe 2 Sb 2 Te 5 и строение энергетических зон некристаллических полупроводников;идея базируется на анализе экспериментальных результатов, а также теоретическихработ, выполненных другими исследователями;использованосравнениеданных соискателяс данными,полученнымиранее порассматриваемой тематике;установленокачественноеиколичественноесовпадениеэкспериментальныхрезультатов соискателя, полученных на тестовых образцах, с результатами другихисследователей, полученными ранее;использованы корректные приемы математического анализа и численного расчета.Личный вклад соискателя состоит в непосредственномэкспериментови их проведении,участии в постановкеобработке и интерпретацииэкспериментальныхрезультатов, создании теоретических моделей, написании научных статей в составеавторского коллектива и подготовке их к опубликованию, представлении докладов потемедиссертациинаконференциях.Результаты,выносимыеназащитуисоставляющие научную новизну диссертационной работы, получены автором лично влаборатории магнитных материалов Института общей и неорганическойН.С.КурнаковаРАНинакафедрефизикитвердоготелахимии им.Московскогопедагогического государственного университета.На заседании18 ноября 2014 г.

диссертационныйсовет принял решениеприсудить Нгуену Хуи Фуку ученую степень кандидата физико-математическихПри проведении тайного голосования диссертационныйчеловек,изнихполупроводников»,6докторовнаукпофизико-математическиеспециальностинаук.совет в количестве 12О 1.04.1О«Физиканауки, участвовавших в заседании, из 22человек, входящих в состав совета, проголосовали: за присуждение ученой степени 12,против Q, недействительных бюллетеней Q./~~,~'/Дата оформления Заключения«18» ноября 2014 г.//Мирошникова Ирина Николаевна~>?-----/.-----Сарач Ольга Борисовна.