Неофициальный отзыв 6 (Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей)
Описание файла
Файл "Неофициальный отзыв 6" внутри архива находится в папке "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей". PDF-файл из архива "Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Отзывна автореферат диссертации Нгуен Хуи Фук «Оптические свойства тонких пленокGe2Sb2Tes и влияние на них легирующих примесей», выдвинутой на соискание ученойстепени кандидата физико-математическихТема диссертацииНгуенХуи Фук являетсянаукактуальной,так как полученныерезультаты по изменению оптического контраста могут быть использованы для выборанаиболее оптимальнь~составов активнойобласти оптическихдисков для храненияинформации на основе Ge-Sb-Te, и в конечном итоге повысить плотность ее регистрации.Исследованиесистемыдает вклад в пониманиеструктурныхGe-Sb-Te при введении легирующихструктурныеизмененияпозволяютизмененийв соединенияхдобавок висмута, олова и индия.
Этинаправленновлиятьна оптическийконтрастаморфных тонких пленок.Автором диссертации была разработана модель структуры Ge2Sb2Tes, легированныхBi, Sn и In, адекватно описывающаяспектральныезависимостиоптических константтонких пленок на основе этого соединения. Это можно отнести к новизне подхода.Практическаяпреобладающегоценность работы заключаетсяв том, что автор установил эффектвлияния висмута и олова на оптическийконтраст тонких пленок ипришел к выводу об относительно слабом влиянии легирующей добавки индия на этотпараметр.БылвпервыелегированныхлегирующихопределеноптическийконтрастдлятонкихBi, Sn и In. Впервые было также показано,пленокGe2Sb2Tes,что введение названныхдобавок приводит к изменению структуры ближнего порядка аморфныхтонких пленок.ЗаметнаАвторомновизнаприоборудование.обратногоподходаприисследованииДиагностикарезерфордовскогоспектральной эллипсометрии,проведениисвойствтонкихтонкихпленокрассеянияэкспериментальнь~пленокиспользовановыполнялась(ОРР),исследований.сприменениемрентгенофазовогоспектроскопии комбинационногосовременноеметодаанализа(РФА),рассеяния света (КРС) ирентгеновского микроанализа.На основании проведенного исследования высказано предположение, что измененияоптическогоконтрастатонкихпленокфазовойпамятиопределяютсястепеньюэффективности примесного замещения основных компонентов (германия или сурьмы) всоединении системы Ge-Sb- Те, что при водит к соответствующимхимическойсвязи.Было установлено,что при кристаллизацииизменениям энергииаморфныхпленокGe2Sb2Tes происходит уменьшение значения ширины оптической запрещенной зоны Eg,что обусловлено упорядочением структуры.При ознакомлениис авторефератом диссертациивозникает ряд вопросов, которые,однако, никак не могут затрагивать высокий уровень и качество работы:1)Интересно было бы изучить влияние легирующихдобавок висмута, оловаииндия на составы, отличные от Ge2Sb2Tes.
Не ясно, почему автор ограничилсялишь исследованием тонких пленок состава GST225.2)В автореферате не высказываются предложения о наиболее оптимальном составематериала для фазовой памяти (ФП), основанные на результатах проведенногоисследования.Опубликованныеработы,8наименований,полностьюотражаютсодержаниедиссертации.В целом диссертационнаяработа Нгуен Хуи Фукпредставляет собой законченноеисследование, включающее в себя большой экспериментальныйисследованию аморфных тонкопленочныхпроработкус использованиемматериал по синтезу иструктур состава GST225, его теоретическуюпредположенияоб измененииструктурыближнегопорядка при введении легирующих добавок висмута, олова или индия.Автор работы, несомненно, достоин присуждения ученой степени кандидата физикоматематических наук./~f/Вед.
научный сотрудник ИХВВ РАН, д.х.н.·17 ~ия. СкрнпачевНижний Новгород, GSP-75, ул. Тропинина, 49;('2 eyJ,cg//?{f~(1'1/7"HF;r '/Тел. (831)4627192E-mail: skripachev@ihps.nnov.ruВед. научный сотрудник ИХВВ РАН,Д.Х.Н.Нижний Новгород, GSP-75, ул. Тропинина, 49Тел. (831)4627192E-mail: shiryaev@ihps.nnov.ruПодписи И.В. Скрипачева и В.СЗам. директора Института химии выД.х.Н.:$"r.
Г.г. Девятых РАН,. Буланов2014 г.2.